Дослідження процесів одержання і деякі електрофізичні характеристики епітаксійних структур Si-Ge на підкладці Si та Si-Ge

Автор(и)

  • A. Zhuravlyov Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», Україна
  • N. Semenov Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», Україна
  • V. Sheremet Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», Україна
  • B. Shirokov Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», Україна
  • A. Shiyan Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», Україна
  • G. Bokuchava «Сухумський фізико-технічний інститут ім. І. Векуа», Грузія
  • G. Darsavelidze «Сухумський фізико-технічний інститут ім. І. Векуа», Грузія
  • R. Chikovani «Сухумський фізико-технічний інститут ім. І. Векуа», Грузія

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2011.29.30-36

Ключові слова:

Епітаксійна структура, Кремній, Германій

Анотація

У роботі досліджувалися процеси отримання епітаксійних структур Si-Ge на підкладках Si і Si-Ge методом спільного водневого відновлення тетрахлориду кремнію і германію. Отримані експериментальні зразки епітаксійних структур вивчалися методами лазерної мас-спектрометрії, мікрорентгеноспектрального аналізу, растрової мікроскопії, ядерно-фізичним методом.

Посилання

Hermann G. Grimmeiss. Silicongermanium a promise into the future // Физика и техника полупроводников. −

− Т 33, вып 9. − С. 1032–1034.

Красильник. З.Ф. Полупроводниковые наноструктуры: оптические свойства и применения // Известия академии наук, серия физическая. − 2001. − Т. 65, №2. − С. 168–170.

Борискин А.И., Еременко В.М., Лялько И.С., Брюханов А.С., Смиян О.Д., Быковский Ю.А. Аналитические и аппаратурные характеристики прибора ЭМАЛ-2. Приборы и системы управления, 1983, № 1, С. 26-29.

Білоусов В.И., Ковалев И.Д., Потапов А.М., Черняков С.В. Влияние юстировки масс-спектрометра ЭМАЛ-2

на правильность и воспроизводимость результатов анализа // Высокочистые вещества. 1994, № 3, С. 121-128.

Рамендик Г.И. Правильность и воспроизводимость масс-спектрометрического анализа геологических образцов и

Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics. Issue 29. – 2011 35 лунного грунта // Журнал анали-

тической химии, 1977, вып. 10, С. 1990-1998.

Быковский Ю.А., Тимошин В.Т., Лаптев И.Д., Потапова В.И. Исследование зональности и секториальности природных кристаллов методом лазерной масс-спектрометрии // Высокочистые вещества, 1987, №1, с. 218-223.

Рамендик Г.И., Крючкова О.И., Тюрин Д.А., Гронская С.И. Методика масс-спектрометрического анализа пород и минералов с использованием внутреннего стандарта // Журнал аналитической химии, 1988, вып. 7, С. 1177-1183.

Ньюбэри Д. Формирование изображения в растровом электронном микроскопе. Практическая растровая

электронная микроскопия. М.: Мир,

, С. 113 – 169.

Everhart T.E., Wells O.C., Oatlly C.W., J. Electron. Control, 7, 97 (1959), Р. 323.

Duncumb P., in: Proc. EMAG, Conference Series # 10, Institute of Physics, London 1971, Р. 132.

Reed S.J.B., J. Phys. D., 4, 1910 (1971).

Приборы и методы физического металловедения. Под ред. Вейнберга. Вып. 1,М. : Мир, 1973, с. 216 – 217.

Опубліковано

2011-06-30

Номер

Розділ

Статті