Імпедансний сенсор на ефекті екранування для детектування функціонального стану Клітинних моношарів
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.194-199Ключові слова:
Імпедансна спектроскопія, Зустрічно-штирьовий наноперетворювач, Клітинний моношар, Ефект екрануванняАнотація
Показано, що при культивуванні клітин на поверхні імпедансного сенсора спостерігається ефект екранування електричного поля, пов'язаний з формуванням міжклітинних контактів і появою активної складової імпедансу. Величина ефекту залежить від чутливості покриття і зростає із зменшенням відстані між електродами сенсораПосилання
Henning T., Brischwein M., Baumann W. et al. Approach to a multiparametric sensor-chip-based tumor chemosensitivity assay // Anti-Cancer Drugs – 2001. – V. 12. –P. 21-32.
Ceriotti L., Ponti J., Colpo P. et al. Assessment of cytotoxicity by impedance spectroscopy // Biosens. Bioelectron. –2007. – V. 22. – P. 3057-3063.
Yeon J.H., Park J.-K. Cytotoxicity test based on electrochemical impedance measurement of HepG2 cultured in microfabricated cell chip // Anal. Biochem. – 2005. – V. 341. – P. 308-315.
Xiao C., Luong J. On-line monitoring of cell growth and cytotoxicity using electric cell-substrate impedance sensing (ECIS) // Biotechnol. Prog. – 2003. –V. 19. – P. 1000-1005.
Ehret R., Baumann W., Brischwein M. et al. Online control of cellular adhesion with impedance measurements using interdigitated electrode structures // Med. Biol. Eng. Comput. – 1998. –V. 36. – P. 365-370.
Kel’in A.V., Kulinkovich O.G. A new synthetic approach to the conjugated five numbered heterocycles with long-chain substituents // Folia pharm. Univ. Carol. – 1995. – V. 18. – P. 96-97.
Grushevskaya H.V., Hrushevsky V.V., Krylova N.G. et al. Cell functioning characterization using spontaneous polarization hysteresis in thin Langmuir-Blodgett films with modified multi-walled carbon nanotubes and rare-earth atoms // J. Nonlin. Phen. Com. Sys. – 2010. – V. 13. – P. 396-408.
Абрамов И.И., Грушевский В.В., Крылов Г.Г. и др. Метод расчета встречноштыревого датчика емкостного типа // Петербургский журнал электроники. – 2012. – Т. 4. – № 73. – С. 59-67.
Грушевский В.В., Крылов Г.Г., Крылова Г.В. и др. Электро-физические свойства приэлектродного слоя встречно-штыревого датчика на границе раздела фаз нанопористый АОА – полярная жидкость // Вестник БГУ. Серия 1: Физ. Мат. Информ. – 2012. – Т. 2. – С. 23-29.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
