Нанонеоднорідність як характерний прояв організації структури аморфних халькогенідів

Автор(и)

  • В. М. Кришеник Інститут фізики та хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.18.90-102

Ключові слова:

Аморфні халькогенеди, Високо¬температурні надпровідники

Анотація

Оглядова робота аналізує розвинутий за останній час дискусійний погляд на нанонеоднорідність амофних халькогенідів як особливий прояв організації структури невпорядкованої речовини, що значною мірою визначає її фізичні властивості.

Посилання

С.А.Дембовский, Е.А.Чечеткина. Стеклообразование. М.: Наука, 1990, 279с.

В.К.Малиновский, Н.В.Суровцев, Физика и химия стекла, т.26, №3, 315-321, (2000).

M.Popescu. Non-Crystalline Chalcogenides. Dordtrecht: Kluwer Academic Publishers, 2000, 378p.

M.I.Mar'yan, A. Szasz. Self-Organizing Processes in Non-Crystalline Materials: from Lifeless to Living Objects. Budapest-Uzhgorod: Onco Therm, 2000, 302p.

V.M.Kryshenik, V.I.Mikla, V.P.Ivanitsky, J Optoelectr.Adv.Mater., v.6, №2, 429-440, (2004).

Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, H.S.Nalwa, ed., Vol.3&5. San Diego, Ca: Academic Press, 2001.

J.P.Phillips in: Phase Transitions and Self-Organization in Electronic and Molecular Networks. New-York: Kluwer, 2001.

P.C.Taylor. Characterization of Amorphous Silicon Thin Films and PV Devices. MREL Annual Technical Monitor: B. von Rodern, 1999, 19p.

K.Tanaka in: K.H.J.Buschow et al., eds., Encyclopedia of Materials: Science and Technology. Amsterdam: Elsevier, 2001, p.1123.

W.H.Zachariasen, J. Am. Chem. Soc. v.54, 3841-3851, (1932).

Physics and Applications of Disordered Materials. Ed. M.Popescu, Bucharest: INOE Publishing House, 2002, 390p.

Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Ред. К.Д.Цэндин, Спб.: Наука, 1996, 486с.

K.Shimakawa, A.Kolobov, S.R.Elliott, Adv. Phys., v.44, 475-588, (1995).

А.И. Губанов. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников, М.-Л.: Изд. Ан СССР, 1966.

S.R.Ovshinsky, Phys. Rev. Lett., v.36, №24, 1469-1472, (1976).

P.W.Anderson, Phys. Rev. Lett., v.34, №15, 953-955, (1975).

R.A.Street, N.F.Mott, Phys. Rev. Lett., v.35, №19, 1293-1296, (1975).

M.Kastner, D.Adler, H.Fritzsche, Phys. Rev. Lett., v.37, №22, 1504-1507, (1976).

M.Klinger, Phys. Reports, v.165, №5/6, 617-631, (1988).

K.Tanaka, J. Optoelectr. Adv. Mater., v.3, №2, 189–198, (2001).

N.Mousseau, G.T.Barkema, Phys. Rev., v.E57, 2419, (1998).

M.F.Thorpe, D.J.Jacobs, M.V.Chubynsky, J.P.Phillips, J. Non-Cryst. Solids, v.266–269, 859-866, (2000).

L.Angelani, R.DiLeonardo, G.Parisi, G.Ruocco, Phys. Rev. Lett., v.87, 055502, (2001).

В.Я.Шевченко, А.Е.Мадисон, Шудегов В.Е., Физика и химия стекла, т.29, №6, 799-806, (2003).

A.Tanguy, J.P.Wittmer, F.Leonforte, J.-L.Barrat, Phys. Rev., v.66,174205, (2002).

S.Alexander, Physical Reports, v.296, №2–4, 65-236, (1998).

T.Kustanovich, Y.Rabin, Z.Olami, Phys. Rev., v.B67, 104206, (2003).

В.Н.Новиков. Наноструктура и низкоэнергетические колебательные возбуждения в стеклообразных материалах. – Автореф. докт. дис. Новосибирск: ИАЭ СО РАН. – 1992. – 37с.

H.Sillescu, J. Non-Cryst. Solids, v.243, 81-108, (1999).

А.А.Вайполин, Е.А.Порай-Кошиц, ФТТ, т.5, №2б, 683-687, (1963).

S.R.Elliott. Physics of amorphous materials, London: Longman Scientific & Technical, 1990, 481p.

E.Duval, A.Bookenter, B.Champagnon, Phys. Rev. Lett., v.56, №19, 2052-2055, (1986).

R.Böhmer, Current Opinion of Solid State & Material Science, №3, 378-385,(1998).

U.Buchenau, M.Prager, N.Nücker et al., Phys. Rev., v.B34, №.8, 5665-5673, (1986).

V.K.Malinovsky, A.P.Sokolov, Solid State Commun., v.37, №.9, 751-761, (1986).

A.J.Leadbetter, A.I.Apling, J. Non-Cryst. Solids, v.15, №1–2, 250-268, (1974).

J.P.DeNeufville, S.C.Moss, S.R.Ovshinsky, J. Non-Cryst. Solids, v.13, 2, 191-203, (1973).

L.E.Busse, Phys. Rev., B29, №6, 3639-3651, (1984).

Д.С.Сандитов, Г.В.Козлов, Б.Д.Сандитов, Физика и химия стекла, т.22, №6, 683-693, (1996).

S.R.Elliott, Phys. Rev. Lett., v.67, 711-714, (1991).

J.P.Phillips, J. Non-Cryst. Solids, v.34, №2, 153-181, (1979).

J.P.Phillips, J. Non-Cryst. Solids, v.43, №1, 37-77, (1981).

J.P. Phillips, M.F.Thorpe, Sol. State Communs., v.53, №8, 699-702, (1985).

M.F.Thorpe, J. Non-Cryst. Solids, v.57, №3, 355-370, (1983).

A.Huerta, G.G.Naumis, Phys. Rev., v.B66, 184204 (2002).

K.Tanaka, Phys. Rev., v.B39, №2, 1270-1279, (1989).

S.Mamedov, D.G.Georgiev, Qu Tao and P.Boolchand, J. Phys.: Condensed Matter., v.15, S2397-S2411, (2003).

X.W.Feng, W.J.Bresser, P.Boolchand, Phys. Rev. Lett., v.78, 4422-4425, (1997).

P.Boolchand, D.G.Georgiev, B.Goodman, J. Optoelectr. Adv. Mater., v.3, №3, 703-720, (2001).

D.J.Jacobs, L.A.Kuhn, M.F.Thorpe, in: Rigidity theory and applications, M.F.Thorpe and P.M.Duxbury, Eds., New York: Kluwer Academic, Plenum Press, (1999).

Fei Wang, P.Boolchand, in: Non-Crystalline Materials for Optoelectronics, vol.1, G.Lucovsky, M.Popescu, Eds., Bucharest: INOE Publishing House, 15-42, (2002).

T.Mowrer, G. Lucovsky, L.S.Sremaniak, J.L.Written, J. Non-Cryst. Solids, v.338-340, 543-547, (2004).

I.Zitkovsky, P.Boolchand, J. Non-Cryst. Solids, v.114, 70-72, (1989).

D.G.Georgiev, P.Boolchand, Phil. Mag., v.83, №4, 2941-2953, (2003).

M.Frumar, Z.Cernosek, B.Frumarova, T.Wagner, J. Optoelectr. Adv. Mater., v.3, №2, 177-188, (2001).

H.Fritzsche, Физика и техника полупроводников, т.38, №8, 952-957, (1998).

М.Л.Трунов, Письма в ЖТФ, т.30, в.20, 49-54, (2004).

A.V.Stronski, Semicond. Phys., Quant. Electron. & Optoelectr., v.4, №2, 111-117, (2001).

A.Kolobov, K.Tanaka, in: Handbook of Adv. Electronic  Photon.Materials and Devices, v.5. , ed. by H.S.Nalwa, San Diego: Academ. Press, (2001).

H. Jain, J. Optoelectr. Adv. Mater., v.5, №1, 5-22, (2003).

В.М.Крышеник, О.В.Лукша, В.П.Иваницкий и др., Квантовая электроника (Киев), в.36, 45-50, (1989).

О.В.Лукша, В.М.Крышеник, М.Л.Трунов, В.П.Иваницкий, Материалы оптоэлектроники. Респ. межвед. научно-техн. сборн., вып.1, Киев: Техника, 49-63, (1992).

В.М.Кришеник, Наук. Вісн. Ужгородського ун-ту. Сер. Фізика, №9, 110-120, (2001).

V.M.Kryshenik, V.I.Mikla, Mater. Sci. Eng., v.B100, 292-296, (2003).

V.I.Mikla, V.M.Kryshenik, J. Non-Cryst. Solids, v.330, 33-38, (2003).

С.А.Колинько, В.М.Крышеник, О.В.Лукша и др., Мат. конф. "Некристаллические полу-проводники-89", Ужгород, 240-242, (1989).

М.И.Марьян. Сб. докл. межд. научно-практ. семин. “Функцио¬нальные покрытия на стеклах”, Харьков: НИЦ ХФТИ “Константа”, 51-55, (2003).

S.N.Yannopoulos, Phys. Rev. B, v.68, 064206, (2003).

В.І.Мікла, В.М.Кришеник, Укр. фіз. журн., т.49, №8,787-792, (2004).

В.М.Кришеник, В.І.Мікла, І.П.Михалько, Наук. Вісн. Ужгородського ун-ту, Сер. Фізика, №11, 106-110, (2002).

##submission.downloads##

Опубліковано

2005-12-31

Номер

Том 18 (2005)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).