ДЕТЕКТРОРЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ "ФОТОЧУСТВИТЕЛЬНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА - ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ СЦИНТИЛЯТОР" НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ A<sup>II</sup>B<sup>VI</sup>

Авторы

  • I. Zenya Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • A. Galat Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • P. Gashin Молдовський державний університет, Moldova, Republic of
  • B. Grinyov Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • A. Focsha Молдовський державний університет, Moldova, Republic of
  • V. Ryzhikov Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • V. Seminozenko Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine
  • N. Starzhinskiy Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2007.21.165-168

Аннотация

Розглянуто методи отримання фоточутливих структур типу nZnSe(Te)-pZnTe і ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe шляхом використання твердофазних реакцій заміщення і подальшого епітаксіального росту на кристалах ZnSe(Te). Показано, що амплітуда вихідного сигналу інтегральних детекторів дорівнює 1,2-1,4 В, а рентгенівська чутливість досягає величин 150-200 нА-хв/см2-Р. Динамічний діапазон вихідних параметрів досягає 105, а рівень післясвітіння через 20 мс не перевищує 0,05 %, що дозволяє використовувати їх у детектуючих системах рентгенівських інтроскопів.

Библиографические ссылки

V.D.Ryzhikov, V.I.Silin, N.G.Starzhinskiy, Nucl.Tracks Radiat.Meas. 21, 53 (1993).

L.V.Atroshchenko, S.F.Burachas, L.P.Gal’chinetskii, B.V.Grinyov, V.D.Ryzhikov, N.G.Starzhinskiy, Scintillation crystals and radiation detectors based on them (Naukova Dumka, Kyiv,1998), pp.167-310.

V.D.Ryzhikov, V.V.Chernikov, L.P.Gal’chinetskii, J. Crystal Growth, 197, 655 (1999).

P.Gashin, A.Focsha, Solar En.Mater and Solar Cells, 46, 323 (1997).

P.P.Gorbik, M.A.Mazin, V.D.Ryzhikov, Elect.Techn., 1, 36 (1987).

Загрузки

Опубликован

2007-08-05

Выпуск

Раздел

Статті