ДЕТЕКТОРИ ІОНІЗУЮЧИХ ВИПРОМІНЮВАНЬ “ФОТОЧУТЛИВА ГЕТЕРОСТРУКТУРА - ХАЛЬКОГЕНІДНИЙ СЦИНТИЛЯТОР” НА ОСНОВІ СПОЛУК A<sup>II</sup>B<sup>VI</sup>

Автор(и)

  • I. Zenya Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна
  • A. Galat Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна
  • P. Gashin Молдовський державний університет, Республіка Молдова
  • B. Grinyov Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна
  • A. Focsha Молдовський державний університет, Республіка Молдова
  • V. Ryzhikov Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна
  • V. Seminozenko Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна
  • N. Starzhinskiy Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2007.21.165-168

Анотація

Розглянуто методи отримання фоточутливих структур типу nZnSe(Te)-pZnTe і ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe шляхом використання твердофазних реакцій заміщення і подальшого епітаксіального росту на кристалах ZnSe(Te). Показано, що амплітуда вихідного сигналу інтегральних детекторів дорівнює 1,2-1,4 В, а рентгенівська чутливість досягає величин 150-200 нА-хв/см2-Р. Динамічний діапазон вихідних параметрів досягає 105, а рівень післясвітіння через 20 мс не перевищує 0,05 %, що дозволяє використовувати їх у детектуючих системах рентгенівських інтроскопів.

Посилання

V.D.Ryzhikov, V.I.Silin, N.G.Starzhinskiy, Nucl.Tracks Radiat.Meas. 21, 53 (1993).

L.V.Atroshchenko, S.F.Burachas, L.P.Gal’chinetskii, B.V.Grinyov, V.D.Ryzhikov, N.G.Starzhinskiy, Scintillation crystals and radiation detectors based on them (Naukova Dumka, Kyiv,1998), pp.167-310.

V.D.Ryzhikov, V.V.Chernikov, L.P.Gal’chinetskii, J. Crystal Growth, 197, 655 (1999).

P.Gashin, A.Focsha, Solar En.Mater and Solar Cells, 46, 323 (1997).

P.P.Gorbik, M.A.Mazin, V.D.Ryzhikov, Elect.Techn., 1, 36 (1987).

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-08-05

Номер

Розділ

Статті