ЗОННА ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА СЕГНЕТИЕЛЕКТРИКА – НАПІВПРОВІДНИКА CuInP<sub>2</sub> S<sub>6</sub> ТА НЕПРЯМІ ОПТИЧНІ ПЕРЕХОДИ В CuInP<sub>2</sub>(Se<sub>0.1</sub> S<sub>0.9</sub>)<sub>6</sub>

Автор(и)

  • К. Е. Глухов Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Ю. Біганич Ужгородський національний університет, Україна
  • Е. І. Герзанич Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.33.50-57

Ключові слова:

Край поглинання, Зонна структура, Високий тиск, Фазовий перехід

Анотація

Розрахована зонна енергетична структура сегнетиелектрика – напів­провідника CuInP2S6 в обох фазах. Показано, що даний кристал є непрямозонним матеріалом. Експериментально при тиску р=0,1 ГПа досліджена форма краю оптичного поглинання кристалу CuInP2(Se0.1S0.9)6, який є ізоструктурний CuInP2S6 і встановлено, що при малих коефіцієнтах поглинання край формується непрямими міжзонними переходами, а при великих – за правилом Урбаха

Посилання

Maisonneuve V., Evain M., Payen C., Cajipe V.B., Molinie P. Room-temperature crystal structure of the layered CuIInIIIP2S6 // J.Alloys and Compounds. –1995. – Vol.218. – P. 157-164.

Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar CuInP2S6 // Phys. Rev. – 1997. – Vol.56. – №9. – P. 10860-10868.

Vysochanskii Yu., Beley L., Perechinskii S., Gurzan M.I., Molnar A.A., Mykajlo O., Tovt V., Stephanovich V. Phase transition and disordering effect in CuInP2S(Se)6 layered ferrielectrics // Ferroelectrics. – 2004. – Vol.298. – P. 361-366.

Studenyak I., Mitrovcii V., Kovacs Gy., Gurzan M., Mykajlo O., Vysochans-kii Yu., Cajipe V. Disordering effect on optical absorption processes in CuInP2S6 layered ferrielectrics // Phys. Stat. Sol. (b). – 2003. – V.236. – №3. – P. 678-686.

Біганич В.Ю., Куриця І.Ю., Шус-та В.С., Герзанич О.І. Край поглинання та фазова р,Т,-діаграма сегнет-електрика CuInP2(Se0,1S0,9)6 // Науковий вісник УжНУ. Сер.Фізика. – 2009. – №25. – С. 47-53.

Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 136, №3. – P. B864–B871.

Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – Vol. 140, №4. – P. A1133–A1138.

Ceperley D.M., Alder B.J. Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method // Phys.Rev.Lett. – 1980. – Vol. 45, № 7. – P. 566–569.

Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 356 с.

Герзанич О.І. Сегнетоелектрики групи A2IVB2VC6VI під впливом високого тис-ку. – Львів: Видавець Сорока Т.Б., 2008. – 124 с.

Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., Gar-cía A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, №11. – P. 2745–2779.

Artacho E., Anglada E., Dieguez O., Gale J.D., García A., Junquera J., Mar-tin R.M., Ordejón P., Pruneda J.M., Sánchez-Portal D. and Soler J.M. The SIESTA method; developments and applicability // J. Phys.: Condens. Matter 20, 064208 (2008).

Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, №7. – P. 3641–3662.

Troullier N. and Martins J.L. Efficient pseudopotentials for plane-wave calcula-tions // Phys. Rev. B. – 1991. – V. 43, №3. – P. 1993–2006.

Monkhorst H. J., Pack J. D. Special points for Brillouin-zone integrations // Phys. Rev. B. – 1976. – V. 13, № 12. – P. 5188-5192.

Urbach F. The long- wavelength edge of photographic and of the electronic absorption of solids // Phys.Rev. – 1953. – Vol.92. – P. 1324.

Mahr H. Ultraviolet absorption of KJDiluted in KCl crystals // Phys. Rev. – 1962. – V.125. – P. 1510-1516.

Mc Lean T.P. The absorption edge spectrum of semiconductors // Progressin semiconductors. – 1960. – V.50. – P. 53-102.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-07-04

Номер

Том 33 (2013)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).