ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА Sn<sub>2</sub>S<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.33.63-70Ключові слова:
Сесквісульфід олова, Електронна структура, Густина станів, Неподілена параАнотація
В рамках теорії функціонала густини розраховані зонна структура, спектри повної та локальних парціальних густин станів кристала Sn2S3; за результатами розрахунків зроблено детальний аналіз структури валентних станів. Встановлено, що Sn2S3 є непрямозонним напівпровідником з теоретично оціненою шириною забороненої зони Egi = 0.53 еВ. Теоретично розраховані енергетичні розподіли повної та S3p-парціальної густин станів зіставлені з відомими експериментальними рентгенівськими фотоелектронним (РФЕС) та емісійним (РЕС) спектрами. Одержано карти електронної густини в різних площинах, які характеризують кристал як іонно-ковалентний з переважною концентрацією заряду на зв’язках S–Sn в координаційних y-тетраедрах і октаедрах. Встановлена роль неподіленої електронної пари у формуванні атомної і електронної структур Sn2S3Посилання
Караханова М.И., Пашинкин А.С., Но-воселова А.В. Определение давления диссоциации твердых сульфидов олова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1967. – Т.3, №11. С. 1979–1983.
Moh G.H. The Tin-Sulfur system and related minerals // N. Jb. Miner. Abh. – 1969. – V.111, №3. – Р. 227–263.
Alpen U.V., Fenner J., Gmelin E. Semi-conductors of the type MeIIMeIVS3 // Mater. Res. Bull. – 1975. – V.10, № 3. – Р.175–180.
Chandrasekhar H.R., Mead D.G. Long-wavelength phonons in mixed-valence semiconductor SnIISnIVS3 // Phys. Rev. B. – 1979. – V.19, №2. – Р. 932–937.
Mead D.G., Chandrasekhar H.R. Far infrared optical properties of SnIISnIVS3 // Infrared Physics. – 1980. – V. 20, №4. – Р. 245–247.
Wiedemeier H., Csillag F.J. Decomposition and thermodynamic properties of Sn2S3 // Z. anorg. allg. Chem. – 1980. – Bd. 469, №10. – Р.197–206.
De La Rocque A.G., Belin-Ferré E., Fontaine M.F., Senemaud C., Olivier-Fourcade J., Jumas J. C. X-ray spectroscopy investigation of the electronic SnSx and Li0.57SnS2 compounds // Phil. Mag. B. – V.80, №11. – Р.1933–1942.
Lefebvre I., Lannoo M., Olivier-Fourcade J., Jumas J.C. Tin oxidation number and the electronic structure of SnS–In2S3–SnS2 systems // Phys.Rev. B. – V.44, № 3. – Р.1004–1011.
Mootz D., Puhl H. Die Kristallstruktur von Sn2S3 // Acta. Cryst. – 1967. – V.23, № 3. – Р.471–476.
Kniep R., Mootz D., Severin U., Wunder-lich H. Structure of tin(II) tin(IV) trisulfide, a redermination // Acta Cryst. B. – 1982. – V.38, №7. –Р. 2022––2023.
Robin M.B., Day P. Mixed Valence Chemistry-A Survey and Classification // Adv. Inorg. Chem. Radiochem. – 1968. – V.10. – P.247–422.
Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.-M., Sindic L., Verstraete G., Zerah G., Jol-let F., Torrent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., Allan D.C. First-principle computation of material proper-ties: the ABINIT software project // Comp. Mat. Sci. B. – 2002. – V. 25, № 3. – P. 478– 492.
Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., Garcia A., Junquera J., Ordejon P., Sanchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, №11. – P. 2745–2779.
Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. – V. 136, №3. – P. B864–B871.
Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – V.140, №4. – P. A1133–A1138.
Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, № 7. – P. 3641–3662.
Ceperley D.M., Alder B.J. Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method // Phys. Rev. Lett. – 1980. – V.45, №7. – P. 566–569.
Майзель А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. – Киев: Наукова думка, 1981. – 420 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).