Вплив гідростатичного тиску на анізотропію діелектричних властивостей кристалів КДР

Автор(и)

  • Г. М. Гуйван Ужгородський національний університет, Україна
  • П. М. Лукач Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2002.11.21-24

Ключові слова:

Анізотрапія, Тиск

Анотація

Проведено експериментальні дослідження впливу гідростатичного тиску на температурні залежності діелектричної проникності і тангенса кута діелектричних втрат кристалів КН2Р04 вздовж різких кристалографічних напрямків при частоті електричного поля 1 МГц. Визначено баричні коефіцієнти зміни енергії тунелювання  та параметра дипольної взаемадії dJlдр.

Посилання

М.Лайнс, А.Гласс, Сегнетоэлектрики и родственные им материалы, Мир, Москва, (1981) 375с.

G.A.Samara, Ferroelectrics. 71, 161 (1987).

Е.И.Герзанич, А.П.Бутурлакин, Д.В. Чепур, В.Э.Юркевич, Б.Н.Ролов, Изд. Латв. у-та им.П.Стучки, Рига, В сб. Размытые фазовые переходы, 238, 142 (1975).

Г.А.Смоленский, В.А.Боков, В.А. Ису- пов, Н.Н.Крайников, Р.Е.Пасынков, М.С.Шур, Сегнетоэлектрики и антисе- гнетоэлектрики, Наука, Ленинград, (1971) 4б2с.

E.R.Lippincott, R.Schroeder, Journ.

Chem. Phys. 23, 1099 (1955).

##submission.downloads##

Номер

Розділ

Статті