МОДЕЛЮВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНИХ СТАНІВ НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВІ β-InSe/In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.36.7-12Ключові слова:
Гетероструктура, Надгратка, Метод ефективної маси, Обвідна функція, Селеніди індію, Теорія пружностіАнотація
В рамках методу ефективної маси, розраховано енергію мінізон надграток (β-InSe)n/(In4Se3)m з різними співвідношеннями товщин шарів n/m. Проведено теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій εij, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Проаналізовано вплив деформації на зміну величини енергії носіїв заряду в цих гетероструктурах.
Посилання
Sznajder M., Rushchanskii K.Z., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M. Similarities of the band structure of In4Se3 and InSe under pressure and peculiarities of the creation of the band gap // Phys. Stat. Sol. B. - 2006. - Vol. 243. №3 - P. 592-609.
Симашкевич А. В., Гашин П. А. Гетеропереходы на основе халькогенидных полупроводников // Неорган. мат-лы. - 1989. - Т.25, №11. - С. 1890-1894.
Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields // Phys. Rev. - 1955. - V. 97, №4. - P. 869-883.
Ando T., Wakahara S., Akera H. Connection of envelope functions at semiconductor heterointerfaces. I. interface matrix calculated in simplest models // Phys. Rev. B. - 1989. - V. 40, №17. - P. 11609-11618.
Ivchenko E.L., Pikus G. Superlattices and optical phenomena, (Springer Verlag, Berlin, 1995).
Man L.I., Imamov R.M. and Semiletov S.A. Crystal structure of thallium telluride Tl5Te3. Kristallografia.—1979. - V.21, № 3. - P.628.
Camassel J., Merle P., Mathieu H. Photovoltac efficiency of InSe solar cells // Phys. Rev. B.—1978. - №17. - P. 4718.
Bercha D.M., Borets A.N., Stakhyra I.M., Towstyuk K.D. The Band Edge and Energy Spectrum of In2Se // Phys. Stat. Sol. -1967. - V. 21. - P.769.
Дверій О.Р., Галій П.В., Ненчук Т.М., Лозовий Я. Б. Структура та УФЕС- спектри поверхонь сколювання (100) шаруватого напівпровідникового кристалу In4Se3 під дією іонізуючого
опромінення та експозиційного фактора // Конференція молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання - 2008». - Київ, 2008. - С. 22.
Бакуменко В., Ковалюк З., Тишин Е., Чишко В. Влияние “старения” поверхности моноселенидов галлия и индия на работу выхода и фотоэлектрические свойства // Физ. электроника. - 1979. - №19. - С. 123-126.
Abdullaev, G.B., Tagirov, V.I., Kyazym- Zade A.G., Panakhov M.M., Guliev A.O., Salmanov V.M. Indium selenide (InSe) effective masses, polaron coupling constant and related parameters // Fiz. Tekh. Poluprovodn. 14 (1980) 2228; Sov. Phys. Semicond. (English Transl.) 14 (1980) 1320.
Jong-Soo Rhyee, Eunseog Cho, Kyu Hyoung Lee, Sang Mock Lee, Sang Il Kim, Hyun-Sik Kim, Yong Seung Kwon, and Sung Jin Kim. Thermoelectric properties and anisotropic electronic band structure on the In4Se3-x compounds // Materials Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Yong-In 446-712, Republic of Korea.
Курячий В. Я., Богачев В. Ю., Михаль-ченко В. П., Стахира И. М. Упругие свойства In4Se3 // Изв. АН СССР. Неорган. мат-лы. - 1986. - Т.22, №5. - С.855 - 856.
Беленький Г. Л., Салаев Э. Ю., Сулейманов Р. А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. - 1988. - Т. 155, №1. - С. 89-127.
Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З., Огородник А.Д. Гетероструктуры на основе селенидов индия // Неорган. мат-лы. - 1996. - Т.32, №8. - С. 937-940.
Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Огородник А. Д. Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм // ФТП. - 1994. - Т.28, №12. - С. 2096-2098.
Берча Д.М., Рущанський К.З., Хархаліс Л.Ю. Спорідненість структур і динаміка гратки кристалів InSe та In4Se3 // Перша українська школа- семінар з фізики сегнетоелектриків та
Стаття надійшла до редакції 18.11.2013 споріднених матеріалів. - Львів. - 1999. - С. 36.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Теория упругости. - М.: Наука, 1965. - T.7.
Голдсмит Г. Дж. Задачи по физике твердого тела. - М.: Наука, 1976. - С. 27.
Берча Д.М., Митин О.Б, Раренко И.М. Хархалис Л.Ю., Берча А.И. Зонная структура ромбических кристаллов CdSb, ZnSb и In4Se3 при деформациях и моделирование сверхрешеток // ФТП. - 1994. - Т.28, №7. - С. 1249-1256.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).