MODELING OF THE ENERGY STATES OF STRAINED HETEROSTRUCTURES BASED ON β-InSe/In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.36.7-12Keywords:
Heterostructure, Superlattices, The effective mass approximation, Envelope function, Indium selenide, The theory of elasticityAbstract
Within the effective mass approximation minibands energies of the (β-InSe)n/(In4Se3)m superlattices with different ratios of thickness of layers n/m have been calculated. The theoretical calculation of the components of the strain tensor εij, which corresponds to the equilibrium state of the heterojunction have been conducted. The influence of deformation on the charge carriers’ energy in these heterostructures
was analyzed.
References
Sznajder M., Rushchanskii K.Z., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M. Similarities of the band structure of In4Se3 and InSe under pressure and peculiarities of the creation of the band gap // Phys. Stat. Sol. B. - 2006. - Vol. 243. №3 - P. 592-609.
Симашкевич А. В., Гашин П. А. Гетеропереходы на основе халькогенидных полупроводников // Неорган. мат-лы. - 1989. - Т.25, №11. - С. 1890-1894.
Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields // Phys. Rev. - 1955. - V. 97, №4. - P. 869-883.
Ando T., Wakahara S., Akera H. Connection of envelope functions at semiconductor heterointerfaces. I. interface matrix calculated in simplest models // Phys. Rev. B. - 1989. - V. 40, №17. - P. 11609-11618.
Ivchenko E.L., Pikus G. Superlattices and optical phenomena, (Springer Verlag, Berlin, 1995).
Man L.I., Imamov R.M. and Semiletov S.A. Crystal structure of thallium telluride Tl5Te3. Kristallografia.—1979. - V.21, № 3. - P.628.
Camassel J., Merle P., Mathieu H. Photovoltac efficiency of InSe solar cells // Phys. Rev. B.—1978. - №17. - P. 4718.
Bercha D.M., Borets A.N., Stakhyra I.M., Towstyuk K.D. The Band Edge and Energy Spectrum of In2Se // Phys. Stat. Sol. -1967. - V. 21. - P.769.
Дверій О.Р., Галій П.В., Ненчук Т.М., Лозовий Я. Б. Структура та УФЕС- спектри поверхонь сколювання (100) шаруватого напівпровідникового кристалу In4Se3 під дією іонізуючого
опромінення та експозиційного фактора // Конференція молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання - 2008». - Київ, 2008. - С. 22.
Бакуменко В., Ковалюк З., Тишин Е., Чишко В. Влияние “старения” поверхности моноселенидов галлия и индия на работу выхода и фотоэлектрические свойства // Физ. электроника. - 1979. - №19. - С. 123-126.
Abdullaev, G.B., Tagirov, V.I., Kyazym- Zade A.G., Panakhov M.M., Guliev A.O., Salmanov V.M. Indium selenide (InSe) effective masses, polaron coupling constant and related parameters // Fiz. Tekh. Poluprovodn. 14 (1980) 2228; Sov. Phys. Semicond. (English Transl.) 14 (1980) 1320.
Jong-Soo Rhyee, Eunseog Cho, Kyu Hyoung Lee, Sang Mock Lee, Sang Il Kim, Hyun-Sik Kim, Yong Seung Kwon, and Sung Jin Kim. Thermoelectric properties and anisotropic electronic band structure on the In4Se3-x compounds // Materials Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Yong-In 446-712, Republic of Korea.
Курячий В. Я., Богачев В. Ю., Михаль-ченко В. П., Стахира И. М. Упругие свойства In4Se3 // Изв. АН СССР. Неорган. мат-лы. - 1986. - Т.22, №5. - С.855 - 856.
Беленький Г. Л., Салаев Э. Ю., Сулейманов Р. А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. - 1988. - Т. 155, №1. - С. 89-127.
Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З., Огородник А.Д. Гетероструктуры на основе селенидов индия // Неорган. мат-лы. - 1996. - Т.32, №8. - С. 937-940.
Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Огородник А. Д. Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм // ФТП. - 1994. - Т.28, №12. - С. 2096-2098.
Берча Д.М., Рущанський К.З., Хархаліс Л.Ю. Спорідненість структур і динаміка гратки кристалів InSe та In4Se3 // Перша українська школа- семінар з фізики сегнетоелектриків та
Стаття надійшла до редакції 18.11.2013 споріднених матеріалів. - Львів. - 1999. - С. 36.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Теория упругости. - М.: Наука, 1965. - T.7.
Голдсмит Г. Дж. Задачи по физике твердого тела. - М.: Наука, 1976. - С. 27.
Берча Д.М., Митин О.Б, Раренко И.М. Хархалис Л.Ю., Берча А.И. Зонная структура ромбических кристаллов CdSb, ZnSb и In4Se3 при деформациях и моделирование сверхрешеток // ФТП. - 1994. - Т.28, №7. - С. 1249-1256.
Downloads
Published
Issue
Section
License
Copyright (c) 2014 Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).