ВПЛИВ НЕКОНТРОЛЬОВАНИХ ДОМІШОК У САПФІРОВІЙ ПІДКЛАДЦІ НА СПЕКТРИ ВИПРОМІНЮВАННЯ СВІТЛОДІОДІВ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaN/AlGaN/GaN

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Д. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Р. Лукянчук Ужгородський національний університет, Україна
  • В. О. Стефанович Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2002.11.29-37

Ключові слова:

Сапфір, Фотодіод, Випромінювання

Анотація

Досліджені спектри люмінесценції блакитних та зелених світлодіодів на основі гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN з багатьма квантовими ямами у діа­пазоні струмів 1=0,10*10 мА. У спектрах люмінесценції блакитних світло­діодів крім основної смуги з максимумом Хмах= 462-480 нм виявлено слабку смугу при А.мах= 694 нм, природа якої зв’язана з перевипромінюванням неконтрольованих домішок Сг3+, що містяться в сапфіровій підкладці.

Посилання

Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Гарбу¬зов Д.В., Давьшюк Н.Ю., Чнчуа Д.Т, Высокоэффективные “красные” свето¬диоды на основе многопереходных гетероструктур. - Письма в ЖТФ, 1978, Т.4. № 5. С.241-245

Коган Л.М. Полупроводниковые све¬тоизлучающие диоды. - М.: Энергоатомиздат, 1983. 208 с.

Дмитриев В .А., Иванов П.А., Морозенко Я,В., Попов И.В., Челноков В.Е, Карбидкремниевые светодиоды с из-лучением в сине-фиолетовой области спектра. - Письма в ЖТФ, 1985, Т, 11. № 4. С. 246-248.

Nakamura S. Introduction to nitride semi-conductor blue lasers and light emitting diodes. - Taylor Francis. London. 2000, Мамугин В.В., Черкашин Н.А., Век¬шин В.А., Жмерик В.Н., Иванов С.В. Просвечивающая электронная микро-скопия колончатых наноструктур GaN, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. - ФТТ. 2001. Т. 43. №1. С. 146-151.

Nakamura S., Senoh М., Iwasa N., На- gahama S., Yamada T., Mukai T. - Japan Appl. Phys. 1995. V. 34. Pt. 2. P. L1332.

Кудряшов B.E., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Ма- няхин Ф.И. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN - зависимость от тока и на¬пряжения. - ФТП. 2001. Т. 35. № 7. С. 861-867.

Кудряшов В.Е., Золин К.Г., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. - ФТП. 1997. Т. 31. № 11. С. 1304-1309.

Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Взаимосвязь изменения распределения концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных гетеро-структур InGaN/AlGaN/GaN при дли-тельном протекании прямого тока. - Материалы электронной техники. 1988. № 3. С. 60-64.

Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Машков A.I., Пекар Я.М. Механічна обробка кристалів сапфіра та виготовлення підкладок із них. - Нау-ковий вісник Ужгородського універси-тету. Серія Фізика. 2000. № 7. С. 161-173.

Свиридов Д.Т., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. - М.: Наука. 1976. С. 146.

##submission.downloads##

Опубліковано

2002-06-30

Номер

Том 11 (2002)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).