ОСОБЛИВОСТІ КОМПОЗИЦІЙНОГО РОЗУПОРЯДКУВАННЯ В КРИСТАЛАХ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Cu<sub>7</sub>(Ge<sub>1-x</sub>Si<sub>x</sub>)S<sub>5</sub>I

Автор(и)

  • А. В. Бендак Ужгородський національний університет, Україна
  • О. О. Ямковий Ужгородський національний університет, Україна
  • В. В. Біланчук Ужгородський національний університет, Україна
  • І. П. Студеняк Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.36.37-40

Ключові слова:

Тверді розчини, Край поглинання, Оптична псевдощілина, Урбахівська енергія

Анотація

В роботі наведено результати експериментальних досліджень спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів Cu7(Ge1-xSix)S5I.  Вивчено концентраційну поведінку урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. При катіонному заміщенні Ge→Si в кристалах Cu7(Ge1-xSix)S5I виявлено нелінійне збільшення ширини оптичної псевдощілини. Визначено внески температурного, структурного та композиційного розупорядкування в урбахівську енергію

 

Посилання

Kuhs W.F., Nitsche R., Scheunemann K. The argyrodites – a new family of the tetrahedrally close-packed srtuctures // Mater. Res. Bull. – 1979. – Vol. 14. – P. 241–248.

Dziaugys A., Banys J., Kezionis A., Samulionis V., Studenyak I. Conductivity investigations of Cu7GeS5I family fast-ion conductors // Solid State Ionics. – 2008. – Vol. 179. – P. 168–171.

Studenyak I.P., Kokhan O.P., Kranjčec M., Hrechyn M.I., Panko V.V. Crystal growth and phase interaction studies in Cu7GeS5I–Cu7SiS5I superionic system // J. Cryst. Growth. – 2007. – Vol. 306. – P. 326–329.

Studenyak I.P., Kranjčec M., Kovacs Gy.Sh., Panko V.V., Desnica D.I., Slivka A.G., Guranich P.P. The effect

of temperature and pressure on the optical absorption edge in Cu6PS5X (X=Cl, Br, I) crystals // J. Phys. Chem. Solids – 1999. – Vol. 60. – P. 1897– 1904.

Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and electronic absorption of solids // Phys. Rev. – 1953. – Vol. 92. – P. 1324–1326.

Beaudoin M., DeVries A.J.G., Johnson S.R., Laman H., Tiedje T. Optical absorption edge of semi-insulating GaAs and InP at high temperatures // Appl. Phys. Lett. – 1997. – Vol.70. – P.3540-3542.

Yang Z., Homewood K.P., Finney M.S., Harry M.A., Reeson K.J. Optical absorption study of ion beam synthesized polycrystalline semiconducting FeSi2// J. Appl. Phys. – 1995. – Vol.78, №3. – P.1958–1963.

Tinoco T., Quintero M., Rincon C. Variation of the energy gap with composition in AIBIIIC2VI chalcopyrite structure alloys // Phys. Rev. B. – 1991. – Vol.44, №4. – P. 1613-1615.

Skumanich A., Frova A., Amer N.M. Urbach tail and gap states in hydrogenated a-SiC and a-SiGe alloys // Solid State Commun. – 1985. – Vol.54, №7. – P. 597–601.

Desnica D.I, Kranjcec M., Сelustka B. Optical absorption edge and Urbach′s rule in mixed single crystals of (GaxIn1-x)2Se3 in the indium-rich region // J. Phys. Chem. Solids. – 1991. – Vol.52, №8. – P.915–920.

Shioda T., Chichibu S., Nakanishi H., Kariya T. Influence of nonstoichiometry on the Urbach’s tails of absorption spectra for CuInSe2 single crystals // J. Appl. Phys. – 1996. – Vol.80, №2. – P.1106–1111.

Johnson S.R., Tiedje T. Temperature dependence of the Urbach edge in GaAs // J. Appl. Phys. – 1995. – Vol.78, №9. – P.5609–5613.

Zammit U., Madhusoodanan K.N., Scudieri F., Mercuri F., Wendler E., Wesch W. Optical-absorption study of structural relaxation of ion-implanted a-Si // Phys. Rev. B. – 1994. – Vol.49, №3. – P.2163–2166.

Studenyak I.P., Kranjcec M., Kovacs Gy.Sh., Desnica I.D., Panko V.V., Slivka V.Yu. Influence of compositional disorder on optical absorption processes in Cu6P(S1-xSex)5I crystals // Journal of Materials Research. – 2001. – Vol.16, №6. – P.1600–1608.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-23

Номер

Том 36 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).