The domain wall contribution to dielectric susceptibility of the semiconducting - ferroelectric's crystals SbSJ and Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.50-57Abstract
The domain wall contribution to the dielectric susceptibility of SbSJ and Sn2P2S6 single crystals have been investigated. The model of domain wall motion in the potential field created by defects and crystall lattice is considered. It is shown, that the motion is the relaxation one. It is concluded, that the anomaly of dielectric properties of SbSJ and Sn2P2S6 single crystals in ferroelectric phase appear due to "freezing" of domain wall oscillations.
References
Itoh К., Mitsui T. Anomalies of dielektric coustants of Triglicine sulphate at low temperatures.- J Phys. Soc. Japan, 1967. V.23, N2. P.334-337.
Петров B.M., Коган О.И. Релаксация доменных стенок в триглицинсульфате.- Кристаллография, 1970. Т.15, в.5. С. 1018-1021.
Choe А.М., Jucly I.H., Van Der Ziel. Domain wall dynamics and small -signal permitivity of TgS.- Ferroelectrics, 1978. V.17, N3-4. P.521-531.
Шилышков A.B., Попов E.C., Рапопорт C.A. О различных механизмах движения доменных границ в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точки Кюри.- Кристаллография, 1969 Т.14, в.6. С.1028-1032.
Турик А.В., Бондаренко Е.И. Доменный вклад в диэлектрическую проницаемость ссгнетоэлектриков.- Физ.тв.тсла, 1974. Т.16, в.4. С.1240-1242.
Barkla Н.М., Finlayson D.M. The properties of KH2PO4 below the Curie point.- Phyl. Mag., 1953 V.44, N349, ser.7. P. 109-130.
Перевезева Л.П., Поплавко Ю.М., Петров B.M., Макаревская Е.В. Рез И.С. Дисперсии диэлектрической проницаемости в кристаллах КН2РО4.- Кристаллография, 1969. Т.14, в.6. С. 1028-1032.
Малек 3., Шувалов Л.А., Фиала И., Штрайблова Я. Об аномальном поведение диэлектрической проницаемости кристаллов в RbDP ниже точки Кюри.- Кристаллография, 1968. Т.13 в.5. С.825-830.
Федосов В.Н., Сидоркин А.С. Влияние двумерного упорядочения на подвижность доменных границ.- Физ.тв.тсла, 1977. Т.19, в.8. С. 1322-1326.
Федосов В.Н., Камышников Г.Р. Температурная зависимость параметров доменной границь в модели Изинга.- Физ.тв.тела, 1978. Т.20, в.9. С.2828-2829.
Наконечный Ю.С., Горват А.А., Ляховицкая В.А., Задорожная Л.А., Чепур Д.В Исследование низкотемпературных диэлектрических аномалий и доменной структуры SbSJ. Кристаллография, 1978. Т.24, в.4. С.793-797.
Vysochansky Yu.M., Major М.М., Perechinsky S.I., Tikhomirova N.A. Domain structure 01 ferroelectric-semiconductor Sn2P2S6- Inter national symposium on domain structure of ferroelectrics anc related materials. September, 1989. Volgograd. P.58.
Hamano K., Shinmi T. Electrostriction, piezoelectricity and elasticity in ferroelectric SbSJ. J.Phys.Soc. Japan, 1972. V.33.N1. P.118-124.
Иванчик И.И. К макроскопической теории сегнетоелсктриков.- Физ.тв.тела, 1961. В.З, N12 С.3731-3742.
Шильников А.В., Попов Е.С., Шувалов Л.А., Донцова Л.И., Савин А.М., Константинов£ В.П. О некоторых особенностях доменного вклада в диэлектрические свойства монокристаллов ТГС инфранизких и низких частотах.- В сб.: Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград, 1978. С.7 18.
Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков.- Киев: Вища школа, 1980.- С.308.
Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь, 1989.- С.288.
Высочанский Ю.М., Гурзан М.И., Майор М.М., Рогач Е.Д., Савенко Ф.И., Сливка В.Ю Пьезоэлектрические свойства монокристаллов Sn2 Р2 S6- - Кристаллография, 1989. Т.28, в.4. С.870-872.
Downloads
Published
Issue
Section
License
Copyright (c) 1997 Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
