Вклад динаміки доменних границь в діелектричну проникність кристалів сегнетоелектриків - напівпровідників SbSJ та Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • А. А. Горват Ужгородський національний університет, Україна
  • О. О. Молнар Ужгородський національний університет, Україна
  • Ю. С. Наконечний Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.50-57

Анотація

Досліджено внесок доменних меж в комплексну діелектричну проникність монокристалів SbSJ і Sn2P2S6. Розглянуто модель руху доменної стінки в потенційному полі створеному кристалічною решіткою і дефектами кристала; показано, що її рух носить релаксаційний характер. На основі отриманих результатів зроблено висновок про те, що аномалії діелектричних властивостей кристалів SbSJ і Sn2P2S6 сегнетоелектричної фази обумовлені "заморожуванням" осциляцій доменних меж.

Посилання

Itoh К., Mitsui T. Anomalies of dielektric coustants of Triglicine sulphate at low temperatures.- J Phys. Soc. Japan, 1967. V.23, N2. P.334-337.

Петров B.M., Коган О.И. Релаксация доменных стенок в триглицинсульфате.- Кристаллография, 1970. Т.15, в.5. С. 1018-1021.

Choe А.М., Jucly I.H., Van Der Ziel. Domain wall dynamics and small -signal permitivity of TgS.- Ferroelectrics, 1978. V.17, N3-4. P.521-531.

Шилышков A.B., Попов E.C., Рапопорт C.A. О различных механизмах движения доменных границ в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точки Кюри.- Кристаллография, 1969 Т.14, в.6. С.1028-1032.

Турик А.В., Бондаренко Е.И. Доменный вклад в диэлектрическую проницаемость ссгнетоэлектриков.- Физ.тв.тсла, 1974. Т.16, в.4. С.1240-1242.

Barkla Н.М., Finlayson D.M. The properties of KH2PO4 below the Curie point.- Phyl. Mag., 1953 V.44, N349, ser.7. P. 109-130.

Перевезева Л.П., Поплавко Ю.М., Петров B.M., Макаревская Е.В. Рез И.С. Дисперсии диэлектрической проницаемости в кристаллах КН2РО4.- Кристаллография, 1969. Т.14, в.6. С. 1028-1032.

Малек 3., Шувалов Л.А., Фиала И., Штрайблова Я. Об аномальном поведение диэлектрической проницаемости кристаллов в RbDP ниже точки Кюри.- Кристаллография, 1968. Т.13 в.5. С.825-830.

Федосов В.Н., Сидоркин А.С. Влияние двумерного упорядочения на подвижность доменных границ.- Физ.тв.тсла, 1977. Т.19, в.8. С. 1322-1326.

Федосов В.Н., Камышников Г.Р. Температурная зависимость параметров доменной границь в модели Изинга.- Физ.тв.тела, 1978. Т.20, в.9. С.2828-2829.

Наконечный Ю.С., Горват А.А., Ляховицкая В.А., Задорожная Л.А., Чепур Д.В Исследование низкотемпературных диэлектрических аномалий и доменной структуры SbSJ. Кристаллография, 1978. Т.24, в.4. С.793-797.

Vysochansky Yu.M., Major М.М., Perechinsky S.I., Tikhomirova N.A. Domain structure 01 ferroelectric-semiconductor Sn2P2S6- Inter national symposium on domain structure of ferroelectrics anc related materials. September, 1989. Volgograd. P.58.

Hamano K., Shinmi T. Electrostriction, piezoelectricity and elasticity in ferroelectric SbSJ. J.Phys.Soc. Japan, 1972. V.33.N1. P.118-124.

Иванчик И.И. К макроскопической теории сегнетоелсктриков.- Физ.тв.тела, 1961. В.З, N12 С.3731-3742.

Шильников А.В., Попов Е.С., Шувалов Л.А., Донцова Л.И., Савин А.М., Константинов£ В.П. О некоторых особенностях доменного вклада в диэлектрические свойства монокристаллов ТГС инфранизких и низких частотах.- В сб.: Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград, 1978. С.7 18.

Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков.- Киев: Вища школа, 1980.- С.308.

Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь, 1989.- С.288.

Высочанский Ю.М., Гурзан М.И., Майор М.М., Рогач Е.Д., Савенко Ф.И., Сливка В.Ю Пьезоэлектрические свойства монокристаллов Sn2 Р2 S6- - Кристаллография, 1989. Т.28, в.4. С.870-872.

##submission.downloads##

Опубліковано

1997-12-31

Номер

Том 1 (1997)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 1997 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).