Experimental and theoretical studies of the polarization of single crystals Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.62-67Abstract
The process of Sn2P2S6 monocrystals over polarization in air atmosphere and in dipole molecules vapour has been unvestigated. Domain division on coercitive fields and strong influence of adsorption on switching charge was established. The observed effects the authors explained in terms of model of segnetoelectric-semicanductor, developed earlier by them. For overpolarization current signal shape to be theoretically described the antiparallel domain embrio growth was introduced.References
Мерц В. Образование домена и движение доменной стенки в сегнетоэлектрическом монокристалле //Физика диэлектриков. М.: изд-во АН СССР, 1960, с.286-289.
Синяков Е.В., Дуда В.М., Дудник Е.Ф., Якутии С.И. Прямое наблюдение 180° доменов в титанате бария с помощью поляризационного микроскопа //ФТТ, 1971, т.ІЗ, вып.9, с.2558-2561.
English F.L. Domain nucleation on the surface of ВаТіОз //J.Appl. Phys., 1968, v.39, N5, p.2302-
Фридкин B.M. //Сегнетоэлектрики-полупроводники.- M.: Наука, 1976. C7408.; //Фотосегнетоэлектрики.- M.: Наука, 1979.- С.264.
Крапивин В.Ф., Ченский Е.В. Токи, ограниченные пространственным зарядом в системе металл-сегнетоэлектрик-металл //ФТТ, 1970, т. 12, выл.2, с.579-604.
Selyuk B.V. Charged domain boudaries in ferroelectric crystals. //Ferroelectrics, 1973, v.6, N1-2, p.37- 40.
Селюк Б.В. Влияние компенсирующих зарядов на с-доменную структуру сегнетоэлектриков. //Изд. Ростов, ун-та, 1978.-С775-80.
Grekov А.А., Korchagina N.A., Protsenko N.P. at el. Ralaxation of domain stucture in ferroelectric semiconductors//Ferroelectrics. 1978, v.18, N1-3, p.169-173.
Дятлов B.A., Дуда BrM., Синяков Е.В. Влияние освещения на доменную структуру и процессы поляризации монокристаллов ВаТЮз //Изв. АН СССР, сер.физ. 1975, т.39, N4, с.875-879.
Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников /М.: Наука, 1971.-
С.480.
Ицковский М.А., Строкач А.А. Экранирование спонтанной поляризации в полидоменных сегнетоэлектриках //УФЖ, 1979, т.24, N8, с. 1134-1141.
Вул Б.М., Гуро Г.М., Иванчик И.И. Эффект поля в контакте полупроводника и с-доменного сегнетозлектпика /ФТП,- 1970. т.4, вып. 1. с. 162-166.
Хотченков А .Г. Влияние зарядов на образование зародышей и переполяризацию сегнетоэлектриков //ФТТ.- 1978, т.20, вып.8, с.2290-2292, 2513-2514.
Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю. Влияние паров полярных жидкостей на диэлектрические свойства монокристаллов титаната бария с некоторыми добавками/ФТТ.- 1965, т.7, вып.9, с.2845-2846.
Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю. Зависимость поляризации монокристаллов ВаТЮз-Та205 от влажности окружающей атмосферы //ФТТ.- 1966, т.8, вып.6, с. 1702-1707.
Toyda Н., Itakura М. The surface on the electrical properties of ВаТЮз singl crystals //J.Phys.Soc.Japan.- 1962, v.17, N6, p.924-93 J.
Беца В.В., Попик Ю.В. Влияние электронного состояния поверхности на процессы переполяризации в сегнетоэлектрике-полупроводнике SbSJ //ФТТ.-1977, т.19, вып.1, с.278-280.
Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Электронное состояние поверхности и процессы переполяризвции монокристаллов титаната бария //Физическая электроника: Респ.межвеа.науч.-тех.сб.- Львов: Вища школа, 1981.- Вып.23.- С.69-75.
Stadler H.L., Zachmanidis P.J. Nicleation and growth of ferroelectric domains in ВаТЮз at field from 2 to 450 kV/sm//J.Appl.Phys.- v.34, Nil,p.3235-3260.
Stadler H.L. Thickness dependence of ВаТЮз switchins time //J.Appl.Phys. 1962, v.33, N12, p.3487-3490.
Fatuzzo E. Theoretical consideration on the swithing transient in ferroelectrics //Phys.Rev.- 1962, v.127, N6, p.1999-2005.
Gonzales-ibeas G. A theoretical interpretation of the contoour and symmerty of switching transients in ferroelectric crystals //J.Appl.Phys.-1967, v.38, N12, p.5141-5148.
Husimi K. Phenomenological theory of ferroelectric polarization reversal //J.Phys.Soc.Japan.- 1970, v.28, Suppl, p.337-339.
Ishibashi Y., Takagi Y. Note on ferroelectric domain switching //J.Phys. Soc.Japan.- 1971, v.31, N2,
р.506-510.
Carpenticr C.D., Nitshe R. Ferroelectricity in S112P2S6 //Mat. Res.Bull. 1974, v.8, N8, p. 1097-1 100.
Ритус А.И., Росслик H.C., Высочанский Ю.М., Грабар А.А., Сливка В.Ю. Манделыитам- Бриллюэновское рассеяние света в кристалле Sn2P2S6 при фазовом переходе //ФТТ.- 1985, т.27, N 7,
с.2005-2008.
Latham R.V. The low-field ferroelectric switching behaviour of barium titanate //Brit.J.Appl.Phys.- 1967, v.18, N10, p.1383-1388.
Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Влияние адсорбции на величину поляризации сегнетоэлектриков //Поверхность: физика, химия, механика.- 1989, N9, с.33-41.
Перечинский С.И. Проявление флуктуационных эффектов и неравновесности сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой Sn2P2(SexSi_x)6 //Автореф.дисс... канд.ф.- м.н.- Ужгород, 1991.
Downloads
Published
Issue
Section
License
Copyright (c) 1997 Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
