Експериментальні та теоретичні дослідження переполяризації монокристалів Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.62-67Анотація
Досліджено в атмосфері повітря і в парах дипольних молекул процес переполяризації монокристалів Sn2P2S6 в слабких і сильний вплив на перемикаючий заряд адсорбції, пояснення чому дано в рамках раніше розвиненою авторами моделі сегнетоелектрика-напівпровідника. Для теоретичного опису форми імпульсу струму переполярізаціі при адсорбції дипольних молекул в рамках моделі Мерца-Фатузо введена ймовірність проростання виникненого зародка антипаралельного домену.
Посилання
Мерц В. Образование домена и движение доменной стенки в сегнетоэлектрическом монокристалле //Физика диэлектриков. М.: изд-во АН СССР, 1960, с.286-289.
Синяков Е.В., Дуда В.М., Дудник Е.Ф., Якутии С.И. Прямое наблюдение 180° доменов в титанате бария с помощью поляризационного микроскопа //ФТТ, 1971, т.ІЗ, вып.9, с.2558-2561.
English F.L. Domain nucleation on the surface of ВаТіОз //J.Appl. Phys., 1968, v.39, N5, p.2302-
Фридкин B.M. //Сегнетоэлектрики-полупроводники.- M.: Наука, 1976. C7408.; //Фотосегнетоэлектрики.- M.: Наука, 1979.- С.264.
Крапивин В.Ф., Ченский Е.В. Токи, ограниченные пространственным зарядом в системе металл-сегнетоэлектрик-металл //ФТТ, 1970, т. 12, выл.2, с.579-604.
Selyuk B.V. Charged domain boudaries in ferroelectric crystals. //Ferroelectrics, 1973, v.6, N1-2, p.37- 40.
Селюк Б.В. Влияние компенсирующих зарядов на с-доменную структуру сегнетоэлектриков. //Изд. Ростов, ун-та, 1978.-С775-80.
Grekov А.А., Korchagina N.A., Protsenko N.P. at el. Ralaxation of domain stucture in ferroelectric semiconductors//Ferroelectrics. 1978, v.18, N1-3, p.169-173.
Дятлов B.A., Дуда BrM., Синяков Е.В. Влияние освещения на доменную структуру и процессы поляризации монокристаллов ВаТЮз //Изв. АН СССР, сер.физ. 1975, т.39, N4, с.875-879.
Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников /М.: Наука, 1971.-
С.480.
Ицковский М.А., Строкач А.А. Экранирование спонтанной поляризации в полидоменных сегнетоэлектриках //УФЖ, 1979, т.24, N8, с. 1134-1141.
Вул Б.М., Гуро Г.М., Иванчик И.И. Эффект поля в контакте полупроводника и с-доменного сегнетозлектпика /ФТП,- 1970. т.4, вып. 1. с. 162-166.
Хотченков А .Г. Влияние зарядов на образование зародышей и переполяризацию сегнетоэлектриков //ФТТ.- 1978, т.20, вып.8, с.2290-2292, 2513-2514.
Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю. Влияние паров полярных жидкостей на диэлектрические свойства монокристаллов титаната бария с некоторыми добавками/ФТТ.- 1965, т.7, вып.9, с.2845-2846.
Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю. Зависимость поляризации монокристаллов ВаТЮз-Та205 от влажности окружающей атмосферы //ФТТ.- 1966, т.8, вып.6, с. 1702-1707.
Toyda Н., Itakura М. The surface on the electrical properties of ВаТЮз singl crystals //J.Phys.Soc.Japan.- 1962, v.17, N6, p.924-93 J.
Беца В.В., Попик Ю.В. Влияние электронного состояния поверхности на процессы переполяризации в сегнетоэлектрике-полупроводнике SbSJ //ФТТ.-1977, т.19, вып.1, с.278-280.
Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Электронное состояние поверхности и процессы переполяризвции монокристаллов титаната бария //Физическая электроника: Респ.межвеа.науч.-тех.сб.- Львов: Вища школа, 1981.- Вып.23.- С.69-75.
Stadler H.L., Zachmanidis P.J. Nicleation and growth of ferroelectric domains in ВаТЮз at field from 2 to 450 kV/sm//J.Appl.Phys.- v.34, Nil,p.3235-3260.
Stadler H.L. Thickness dependence of ВаТЮз switchins time //J.Appl.Phys. 1962, v.33, N12, p.3487-3490.
Fatuzzo E. Theoretical consideration on the swithing transient in ferroelectrics //Phys.Rev.- 1962, v.127, N6, p.1999-2005.
Gonzales-ibeas G. A theoretical interpretation of the contoour and symmerty of switching transients in ferroelectric crystals //J.Appl.Phys.-1967, v.38, N12, p.5141-5148.
Husimi K. Phenomenological theory of ferroelectric polarization reversal //J.Phys.Soc.Japan.- 1970, v.28, Suppl, p.337-339.
Ishibashi Y., Takagi Y. Note on ferroelectric domain switching //J.Phys. Soc.Japan.- 1971, v.31, N2,
р.506-510.
Carpenticr C.D., Nitshe R. Ferroelectricity in S112P2S6 //Mat. Res.Bull. 1974, v.8, N8, p. 1097-1 100.
Ритус А.И., Росслик H.C., Высочанский Ю.М., Грабар А.А., Сливка В.Ю. Манделыитам- Бриллюэновское рассеяние света в кристалле Sn2P2S6 при фазовом переходе //ФТТ.- 1985, т.27, N 7,
с.2005-2008.
Latham R.V. The low-field ferroelectric switching behaviour of barium titanate //Brit.J.Appl.Phys.- 1967, v.18, N10, p.1383-1388.
Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Влияние адсорбции на величину поляризации сегнетоэлектриков //Поверхность: физика, химия, механика.- 1989, N9, с.33-41.
Перечинский С.И. Проявление флуктуационных эффектов и неравновесности сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой Sn2P2(SexSi_x)6 //Автореф.дисс... канд.ф.- м.н.- Ужгород, 1991.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 1997 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
