Features of the frequency - temperature dependence of the electrical conductivity in semiconductor compounds Cd<sub>2</sub>P<sub>3</sub>J and Cd<sub>2</sub>P<sub>3</sub>Br

Authors

  • О. В. Козусенок Uzhgorod National University, Ukraine
  • Ю. В. Попик Uzhgorod National University, Ukraine
  • В. П. Брудка Uzhgorod National University, Ukraine
  • С. М. Гасинець Uzhgorod National University, Ukraine
  • М. С. Гам Uzhgorod National University, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.68-72

Abstract

For Cd2P3J and Cd2P3Br monocrystalls the defect structure have been analyzed. It is shown that in such compounds two types of defects - intrinsic structural defects of packing and valence-alternating defects-become possible. The manifestation of hooping character of conductivity and frequensy-compensation effect were found. The results were discused in frames of polaronic and bipolaronic models.

References

Donohue P.C. The Synthesis and properties of Cd2P3Cl, Cd2P3Br, and Cd2P3J. /J. Solid State Chim.-1972. v5. N5.P.71-74.

Rebbach A., Yazweck J., Lande R., Deshanvres A. Etudes strukturales et optiques des phases du type Cd2AyX (A=As,P;X=Cl,Br,J) et de leur solution solide. / Mat. Res. Bull.- 1981.V16.N5.P. 525-533.

Олексиюк И.Д., Кикинеши A.A., Черешня B.M., Гам Н.С. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристалов Cd2P3T (Г-Cl, Br,J). /Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1980. Т.16. N2. С. 351-353.

Гам Н.С., Гасинец С.М., Козусенок А.В., Ковач Д.Ш., Попик Ю.В. Характер химического взаимодействия в системе CdP2 - CdJ2 и on тические свойства монокристаллов Cd2P3J- / Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1990. Т.26 N3. С.480-483.

Parthe Е. Crystal chemistry of tetrahedral struktures. N. Y., L.: Gordon and Breach, 1964. 8176p.

Берча Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды (получение и свойства). Под ред. Д.В. Чепура.- Львов: Вища школа, Изд-во при Львов, ун-те , 1983.- С. 181.

Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски.-М.: Мир.- 1983.- С.419.

Чуйко Г.П., Демьянчук Л.С., Кристаллохимические исследования различных зарядовых состояний (Р1 и Р2) ионов фосфора в тетрагональных дифосфидах - ZnP2 и CdP2- /Укр. хим. ж-л. 1984. Т.50. N10. С. 1046-1049.

Мотт Н. .Девис Е. Электронные процессы в некристалических веществах. М.: Мир.- 1974,С.117-120.

Бахышов А.Е., Семедов С.Р., Сафуат Булес, Гагиров В.И. Частотнокомпенсационный эффект в слоистых полупроводниках TIBX2 / ФТП.1983. Т.16. N1. С.161-163.

Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах.- 4.1. М.:Мир, 1984.-С.52-54.

Богуславский Л.И., Ванников А.В. Органические полупроводники и биополимеры.-М.: Наука, 1968.-С.92-98.

Published

1997-12-31

Issue

Section

Статті