Особливості частотно - температурних залежностей електропровідності в напівпроводникових сполуках Cd<sub>2</sub>P<sub>3</sub>J і Cd<sub>2</sub>P<sub>3</sub>Br
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.1997.1.68-72Анотація
Аналіз дефектності структури монокристалів Cd2P3J і Cd2P3Br показує, що в цих сполуках можливе утворення власних структурних дефектів упаковки, а також дефектів пар змінної валентності (ПЗВ). Дефекти ПЗВ утворюються завдяки різнозарядовим станам атомів фосфору які мають місце в цих сполуках. Наявність таких двох типів дефектів сприяє утворенню поляронів та біполяронів. Це приводить то стрибковго механізму електропровідності та до прояву частотно-компенсаційного ефекту.
Посилання
Donohue P.C. The Synthesis and properties of Cd2P3Cl, Cd2P3Br, and Cd2P3J. /J. Solid State Chim.-1972. v5. N5.P.71-74.
Rebbach A., Yazweck J., Lande R., Deshanvres A. Etudes strukturales et optiques des phases du type Cd2AyX (A=As,P;X=Cl,Br,J) et de leur solution solide. / Mat. Res. Bull.- 1981.V16.N5.P. 525-533.
Олексиюк И.Д., Кикинеши A.A., Черешня B.M., Гам Н.С. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристалов Cd2P3T (Г-Cl, Br,J). /Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1980. Т.16. N2. С. 351-353.
Гам Н.С., Гасинец С.М., Козусенок А.В., Ковач Д.Ш., Попик Ю.В. Характер химического взаимодействия в системе CdP2 - CdJ2 и on тические свойства монокристаллов Cd2P3J- / Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1990. Т.26 N3. С.480-483.
Parthe Е. Crystal chemistry of tetrahedral struktures. N. Y., L.: Gordon and Breach, 1964. 8176p.
Берча Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды (получение и свойства). Под ред. Д.В. Чепура.- Львов: Вища школа, Изд-во при Львов, ун-те , 1983.- С. 181.
Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски.-М.: Мир.- 1983.- С.419.
Чуйко Г.П., Демьянчук Л.С., Кристаллохимические исследования различных зарядовых состояний (Р1 и Р2) ионов фосфора в тетрагональных дифосфидах - ZnP2 и CdP2- /Укр. хим. ж-л. 1984. Т.50. N10. С. 1046-1049.
Мотт Н. .Девис Е. Электронные процессы в некристалических веществах. М.: Мир.- 1974,С.117-120.
Бахышов А.Е., Семедов С.Р., Сафуат Булес, Гагиров В.И. Частотнокомпенсационный эффект в слоистых полупроводниках TIBX2 / ФТП.1983. Т.16. N1. С.161-163.
Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах.- 4.1. М.:Мир, 1984.-С.52-54.
Богуславский Л.И., Ванников А.В. Органические полупроводники и биополимеры.-М.: Наука, 1968.-С.92-98.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 1997 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
