ФОТОІНДУКОВАНІ ЗМІНИ МІКРОТВЕРДОСТІ АМОРФНИХ ТОНКИХ ПЛІВОК СИСТЕМИ Ge-As-Se

Автор(и)

  • В. В. Кузьма Ужгородський національний університет, Україна
  • В. С. Біланич Ужгородський національний університет, Україна
  • K. Flachbart Ужгородський національний університет, Україна
  • F. Lofaj Ужгородський національний університет, Україна
  • K. Csach Ужгородський національний університет, Україна
  • В. М. Різак Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.36.51-57

Ключові слова:

Мікротвердість, Фотоіндуковані зміни, Тонкі плівки, Халькогенідні стекла, Ge-As-Se

Анотація

Наведені результати досліджень кінетики фотоіндукованих змін мікротвердості аморфних плівок GeхAsуSe100-х-у при опроміненні лазером потужністю 50 мВт з довжиною хвилі 655 нм. Показано, що інтенсивні (10%--27%) фотоіндуковані зміни твердості плівок спостерігаються протягом 25–30 хв. опромінювання: при включенні опромінювання мікротвердість експоненціально зменшується, а при виключенні – експоненціально зростає. Величина фотоіндукованих змін мікротвердості залежить від середнього координаційного числа Z і є максимальною при Z=2.8. Мінімальні фотоіндуковані зміни мікротвердості спостерігається в області топологічного структурного 2D-3D переходу при Z=2.67. Гігантське зростання фотоіндукованих зміни мікротвердості при Z>2.67 пояснено в рамках інтрамолекулярної структурної моделі фотоіндукованої пластичності в халькогенідних стеклах.

Посилання

Семак Д. Г. Фото- і термоструктурні перетворення халькогенідів. / Д.Г. Семак, В.М. Різак, І.М. Різак. – Ужгород: Закарпаття, 1999. – 392 с.

Kolobok A. V. Photoinduced Phenomena in Amorphous Chalcogenides: From Phenomenology to Nanoscale / A. V. Kolobov, K. Tanaka, – San Diego: Academic Press, 2001. – 47 p.

Trunov M.L. Polarization-dependent photo-plastic effect in As50Se50 chalcogenide glasses. // M.L. Trunov, V.S. Bilanich – Journal of Optoelectronics and Advanced Materials – 2004. Vol. 6, No.1. – Р.157-162.

Трунов М.Л. Гигантский фотопластический эффект в стеклообразных полупроводниках, наблюдаемый в окрестности перколяционного перехода жесткости. / М.Л. Трунов, В.С. Биланич, Дуб С.Н., Р.С. Шмегера // Письма в ЖЭТФ. – 2005. т. 82, №8. – С. 562 – 566.

Кузьма, В. В. Фотоіндуковані зміни мікротвердості тонких плівок Ge32As8Se60. / В. В. Кузьма, В.С. Біланич, В.Ю. Лоя, В.М. Різак // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2014. №35. – c.51 – 56.

Wang Y. Glass structure, rigidity transitions and the intermediate phase in

the Ge-As-Se ternary, Europhys. / Y. Wang, P. Boolchand, M. Micoulaut // – Europhys. Lett. – 2000. – № 52. – P. 633 – 639.

Мешалкин А. Ю. Цифровой метод измерения толщины нанометровых пленок на базе микроинтерферометра МИИ-4. / А.Ю. Мешалкин [и др.] // Электронная обработка материалов. – 2012. – № 48(6). – C. 114–118.

Металлы и сплавы. Измерения твердости по Виккерсу. Часть 1. Метод измерения: ГОСТ Р ИСО 6507-1-2007. – [Введ. 01.08.08.]. – Москва, 2008. – 21 с.

Micoulaut M. The Intermediate Phase in Ternary GexAsxSe1-2x Glasses. / M. Micoulaut, Tao Qu, D.G. Georgiev, P. Boolchand // Philos. Mag. – 2005. – № 85. – P 875 – 884.

Tanaka K. Structural phase transitions in chalcogenide glasses // Phys. Rev. B. – 1989. – № 39. – P. 1270 – 1279.

Yannopoulos S. N. Intramolecular Structural Model for Photo-induced Plasticity in a Chalcogenide Glass. // Phys. Rev. B. – 2003. – № 68. – P. 064206:1 – 064206:7

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-23

Номер

Розділ

Статті