Особливості краю власного поглинання монокристалів Hg<sub>3</sub>Те<sub>2</sub>Сl<sub>2</sub>

Автор(и)

  • З. П. Гадьмаші Ужгородський національний університет, Україна
  • Л. М. Сусліков Ужгородський національний університет, Україна
  • В. В. Панько Ужгородський національний університет, Україна
  • Є. Ю. Переш Ужгородський національний університет, Україна
  • В. О. Стефанович Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.7.28-31

Анотація

Досліджуються особливості довгохвильового краю поглинання монокристалів НgзТе2Сl2 при Т=300К. Встановлюється характер електронних переходів, відповідальних за формування краю власного поглинання, та визначається ширина забороненої зони даних кристалів.

Посилання

R.Nitsche.Mater, Ress. Bull.7,7. 679-683(1972).

Ю.В.Ворошилов, З.П.Гадьмаши, В.Ю.Сливка, В.А.Худолий. Изв. АН СССР. Неорган. Матер. -17, 11, 2022-2024. (1981).

Т.М. Леонова, В.В.Свиридов. Изв. АН СССР. Неорган. матер. 5, №7, 1194-1199(1969).

Т.М.Леонова, В.В.Свиридов. Фотохромные свойства селеноиодида ртути. Минск,( 1970) 154 с.

В.Ф.Глушков. Изв. АН СССР, Неорган. матер. 12, 4, 717-721 (1976).

П.Н.Заказнов, Ю.В.Попов. Письма ЖТФ. 5, 21, 1304-1307,(1979).

F.Höller, H.J.Tisiani. Opt.Commun. 58, 1, 20-24,(1986).

A.А.БережноЙ, П.Н.Заказнов, Ю.В.Попов, Письма ЖТФ, 4, 9, 553-556,(1978).

S.I.Stepanov, M.P.Petrov. Optica Acta, 31, 12, 1335-1343 (1984).

H.Rajbenbach, I.P.Huignard, B.Loiseaux. Optics.commun., 48, 4, 247-252 ( 1983).

A.G.Apostolidis, S.Mallick, D.Rouede et al. Optics.commun., 56, 2, 73-78 (1985).

1.P.Herrian, I.P.Huignard, A.G.Apostolidis, S. Mallick. Optics. commun., 56, 3, 141-144 (1985).

J.Feinleib, D.S.Oliver. Appl.opt. 11, 12, 2753-2759 (1972).

А.В.Хоменко, М.П.Петров, M.B.Красинькова. Письма ЖТФ, 5, 6, 534-538 (1984).

F.Z.Oswald Naturforsch., 14a, 4, 374-379 (1959).

В.П.Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках Минск, (1975) 463 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-12-31

Номер

Розділ

Статті