Термоелектричні властивості напівпровідникових систем на основі Tl-Zr(Ti)-S
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2004.16.85-88Ключові слова:
Напівпровідникові матеріали, ТермогенераториАнотація
В роботі досліджена група напівпровідникових матеріалів, здатних генерувати підвищені значення електричної напруги для потреб створення нового класу термогенераторівПосилання
Беца В.В., Галаговець І.В., Переш Е.Ю., Попик Ю.В., Барчій І.С., Сабов М.Ю., Сабов С.С. Технологія одержання і термоелектричні властивості монокристалів сполуки в системах Tl2S(Se)-TiS2(Se)2//. Науковий вісник Ужгородського університету, серія “Фізика” - 1998, в.2, - с. 116-120.
Беца В.В., Попик Ю.В., Шкавро А.Т. Вплив електронних процесів при адсорбції на термоелектричні властивості монокристалів Tl4 TiS4. Вісник Київського університету, сер. фіз.-мат.наук, 2001, № 1, с.317-320.
Беца В.В. Термоелектричний матеріал, Патент України № 43181 А. 2003.
Беца В.В., Сабов М.Ю. Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, Патент України № 59973 А. 2003.
Harman T.C., Cahn J.H., Logan M.I. Measurement of thermal conductivity by utilization of the Peltier effect// J.Appl.Phys.-1959, v.30, N 9.-p.1351-1359.
Айрапетянц С.В. Измерение термоэлектрических свойств полупроводников по методу Хармана при высоких температурах.- В кн. “Термоэлектрические свойства полупроводников”.- М.Л.: Изд-во АН СССР.- 1963.- с.43-47.
Анатычук Л.И., Выграненко Ю.В., Лусте О.Я., Пинчук И.И. Распре-деление потенциала при большом градиенте температуры. ФТП, 1972, 6, № 5, с.981-983.
Беца В.В., Попик Ю.В. Спосіб керування термоелектричними параметрами напівпровідника. Патент України, № 20443А- 1997.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2004 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).