Резонансні спектри КР стекол системи As-S та частотні спектри кластерів As<sub>n</sub>S<sub>m</sub>, розраховані методом “ab initio”
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2004.15.7-17Ключові слова:
Халькогенідні стекла, As2S3, Атомна структура, Комбінаційне розсіювання, Резонансне комбінаційне розсіювання, Кластери, «Ab initio» розрахункиАнотація
Приведені резонансні спектри КР світла стекол системи As-S, зняті при λзб=488 і 785 нм. В поєднанні з експериментальними дослідженнями проведені квантово-механічні розрахунки КР спектрів кластерів AsnSm. Використані методи Хартрі-Фока (HF) і функціоналу густини (DFT).
Виявлено наявність в матриці структури склоподібного c-As2S3 структурних одиниць (с. о.) AsS3/2, As3/3, As2S4/2. Модельний фрагмент кластеру, в якому реалізується S-S зв’язок був взятий до уваги. В стеклах AsхS1-х, збагачених сіркою виявлено мікровключення деформованих пірамідальних с. о. AsS3 та кластерів As2S5.
Посилання
Nemkritalyos szilard anyagok szerkezete es spektroszkoiai vizsgalata/ I.Beszeda, T. Hadhazy, S. Kokenyesi, V. Mitsa. // Nyiregyhaza–Ungvar. Patent. Uzhgorod – 1994. – 102 p.
Некристаллические полупроводники / А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. – М.: Высшая школа, 1995. – 356 с.
Cтеклообразные полупроводники для оптоэлектроники / Под ред. А.М.Андриеша. – Кишинев: Штиинца, 1991. – 198 с.
Лазерная литография на слоях As2S3 / Индутный И.З., Костюкевич С.А., Минько В.И., Стронский А.В., Шепелявый П.Е. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1993. – №25. – С. 52–59.
Міца В. М. Кореляції структури, динамічної та променевої стійкостей широкозонних некристалічних напівпровідників: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Інф.- видавн. Центр Товариства “Знання” України. - К., 2003 – 26 с.
Sparks M. Material for high–power window and mirror coatings and multilayers dielectric reflectors // U.S. Dep. Commer. NBS Publ. – 1976. №462. – P. 203–213.
M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz, S. T. Elbert, M. S. Gordon, J. J. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K. A. Nguyen, S. Su, T. L. Windus, M. Dupuis, J. A. Montgomery // J. Comput. Chem. 14, pp. 1347-1363 (1993).
V.A.Rassolov, J.A.Pople, M.A.Ratner, T.L.Windus // J.Chem.Phys. 109, pp. 1223-1229 (1998).
Ke.Tanaka. The charged defect exists? // J. Optoel. And Adv. Mat. – 2001. Vol. 3, №2, p. 189 -198
Mori T., Matsuishi K., Arai K. Vibrational properties and network topology of amorphous As–S system // J. Non–Cryst. Sol. – 1974. – Vol.65, №2. – P. 269–283.
Spectral dimensions and free volume in AsxS1–x glasses/ Mateleshko N., Veres M., Mitsa V., Melnichenko T., Rosola I. // Physics and Chemistry of Solid State (Ukraine). – 2000. –Vol.1, №2. – P. 241–244.
Bues W., Somer M., Brockner W. Shwinguns spectren von As4S4 and As4Se4 // Z. Anorg. Allg. Chem. – 1983. – Vol.499, №1. – P. 7–14.
Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. – Л.: Изд.ЛГУ, 1972. – 248 с.
Lucovsky G. Optic modes in amorphous As2S3 and As2Se3 // Phys. Rev. B. – 1971.-Vol. 6. – P. 1480–1489.
Zallen R., Slade M. Rigid–layer modes in chalcogenide crystals // Phys. Rev. B.– 1974. Vol.9, №4. – P. 1627–1637.
K. Tanaka. Wrong bond in glasses: A comparative study on oxides and chalcogenides // J. Optoelectronics and advanced materials. – 2002., 4 (3), P. 505-512.
Mamedov S., Kisluk A., Quitmann D. Effect of preparation conditions on the low frequency Raman spectrum of glassy As2S3 // J. Mater. Science –1998.– Vol.33. – P. 41–43.
Минаев В.С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. – М.: Металлургия, 1991. – 407с.
Malyj M., Griffiths J.E. Extended defect structures in bulk As2S3 glas: 1. The defects of thermal treatment on Raman spectra // Solid State Communication.– 1987.– Vol.62, №10. – P. 667–670.
F. Agullo-Reuda, J.D. Moreno, E. Montoya, R.Guerrero-Lemus and J.M. Martinez-Duart. Influence of wavelength on the Raman line shape in porous silicon // J. Appl. Phys. – 1998. - Vol 84, №10. – P. 2349-2351.
Mаtaleshko N.I., Mitsa V.M., Kikineshi O.O. Vibrational spectra and structural studies of Hg–As–S glasses // Fizika A. – 1999. – Vol.8, №1. – P. 17–24.
Billes F., Mitsa V., Fejes I., Mateleshko N., Fejesh I. Calculation of the vibrational spectra of arsenic sulfide clusters. Journal Molecular Structure-1999. Vol.513. - P. 109-115.
Fejesh I., Billesh F., Mitsa V. A theoretical study of effect on the vibrational spectrum of the stepwise by selenium substitution in arsenic pentasulfide// Journal of Molecular Structure . –2000. – Vol.531. . – P. 407- 414.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2004 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
