ФОРМУВАННЯ ГРАНИЦІ ПІДКЛАДКА-ПЛІВКА СКЛАДНИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ ТА ВЛАСТИВОСТІ ЇХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.6.193-206Ключові слова:
Халькогеніди, Методом Хюккеля, Оже-спектроскопіїАнотація
Здійснено аналіз результатів дослідження особливостей формування перехідного шару на меж і підкладка-плівка складного халькогеніду. У рамках валентного наближення розширеним методом Хюккеля розрахована структура псевдоморфного шару в гетероструктурах Si(GaAs)- Ge-As-S(Se)та NaCl- Zn(Cd)Ga(Al)2S(Se)4.Здійснено аналіз результатів дослідження розподілу компонент в перехідній області методом електронної Оже-спектроскопії. Встановлено вплив перехідного шару й умов його формування на механічні, електрофізичні та оптичні властивості плівок.Посилання
Алфёров Ж.И., ФТП, 32(1),3 (1998).
С.В.Свечников, В.В.Химинец, Н.И. Довгошей, Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Наукова думка, Киев, 1992), 296.
Н.И. Довгошей, Тонкие пленки новых сложных полупроводников (Ужгород, 1985),110.
Н.И.Довгошей, Кристаллические и аморфн ые пленки новых сложных полупроводников (Ужгород, 1986), 110.
А.Н.Борец и др.,Сложные стеклообразные халькогениды (получение, свойства и применение), (Вища школа, Львов, 1987), 186.
В. В. Химинец, Квантовая электроника, 25, 63 (1983).
Довгошей Н.И., Вестник АН УССР, 1, 95 (1983).
Ю.Ю.Фирцак и др., Обзоры по электронной технике (М.: ЦНИИ Электроника, 1980), 109.
Ю.С.Акимов и др., Халькогенидные стёкла и их применение в оптоэлектронике (Обзоры по электронной технике, Москва, ЦНИИ Электроника, 1973), 69.
И.П.Шаркань и др., Полупроводниковые материалы для оптоэлектроники, (Научнотехн. обзор, серия VI, НТИ “Поиск”, Москва, 1983), 66.
N.I.Dovgoshej and al., Abst. Sixth International Conf. on the Structure of NonCrystalline Materials. (Praha, Chech Republic, 1994),90.
V. P. Svitlinets and al., Sixth Intern. Conf. on the Structure of Non-Crystalline Materials: Abstracts (Praga, Chech Republic, 1994), 89.
Н.И.Довгошей и др., Вакуумная техника и технология, 6(2), 39 (1996).
Л.Г.Кеслер и др., Изв. АН СССР. Сер. Неорг. мат., - 27(7), 1361 (1991).
N.I.Dovgoshej and al., Proc. Inter, workshop on advanced technologies of multicomponent solid films and structures (Uzhgorod, 1994), 76.
Л.И.Александров, Кинетика кристалли зации и перекристаллизации полупроводниковых плёнок (Наука, Новосибирск, 1985), 224.
Н.И.Довгошей, Н.И.Попович, Medzinarodna vedecka konferencia "Physical Education Today and after 2000" (Presov, 1998), 22.
I.Е.Качер, Особливості формування та основні фізичні властивості плівок CdGa2S(Se)4. Автореферат дис. канд. фіз.- мат. наук,Ужгород, 1996,23 с.
О.Б.Кондрат, Формування гетероструктур Ge33As12Se55 - p-Si, механічні властивості та особливості переносу носіїв заряду в них, Автореф. дис. канд. фіз.-мат. наук, Чернівці, 1998, 16 с.
Н.І.Попович, Процеси формування та основні оптичні властивості тонких плівок тіогалату цинку, Автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук, Чернівці, 2000, 16 с.
Н.Ю.Баран, Взаимосвязь условий получения, структурных характеристик и физических свойств аморфных плёнок Ge- As-Se и Ge-As-Se-J, Дис. канд. физ.-мат. наук, Ужгород, 1979, 139 с.
Н.И.Довгошей и др., Тонкие плёнки в электронике: Матер. VI Междунар.симпозиума (Москва-Киев-Херсон, 1995),103.
Н.И.Довгошей и др., Труды Украинского Вакуумного общества (Харьков, 1995), 262.
N. Popovich and al., Proceeding of SPIE, 3359,90 (1997).
Н.И.Довгошей и др., Third Intern, conf. MPSL’99 (Sumy, Ukraine, 1999),9.
N.I.Dovgoshej and al., Proceeding of SPIE, 3890, 121 (1998).
N.I.Dovgoshej and al., Functional materials, 6(3), 428 (1999).
N.D.Savchenko and al., Труды Украинского Вакуумного общества (Харьков, 1997), 262.
Ю.Ю.Бабинец и др., УФЖ, 37 (3), 357 (1992).
Н.И.Довгошей и др., Квантовая электроника, 40, 43 (1991).
N.I.Dovgoshej and al., Functional materials, 6 (3), 437(1999).
Л.H.Александров, Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых плёнок (Наука,Новосибирск, 1978), 212.
N.D.Savchenko and al., Proc. Internal. Workshop on Adv. Technologies of Multicomp. Solid Films and Structures (Uzhgorod, 1994), 82.
N.Dovgoshej and al., Internal, conf. "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics": Abstracts (Uzhgorod, 1996), 26.
N.Savchenko and al., Proceeding of SPIE, 3359, 308 (1997).
A.Kondrat and al., 10th Inter, conf. on thin films: Abstracts book (Madrid, 1996), 84.
A.Kondrat and al., Intern, conf. "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics": Abstracts (Uzhgorod, 1996), 123.
N.I.Dovgoshej and al., Proceeding of SPIE, 3890,512(1999).
A.B.Kondrat, Inter, workshop on advanced technologies of multicomponent solid film and their application in photonics. Book of abstracts (Uzhgorod, 1996), 39.
Н.И.Довгошей и др., Вакуумная техника и технология, 8 (2), 29 (1998).
N. Savchenko and al., Inter, workshop on advanced technologies of multicomponent solid film and their application in photonics: Book of abstracts (Uzhgorod, 1996), 71.
N. I. Dovgoshej and al., Inter, workshop "Physics and technology of nanostructured multicomponent materials": Abstracts (Uzhgorod, 1998), 92.
N. Savchenko and al., Proceeding of SPIE, 3359,87 (1998).
N. Popovich and al., Int. workshop on advanced technologies of multicomponent solid films and structures and their application in photonics. Book of abstracts (Uzhgorod, 47.
N. Dovgoshej and al., Functional materials, 6 (3), 446(1999).
Л.М.Дурдинец, Н.И.Довгошей, Перепек тивные материалы,5,31 (1999).
Л. М. Дурдинец, Сб. “Фізика і технологія плівок”. VI міжнародна конференція. Частина 1 (Ів.-Франківськ, 1997), 17.
N. Dovgoshej and al., Modification of properties of Surface Layers of Non¬Semiconducting Materials Using Particle Beam. International Conference (Sumy,. 1999), 73.
O.Б.Кондрат, Деп. у ДНТБ України 27.04.1998. -№ 200-Ук98.
Бобонич Е. П. та ін., Патент України № 25587 А від 30.10.1998р.
О.Б.Кондрат та ін., Вопросы атомной науки и техники, сер. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 6(7), 248 (1998).
О.Б.Кондрат та ін., Вопросы атомной науки и техники, сер. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 6(7), 208 (1998).
Е. П. Бобонич та ін., Позитивне рішення від 26.10.1998р. по заявці № 97105030 від 14.10.1997р.
М. І. Довгошей та ін., Фізика і хімія твердого тіла, 1(1)6 113 (2000).
М. І. Довгошей та ін., Фізика і хімія твердого тіла, 1(1), 119 (2000),
Kacher and al., Int. workshop on advanced technologies of multicomponent solid films and structures. Proceedings (Uzhgorod, 1994), 41.
Н.И.Довгошей, И. Э. Качер, Н.И.Попович, Материалы VI Межд. Симпоз. "Тонкие пленки в электронике", Том 1, (Херсон, 1995), 230.
Н.И.Довгошей и др., Труды Украинского вакуумного общества, 1, 260 (1995).
Н.И.Попович и др., VI Міжн. конф. “Фізика і технологія тонких плівок” (матеріали). I частина (Ів.-Франківськ, 1997), 9.
Н.И.ГІопович, Н.И.Довгошей,И.Э. Качер, Письма в ЖТФ, 24(6), 85 (1998).
И.Э.Качер и др., Вопросы вакуумной науки и техники, 7(8), 222 (1998).
Е. Kacher and al., Functional materials, 6(3), 443 (1999).
N.Popovich, I.Kacher, N.Dovgoshej, Proceedings of SPIE, 3890, 479 (1998).
N. D. Savchenko and al., Functional materials, 6(3), 432 (1999).
Л. E. Кеслер и др., Деп. в УкрИНЭИ. № 861 - Укр.92. от 10.6.92.
О.Б.Кондрат та ін., “Фізика і технологія тонких плівок”,VII Міжн. конф., 4.1, (Ів.- Франківськ, 1999), 15.
М.І.Довгошей, О.Б.Кондрат, P. М. Повч, Визначення параметрів МДН-структур, (Видавництво УжДУ, Ужгород, 1999), 16.
А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну,ФТП, 19(2), 193 (1985).
Н.І.Попович та ін., Патент України по заявці № 98095086 від 29.09.1998 р.
Патент Франції № 1498176, кл.НОІ, 1966.
Патент США № 3431421, НКИ 250/211, 1966.
Э.Риттер, Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений, Сб. : Физика тонких пленок, т.8, (Мир, Москва, 1978),7.
И.Э.Качер и др., Расчет и исследование оптических двухслойных отражающих структур на основе широкозонных ХСП, В сб. “Метрологическое обеспечение производства и прикладные научные исследования”, (Изд-во ПО “ Система “ ВНИИМИУС, Киев-Ужгород, 1989), 20.
В.В.Онопко и др., Изв. АН СССР. Серия неорган. материалы, 22(11), 1804 (1986).
И.Э.Качер, В.Н.Жихарев, Ю.Я.Томаш польский, Поверхность: физика, химия, механика, 1,49 (1994).
И.Э. Качер и др., УФЖ., 31(1), 37 (1986).
И.Э. Качер, Н.И. Довгошей, Ю. Ю. Фирцак, Квантовая электроника, 22, 101 (1982).
И.Э.Качер,И.М.Миголинец, Н.И.Довгошей, Квантовая электроника, 26,45, (1984).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2000 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
