POLYMORPHISM AND PHASE TRANSITION'S MECHANISM IN A<sab>IV</sub>B<sab>VI</sub> COMPOUNDSA<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.6.241-258Keywords:
Phase transition's, PolymorphismAbstract
The crystallstructure characterization of AIVBVI- compounds (AIV - Ge, Sn, Pb; BVI- S, Se, Те) has shown and their structure type polymorph transformation described, which caused by electron configuration of partners atoms and predominate type of chemical bond.References
Zachariasen W.H. The crystall latice of germano sulphide, GeS // Phys. Rev. 1932. V. 40. P. 917-922.
Bissert G., Hesse K.-F. Verfeinerung der Struktur von Germanium (II) - sulfid, GeS // Acta Cryst. 1978. V. B34. №4. P. 1322-1323.
Wiedemeier H., Schnering H.G. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS and SnSe // Zeitschrift Kristallogr. 1978. Bd. 148. S. 295-303.
Okazaki A. The crystal structure of germanium selenide GeSe // J. Phys. Soc. Iapan. 1958. V. 13. №10. P. 1151-1155.
Kannewurf C.R., Kelly A., Cashman R.J. Comparison of three structure determinations for germanium selenide, GeSe // Acta Cryst. 1960. V. 13. №6. P. 449-450.
Dutta S.N., Jeffrey G.A. On the structure of germanium selenide and related binary IV-VI compounds // Inorg. Chem. 1965. V. 4. №9. P. 1363-1366.
Asanabe S., Okazaki A. Electrical properties of germanium selenide, GeSe // J. Phys. Soc. Japan. 1960. №6. P. 989-997.
Okazaki A., Ueda I. The ciystal structure of stannous selenide - SnSe // J. Phys. Soc. Japan. 1956. V. №4. P. 470-472.
Нестерова Я.М., Пашинкин A.C., Новоселова А.В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и телурида олова. // Журнал неорган. хи¬мии. 1961. Т. 6. №9. С. 2014-2018.
Кребс Г. Основы кристаллохимии не¬органических соединений. М.: Мир. 1971.304с.
Wiedemeier Н., Siemers P.A. The thermal expansion and high temperature transformation of GeSe.// Z. anorg. allg. Chem. 1975. Bd.411. S. 90-96.
Wiedemeier H., Siemers P.A. The thermal expansion of GeS and GeTe. // Z. anorg. allg. Chem. 1977. Bd. 431. S. 299¬304.
Wiedemeier H., Csillag F.J. The thermal expansion and high temperature transformation of SnS and SnSe. // Z. Kristallogr. 1979. Bd. 149.№l-2. S. 17-19.
Schnering H.G., Wiedemeier H. The high temperature structure of β-SnS and β-SnSe and В 16-to-B33 type λ-transition path. // Zeitschrift Kristallogr. 1981. Bd. 156. №1-2. S. 143-150.
Schiferl D. Bonding and crystal structures of average-valence-<5> compounds: A spectroscopic approach. // Phys. Rev. B. 1974. V. 10. №8. P. 3316-3329.
Littlewood P.B. The crystal structure of IV-VI compounds: I. Classification and description // J. Phys. C: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4855-4873.
Littlewood P.D. The crystal structure of IV-VI compounds: II. A microscopic model for cubic/rhombohedral materials. // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4875-4892.
Schubert K., Fricke H. Kristallstruktur von GeTe. // Z. Naturforsch. 1951. Bd. 6. №12. S. 781-782.
Schubert K., Fricke H. Kristallchemie der B-Metall: Diskussion und Untersuchung trigonal verzerrten NaCl-strukturen. // Z. Metallkunde. 1953. Bd. 44. №9. S. 457¬461.
Шелимова Л.Е., Абрикосов H.X., Жданова B.B. Система Ge-Te в области соединения GeTe. // Журнал неорган. химии. 1965. Т. 10. С. 1200-1205.
Жукова Т.Б., Заславский А.И. Исследование фазового превращения и структуры а-GeTe. // Кристаллография. 1967. Т. 12. №1. С. 37-40.
Goldak I., Barrett С.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe. // J. Chem. Phys. 1966. V. 44. №9. P. 3323-3325.
Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В. О фазовой диаграмме системы германий - телур. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1969. Т. 5. №7. с.1171-1174.
Вингалис Б.Ю. О γ-фазе GeTe. // ФТТ. 1978. Т. 20. №12. С. 3621-3626.
Ерофеев Р.С. Интерпретация полиморфных превращений в GeTe. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1978. Т. 14. №8. С.
Шелимова Л.Е., Абрикосов Н.Х. Система Sn-Te в области соединения SnTe. // Журнал неорган. химии. 1964. Т. 9. №8. С. 1879-1882.
Kafalas J.A., Mariano A.N. Science. 1964. V. 143. №3609. P.952.
Абрикосов H.X., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука. 1975. 195 с.
Шелимова Л.Е., Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полу¬проводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука. 1991.368 с.
Mariano A.N., Chopra K.L. Polymorphism in some IV-VI compounds induced by high pressure and thin-film epitaxial growth. // Appl. Phys. Letters. 1967. V. 10. № 10. P. 282-284.
Кабалкина C.C., Верещагин Л.Ф., Се¬ребряная H.P. Фазовые переходы в соединениях IV-VI групп при высоких давлениях. // ФТТ. 1968. Т. 10. №3. С. 733-739.
Chattopadhyay Т., Werner A., Schnering H.G., Pannetier J. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds // Pev. Phys. Appl. 1984. 19. №9.
Downloads
Published
Issue
Section
License
Copyright (c) 2000 Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
