ПОЛІМОРФІЗМ І МЕХАНІЗМ ФАЗОВИХ ПЕРЕТВОРЕНЬ В З'ЄДНАННЯХ ТИПУ A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Ужгородський державний університет, 88000, Ужгород, вул. Волошина, 54, Україна
  • Ю. В. Ворошилов Ужгородський державний університет, 88000, Ужгород, вул. Волошина, 54, Україна
  • І. І. Мадяр Ужгородський державний університет, 88000, Ужгород, вул. Волошина, 54, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.6.241-258

Ключові слова:

Фазові переходи, Поліморфізм

Анотація

Представлена повна кристаллоструктурной характеристика з'єднань AIVBVI (де AIV - Ge, Sn, Pb, BVI - S, Se, Ті) і описана трансформація структурних типів всіх з'єднань в процесах поліморфних перетворень. Вказано шляхи взаємних фазових переходів між певними структурними типами, обумовлені електронною структурою партнерів і переважним типом хімічного зв'язку в сполуках.

Посилання

Zachariasen W.H. The crystall latice of germano sulphide, GeS // Phys. Rev. 1932. V. 40. P. 917-922.

Bissert G., Hesse K.-F. Verfeinerung der Struktur von Germanium (II) - sulfid, GeS // Acta Cryst. 1978. V. B34. №4. P. 1322-1323.

Wiedemeier H., Schnering H.G. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS and SnSe // Zeitschrift Kristallogr. 1978. Bd. 148. S. 295-303.

Okazaki A. The crystal structure of germanium selenide GeSe // J. Phys. Soc. Iapan. 1958. V. 13. №10. P. 1151-1155.

Kannewurf C.R., Kelly A., Cashman R.J. Comparison of three structure determinations for germanium selenide, GeSe // Acta Cryst. 1960. V. 13. №6. P. 449-450.

Dutta S.N., Jeffrey G.A. On the structure of germanium selenide and related binary IV-VI compounds // Inorg. Chem. 1965. V. 4. №9. P. 1363-1366.

Asanabe S., Okazaki A. Electrical properties of germanium selenide, GeSe // J. Phys. Soc. Japan. 1960. №6. P. 989-997.

Okazaki A., Ueda I. The ciystal structure of stannous selenide - SnSe // J. Phys. Soc. Japan. 1956. V. №4. P. 470-472.

Нестерова Я.М., Пашинкин A.C., Новоселова А.В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и телурида олова. // Журнал неорган. хи¬мии. 1961. Т. 6. №9. С. 2014-2018.

Кребс Г. Основы кристаллохимии не¬органических соединений. М.: Мир. 1971.304с.

Wiedemeier Н., Siemers P.A. The thermal expansion and high temperature transformation of GeSe.// Z. anorg. allg. Chem. 1975. Bd.411. S. 90-96.

Wiedemeier H., Siemers P.A. The thermal expansion of GeS and GeTe. // Z. anorg. allg. Chem. 1977. Bd. 431. S. 299¬304.

Wiedemeier H., Csillag F.J. The thermal expansion and high temperature transformation of SnS and SnSe. // Z. Kristallogr. 1979. Bd. 149.№l-2. S. 17-19.

Schnering H.G., Wiedemeier H. The high temperature structure of β-SnS and β-SnSe and В 16-to-B33 type λ-transition path. // Zeitschrift Kristallogr. 1981. Bd. 156. №1-2. S. 143-150.

Schiferl D. Bonding and crystal structures of average-valence-<5> compounds: A spectroscopic approach. // Phys. Rev. B. 1974. V. 10. №8. P. 3316-3329.

Littlewood P.B. The crystal structure of IV-VI compounds: I. Classification and description // J. Phys. C: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4855-4873.

Littlewood P.D. The crystal structure of IV-VI compounds: II. A microscopic model for cubic/rhombohedral materials. // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4875-4892.

Schubert K., Fricke H. Kristallstruktur von GeTe. // Z. Naturforsch. 1951. Bd. 6. №12. S. 781-782.

Schubert K., Fricke H. Kristallchemie der B-Metall: Diskussion und Untersuchung trigonal verzerrten NaCl-strukturen. // Z. Metallkunde. 1953. Bd. 44. №9. S. 457¬461.

Шелимова Л.Е., Абрикосов H.X., Жданова B.B. Система Ge-Te в области соединения GeTe. // Журнал неорган. химии. 1965. Т. 10. С. 1200-1205.

Жукова Т.Б., Заславский А.И. Исследование фазового превращения и структуры а-GeTe. // Кристаллография. 1967. Т. 12. №1. С. 37-40.

Goldak I., Barrett С.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe. // J. Chem. Phys. 1966. V. 44. №9. P. 3323-3325.

Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В. О фазовой диаграмме системы германий - телур. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1969. Т. 5. №7. с.1171-1174.

Вингалис Б.Ю. О γ-фазе GeTe. // ФТТ. 1978. Т. 20. №12. С. 3621-3626.

Ерофеев Р.С. Интерпретация полиморфных превращений в GeTe. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1978. Т. 14. №8. С.

Шелимова Л.Е., Абрикосов Н.Х. Система Sn-Te в области соединения SnTe. // Журнал неорган. химии. 1964. Т. 9. №8. С. 1879-1882.

Kafalas J.A., Mariano A.N. Science. 1964. V. 143. №3609. P.952.

Абрикосов H.X., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука. 1975. 195 с.

Шелимова Л.Е., Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полу¬проводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука. 1991.368 с.

Mariano A.N., Chopra K.L. Polymorphism in some IV-VI compounds induced by high pressure and thin-film epitaxial growth. // Appl. Phys. Letters. 1967. V. 10. № 10. P. 282-284.

Кабалкина C.C., Верещагин Л.Ф., Се¬ребряная H.P. Фазовые переходы в соединениях IV-VI групп при высоких давлениях. // ФТТ. 1968. Т. 10. №3. С. 733-739.

Chattopadhyay Т., Werner A., Schnering H.G., Pannetier J. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds // Pev. Phys. Appl. 1984. 19. №9.

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-03-31

Номер

Том 6 (2000)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2000 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).