Изучение морфологии поверхностей эпитаксиальных пленок теллурида свинца, легированных германием, галлием и индием.
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.79-84Аннотация
Используя осязательную моду атомного силового микроскопа (ACM) Nanoscope ИIIа, было изучено морфологию поверхности эпитаксиальных слоев РЬТе, легированных Ge, Ga и In. Рост всех пленок был послойным, который с повышением температуры источника приобретал извилистого типа. На поверхностях роста исследованных пленок наблюдалось выделение фаз компонент, что, наверное, играли роль гетер легирующих примесей. Продвигаясь по поверхности эпитаксиального слоя, они, вероятно оставляют за собой след, изменяя состав пленки и образуя таким образом квантовые провода.
Поскольку технологическими параметрами выращивания эпитаксиальных слоев можно регулировать плотность и состав гетеры, то эффект образования последних можно рассматривать как прототип технологии формирования квантовых проволок с заданными параметрами.
Библиографические ссылки
D.M.Freik, M.A.Galushchak, L.I.Mezhilovskaya. Physics and Technology of Semiconductor Films (Vyshcha Shkola, Lviv, 1988) [In Russian].
K.Yagi, H.Minoda, M.Degawa, Surface Science Reports 43, 51 (2001).
G.Springholz, N. Frank, G. Bauer. Thin Sol. Films, 267, 15 (1995).
l.N.Stranski, A.Von.Krastanow, Acad. Wiss. lit. Mainz Math.-Natur. Kl. lib 346, 797(1939).
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2001 Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
