Вивчення морфології поверхонь епітаксійних плівок телуриду свинцю, легованих германієм, галієм та індієм.

Автор(и)

  • S. V. Trushkin інститут проблем матеріалознавства НАН України, Україна
  • P. M. Lytvyn інститут фізики напівпровідників НААН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.79-84

Анотація

Використовуючи дотикову моду атомного силового мікроскопу (ACM) Nanoscope ІIIа, було вивчено морфологію поверхонь епітахсійних шарів РЬТе, легованих Ge, Ga та In. Ріст усіх плівок був пошаровим, який з підвищенням температури джерела набував звивистого типу. На поверхнях росту досліджених плівок спостерігалося виділення фаз компонент, що, напевно, відігравали роль гетерів легуючих домішок. Просуваючись по поверхні епітаксійного шару, вони, вірогідно залишають за собою слід, змінюючи склад плівки та утворюючи в такий спосіб квантові дроти.

Оскільки технологічними параметрами вирощування епітаксійних шарів можна регулювати густину та склад гетерів, то ефект утворення останніх можна розглядати як прототип технології формування квантових дротів з наперед заданими параметрами.

Посилання

D.M.Freik, M.A.Galushchak, L.I.Mezhilovskaya. Physics and Technology of Semiconductor Films (Vyshcha Shkola, Lviv, 1988) [In Russian].

K.Yagi, H.Minoda, M.Degawa, Surface Science Reports 43, 51 (2001).

G.Springholz, N. Frank, G. Bauer. Thin Sol. Films, 267, 15 (1995).

l.N.Stranski, A.Von.Krastanow, Acad. Wiss. lit. Mainz Math.-Natur. Kl. lib 346, 797(1939).

##submission.downloads##

Опубліковано

2001-12-31

Номер

Том 10 (2001)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2001 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).