Струми терморозрядження аморфних фотопровідників SbхSe1-х

Автор(и)

  • В. І. Мікла Ужгородський національний університет, Україна
  • Ю. Ю. Надь Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.7.123-126

Анотація

Наведено результати експериментів по спостереженню струмів термостимульованого розрядження (ТСР) фоторецепторів на основі Sе, що містить незначну кількість розгалуджуючих додатків сурми. На підставі аналізу ТСР встановлена наявність глибоких рівнів захоплення. Зроблена спроба розрізнити власні та наведені фотозбудженням дефектні стани.

Посилання

P.Bräunlich. Thermally stimulated relaxation in solids. (Berlin; Springer), 1979.

Ю.А.Гороховатский, Г.А.Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М. Наука, 1991.

А.А.Кикинеши, В.И.Микла, И.П.Михалько, ФТП, 11 (1977) с.1010.

А.-Е.А.Кикинеши. Фотополяризация и локальные состояния в некоторых полупроводниках типа АVВVIII Автореф. Дис. канд. физ-мат наук Черновцы 1973.

S.O.Kasap, Handbook of Imaging Materials (New York:Dekker) p. 329.

S B.Berger , R.C.Enck in: Proc. Intern. Symposium on Industrial Uses of Selenium (Selenium-Tellurium Development Ass. Inc.) Darien, U.S.A., 1980.

M. Abkov.itz and R.C.Enck, Phys. Rev. B25 (1982)2567.

V.l.Mikla, A.V.Matclcshko, V.V.Mikla, Yu.Yu.Nagy. J. Non-Cryst. Solids 246 (1999), 46.

G.P.Garlick, A.F.Gibson, Proc.Roy.Phys. Soc., 60 (1948) 574.

A.Madan, M.P.Shaw, The physics and applications of amorphous semiconductors Boston, Acad Press (1988).

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-12-31

Номер

Розділ

Статті