Динаміка доменних границь у сегнетоелектричних кристалах

Автор(и)

  • А. А. Горват Фізичний факультет УжНУ, Україна
  • Д. І. Кайнц Фізичний факультет УжНУ, Україна
  • Ю. С. Наконечний Фізичний факультет УжНУ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.7.105-108

Анотація

Для опису руху доменної границі у слабому змінному вимірному полі пропонується модель при якій доменна стінка в одній або декількох точках вважається жорстко закріпленою дефектами кристалу. Вважається, що зберігається паралельність доменної стінки напрямку спонтанної поляризації. Виходячи з даної моделі розраховані вклади у дійсну та умовну частини комплексної діелектричної проникливості ew і ew’’ обумовлені осциляцією доменних границь, а також явний вид температурних залежностей ew і ew’’ у випадку низьких та високих температур. Різке зменшення діелектричної проникливості у області 200К і відповідний максимум e’’ обумовлений зменшенням рухливості, тобто «заморожуванням» доменної структури.

Посилання

Наконечный Ю.С., Горват А.А., Ляховицкая В.А., и др. Исследование низкотемпературных диэлектрических аномалий и доменной структуры кристаллов SbSJ// Кристаллография, 1978, т.24, вып.4, с.793-797.

Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. - Киев: Вища школа, 1980.-398 с.

Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьов А.А., Тареев Б.А. Физика диэлектриков.-М.-Л.: Энергия, 1965 - 343с.

Горват А. А., Наконечный Ю.С., Ляховицкая В.А. Эффекты "замораживания” доменной структуры в SbSJ. - В кн.: IX Всесоюзное совещание по сегнетоэлектричеству, ч.II. Ростов-на-Дону, 1979, с.8.

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-12-31

Номер

Розділ

Статті