Електронний стан поверхні і її вплив на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.7.109-122Анотація
На основі великого експериментального та обчислювального матеріалу показано, що електронний стан поверхні монокристалів сегнетоелектриків-напівпровідників, зокрема адсорбція газів, істотно впливає на багато параметрів, пов'язаних з наявністю в таких кристалах доменної структури. Квантово-хімічні розрахунки, проведені в наближенні РМХ, свідчать про вплив адсорбції на величину уніполярності сегнетоелектрика, а останній - на механізм адсорбції молекул, енергію їх зв’язку з тими чи іншими центрами (атомами) поверхні, енергію дисоціації і кінетику десорбції адмолекул. Електронні процеси при адсорбції, змінюючи величину поляризації і рухливість доменних стінок, впливають на коерцитивне поле і час переполяризації, діелектричну проникність, механізм і термодинамічні параметри сегнетоелектричного фазового переходу, а адсорбція дипольних молекул на поверхні монокристалів власного сегнетоелектрика Sn2P2S6 сприяє формуванню солітоноподобібної доменної структури. Результати доводять неправомірність для сегнетоелектриків-напівпровідників поділу їх властивостей в сегнетофазі на поверхневі і об'ємні.
Посилання
Попик Ю В., Жихарев В.Н., Беца В В ФТТ, 1982, т.24, №2, с.486-493.
Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Поверхность: физика, химия, механика, 1989, №9, с.33-41.
Ahmad L.I. Surface Sei., 1968, v.12, N3, p.437-453.
Веневцев Ю.Н., Политова Е.Д., Иванов С. А. Сегнето- и антисегнетоэлек- трики семейства титаната бария. - М.: Химия, 1985. - 256 с.
Жихарев В.Н., Попик Ю.В. ЖФХ, 1990, т.64, №5, с. 1260-1265.
Жихарев В.Н., Попик Ю.В., Проскуряков Б.Ф. Поверхность: физика, химия, механика, 1988, №6, с.23-27.
Жихарев В Н., Бунча В.Н. Механизм адсорбции воды на поверхности тетрагонального титаната бария / Сложные полупроводники (получение, свойства, применение) - Ужгород, "Радянське Закарпаття", 1981, с.8-19.
Веневцев Ю.Н., Любимов В.Н., Соловей С.П., Жданов Г.С. // Известия АН СССР, сер. Физика, 1964, т.28, №4, с.630.
Беца В.В., Жихарев В.Н., Попик Ю.В. Известия вузов. Физика. 1977, №9, с.84-89.
Жихарев В.Н., Попик Ю.В Proceeding of the Eighth International Workshop on Ion Beam Surface Diagnostics // Uzhorod, Ukraine, August 25-29, 1998, C.40-42.
Попик Ю.В., Жихарев B.H., Сейковский И.Д. Поверхность. Физика, химия, механика. - 1990, № 1, С. 13-17.
Попик Ю.В., Сейковский И.Д., Жихарев В.Н. ФТТ, 1988, Т.30, В.3, С.870-872.
Майор М.М., Высочанский Ю.М., Бовтун В.П., По плав ко Ю.М., Копер- лес Б.М., Гурзан М.И. // ФТТ, 1985, т. 27, №4, с. 1263.
Беца В.В., Попик Ю.В Адсорбополяризация и деполяризация в сегнето- электрике SbSI // ФТП, 1976, т.10, № 6, с. 1743-1744.
Попик Ю.В., Сейковский И.Д., Жихарев В.Н. Изв. вузов: Физика, 1990, № 3, с.86-90.
Попик Ю.В, Сейковский И.Д., Жихарев В.Н., Долинич А.И., Когут М.М. ФТТ, 1992, т.34, № 6,с.1865-1871.
Жихарев В.Н., Попик Ю.В. УФЖ, 1988, т.ЗЗ, № 8, с. 1255-1259.
Жихарев В.Н., Попик Ю.В., Сейковский И.ДКристаллография, 1996, т.41, №5, с.898-901.
Мерц В. Образование домена и движение доменной стенки в сегнетоэлектрическом монокристалле //Физика диэлектриков. - М. : Изд. АН СССР. - 1960, с.286-289.
Fatuzzo Е. Phys.Rev., 1962, v.127, N 6, р. 1999-2005.
Ishibashî Y, Takagy Y. J Phys. Soc. Japan, 1971, v.31, N2, p. 506-510.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2000 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
