Діелектричні властивості SbSJ у електричних, механічних та температурних полях

Автор(и)

  • Д. І. Кайнц Ужгородський національний університет, Україна
  • А. А. Горват Ужгородський національний університет, Україна
  • Ю. С. Наконечний Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.5.44-49

Ключові слова:

Діелектричні властивості, поля, температура

Анотація

Одним з найбільш простих способів управління концентрацією доменних границь є прикладення до кристалу зміщуючих електричних полів. Розглянемо вплив зміщуючих полів на низькотемпературні аномалії діелектричної проникності. Коерцетивні поля окремих доменів розподілені статично, тому при збільшенні змішуючого поля концентрація доменних границь буде поступово, а не стрибком, зменшуватися.

Посилання

В.Фридкин, Сегнетоэлектрики-полупроводники-Москва: Наука, 1976.

А.Люков.Теория теплопроводности. Москва: Высшая школа, 1967.

А.Горват, Д.Кайнц, Ю.Наконечний, Особливості кінетики фазового переходу 1 роду в моно- і полідоменних сегнетоелектричних кристалах. -Вісник Ужгородського Державного Університету, №2 ,1998.

Д.Берча, И.Берча, И.Туряниця и др,Изменения симетрии кристаллов SbSJ при фазовом переходе второго рода" Физика твердого тела, 11. №6, 1969.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-12-31

Номер

Розділ

Статті