Бар’єри Шотткі на основі структур Al-CdTe:V
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.130-133Анотація
Виготовлено та досліджено властивості структур метал-напівпровідник на основі AI-CdTe:Vз концентрацією легуючої домішки NV=5x10l8-5xl019см-3. Представлено ВАХ для одержаних зразків в тому числі при різних зовнішніх температурах. Згідно з одержаними результатами, зразки на основі CdTe-.Vз концентрацією ванадію NV=5х1018 см-3 мали чітко виражені випрямляючі властивостями. Висота потенціального бар’єру для CdTe:Vз NV=5x1018cm-3знаходилася в межах 0.7-0.78 еВ. В той же час, для зразків Al-CdTe:Vз NV=5x1019cm-3 вимірювані ВАХ були строго лінійними та симетричними відносно початку координат, що є свідченням про створення якісного омічного контакту Аl до CdTe:V, питомий опір якого для різних структур становив 7х103±1.2 х10-2Омсм2.Посилання
Ю.П.Гнатенко, Р.В.Гамерник, И.А.Фарина, П.И.Бабий, ФTТ40, 1216 (1998).
Л.А.Косяченко, И.М.Раренко, О.А.Боднарук, Вейгуа Сун, ФТП 33, 1438 (1999).
А.Милнс, Д.Фойхт. Гетеропереходы и переходы метал-полупроводник (Мир, Москва, 1975).
В.В.Пасынков, Л.К.Чиркин, А.Д.Шинков. Полупроводниковые приборы (Высшая школа, Москва, 1981).
S.Nozaki, A.G.Milnes, J. El. Mater. 14, 137(1985).
##submission.downloads##
Опубліковано
2001-12-31
Номер
Розділ
Статті
Ліцензія
Авторське право (c) 2001 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
