Установка для дослідження термостимульованої люмінесценції тонкоплівкових структур
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.156-159Анотація
Розроблено та виготовлено автоматизовану установку для дослідження ТСЛ тонкоплівкових структур у широкому діапазоні температур (20-500 °С) та швидкостей лінійного нагрівання. Застосовано резистивний метод нагрівання з використанням металевих підкладок в ролі нагрівана. Мала теплоємність нагрівана з плівкою та добрий тепловий контакт між ними дозволяють проводити виміри на великих швидкостях лінійного нагріву - більше 100 К/с. Для підтримки лінійного закону нагрівання створено електронну систему керування нагріванням. Реєстрація вимірюваних величин здійснюється за допомогою інтерфейсної плати, встановленої в комп’ютері. Введення результатів вимірювань в ЕОМ дає можливість їх оперативної обробки. Проведений ряд пробних вимірювань ТСЛ плівок LiF:Мg,Ті.
Посилання
S.W.S.McKeever, M.Moscovitch, P.D.Townsend, Thermoluminescence Dosimetry Materials: Properties and Uses (Nuclear Technology Publishing, Ashford, 1995).
J.Hoffman, W.Tetzlaff, J.Hegland et al., Radial. Prot. Dosim. 47, 489 (1993).
C.L.P.Mauricio, R.A.Nunes, M.H.P.Maurucio, in: Proc. 12th Intern. Conf. on Solid State Dosimetry (Nuclear Technology Publishing, Ashford, 1998) p. 39.
E.Bulur, H.Y.Goksu, W.Wahl, in: Proc. 12th Intern. Conf. on Solid State Dosimetry (Nuclear Technology Publishing, Ashford, 1998) p. 112.
B.M.Hunda, P.P.Puga, A.M.Solomon, A.V.Lada, V.Yu.Loya, V.M.Holovey, I.I.Turok, Functional Materials 6, 504 (1999).
Б.М.Гунда, Наук, вісник Ужг. унів., Сер. Фіз. 5, 198 (1999).
В.В.Сердюк, Ю.Н.Ваксман, Люминесценция полупроводников (Вища школа, Київ-Одеса, 1988).
А.И.Непомнящих, Е.А.Раджабов, А.В.Егранов, Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF (Наука, Новосибирск, 1984).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2001 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).