ТЕНЗИМЕТРИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ КРИСТАЛІВ Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • В. В. Бунда Ужгородський державний інститут інформатики, Україна
  • С. М. Тасинець Ужгородське відділення оптоінформатики ПТРІНАН України, Україна
  • М. І. Турзан Ужгородський національний університет, Україна
  • О. А. Микайло Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2002.11.141-145

Ключові слова:

Тиск, Напівпровідник, Вирощування монокристалів

Анотація

Досліджувалися залежності тиску насичених парів напівпровідника- сегнетоелектрика Sn2P2S6 (гексатіогіподифосфата олова ) в інтервалі темпе­ратур 500-1500 К. Уточнені області фазових перетворень даної сполуки. Показано, що в інтервалі температур 500-­699 К термічна дисоціація проходить з утворенням сполуки SnS , а вінтервалі 699- 930 К - з утворенням SnS2.

Рекомендовано технологічні режими вирощування монокристалів Sn2P2S6 методом ХТР (хімічних транспортних реакцій).

Посилання

Высочанский Ю. М., Сливка В. Ю. Сегнетоэлектрики семейства S2P2S6. Свойства в окрестности точки Лифшица. - Львов: Выща школа, 1994.-262 с.

Поторий М. В., Приц И. П., Ворошилов Ю.В. Характер образованиягексатио-(селено) гиподифосфатов олова и свинца и выращивание их монокристаллов Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1990. - т. 26, № 11.- с. 2363 -2366.

Ворошилов Ю. В., Поторий М. В., Приц I. П, Ковач А.П., Ткаченко В. И. Исследование физикохимического взаимодействия в системе SnS2 - PS и область гомогенности S2P2S6. - В сб. науч. трудов: Получения и свойства

сложных полупроводников. -Киев, УМКВО, 1991 г., с. 43.

Шарпатая Г. А., Нипан Г. Д., Микайло О. А., Высочанский Ю. М., Корольчук О. Л. Фазовые превращения S2P2S6-

одержаною залежністю lgP-f (1/Т) приходимо до висновку, що інтервал температур 699-930 К((ділянка 2, рис.1) є оптимальним.

Встановлено оптимальний температурний інтервал для

вирощування монокристалів ЗпгРгЗб методом ХТР. Изв. РАН. Неорган. материали. - 1992. - т. 28, №1.-с. 25-30.

Микайло О. А. Термодинамічні та спектроскопічні дослідження стійкості кристалічної гратки сполук Ме2Р2 (Me=Sn, Pb, Mn; X=S, Se) Автореф. дис. канд.-фіз.-мат. наук,- Ужгород. ,1994,-15с.

Бунда В. В., Микайло О. А., Гурзан М. И. Термическая устойчивость и кинетика диссоциации монокристаллов Sn2P2Se и Sn2P2Se6 Журнал физической химии,-1989.-т. 63, 3,с. 1668-1670.

Шаркань И. П., Довгошей Н. И, Фирцак Ю. Ю., Микуланинец С. В., Гурзан М. И. Исследования термического испарения Sn2P2S6. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1981. - т. 17, №4,-с. 731-732.

М. Shulte - Kellinghaus М. and V. Kramer. Ttermogravimetric investigations of some thioorthophosphates and thiohypodiphosphates. WThermochimica Acta. - 1978,-v. 27.-p. 141-149.

##submission.downloads##

Номер

Розділ

Статті