Електропровідність і термостимульована провідність шаруватих кристалів GeS одержаних різними методами

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • Й. Й. Мадяр Ужгородський національний університет, Україна
  • С. В. Микуланинець Ужгородський національний університет, Україна
  • М. Ю. Січка Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.5.138-144

Ключові слова:

Електропровідність, термостимульована провідність, шаруваті кристали

Анотація

Моносульфід германію (GeS) відноситься до шаруватих сполук типу AIVBVI які кристалізуються в ромбічній решітці, симетрія якої описується просторовою групою. Вирощування досконалих шаруватих кристалів типу AIVBVI - одна з актуальних задач сучасного напівпровідникового матеріалознавства.

Посилання

Блецкан Д.И. Фотоэлектрические свойства кристаллического и аморфного GеS. // Укр. физ. журнал. 1984. Т. 28. N4. С. 554-561.

Блецкан Д.І., Мадяр Й.Й., Микуланинець С.В., Січка М.Ю. Вплив методу одержання на спектри фотопровідності шаруватих кристалів GеS. // Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 1999. № 4. С. 151 - 157.

Schonhenr Е. The growth of large crystals from the vapor phase. // Growth and Properties. (Berlin) 1980. P.51-118.

Абрикосов H.X., Баикина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука 1975. 220 с.

Parada N.T., Pratt G. W. New model for valency state in PbTe. ti Phys. Rev. Lett. 1969. V.22. N5. P.180-182.

Блецкан Д.И., Таран В.И, Сичка М.Ю. Эффект переключения в слоистых кристаллах AIVBVI. // Укр. физ. журнал. 1976. Т. 21. №9.С. 1436-1441.

Grandke Т., Ley L. Anguar- resolved UV photoemission and the band structure of GeS. H Phys. Rev. B. 1977. V.16. N2. P.832-842.

Wiley J.D., Pennington S., Schônherr E. Electrical conductivity of GeS. // Phys. Stat. Sol (b). 1979. V.96. N1. P.K37-K42.

Umeda J. Electrical properties of Sb- doped n-type SnSe. // J.Phys. Soc. Japan. 1961. V.16.N1.P.124.

Вертопрахов B.H., Сальман E./Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение. 1979. 333 с.

Garlick G.F.J., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulfide and silicate phosphors. // Proc. Phys. Soc. 1948.V.50 Pt.2. N3. P.574-579.

Grossweiner L.I. A note on the analisis of first order glow curves. // J. Appl. Phys. 1953. V.24.N 10.P. 1306-1307.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-12-31

Номер

Том 5 (1999)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 1999 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).