Структура і фононні спектри кристалічних і склоподібних напівпровідників типу M<sup>II</sup>A<sup>IV</sup>B<sub>3</sub><sup>VI</sup>

Автор(и)

  • Д. И. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • Ю. В. Ворошилов Ужгородський національний університет, Україна
  • Л. М. Дурдинец Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Н. Кабаций Ужгородський національний університет, Україна
  • П. П. Мигалко Ужгородський національний університет, Україна
  • В. А. Стефанович Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.5.155-162

Ключові слова:

Фононні спектри, структура, напівпровідник

Анотація

Проаналізовано кристалічні структури сполук PbGeS3 і SnGeS3, що містять двовалентні Рb і Sn Основним структурним мотивом кристалічних тіогерманатов олова і свинцю є нескінченні ланцюги з тетраедрів GeS4 зчленованих між собою вершинами. Зазначені ланцюга "зшиваються" ланцюгами октаедрів, які координують атоми свинцю (олова).

Посилання

Elli M, Mugnoli A. Sui solfogermanati diplombo: systema PbS-GeS2. // Atti Academia Nazionale de Lincei. Rendiconti Classe di Scienze fisiche, matematiche e naturali. 1962. V.33. № 5. P.316-319

Feltz A., Ludwig W., Senf L., Simon C. Glass formation and propeties of chalcogenide systems. XXII. The phase diagram of the system PbSe-GeSe2 and of the compound Pb2GeS4. // Kristall und Technik. 1980. Bd.15. №8. S.895-901.

Peltz A., Ludwig W., Seiss R. Uber Glasbildugd und Eeigenschaften von chalkogenidsystemen XII. Das Phasendiagramm SnS-GeS2. // Kristall und Technic. 1978. Bd.13. №4. S. 405408.

Ribes M., Olivier-Fourcade J., Philippot E., Mourin M. Structure Cristalline d'un Tiogermanate de plomb a chaines Infmies (PbGeSs). // Acta. Cryst. B. 1974. V.30. №6. P. 1391-1395.

Fenner J,, Mootz D. Uber Sulfide dervierten Hauptgruppe vom Тур AnBIV S2 und die kristallstruktur des SnGeS3. // Z. anorg. allg. chem. 1976. Bd.427. S. 123130.

P.Гиллеспи. Геометрия молекул. Мир, М.: Мир. 1975. 278с.

сочленённые вершинами в цепочки, и j/- октаэдры [PbS5E], дающие соответствующий набор полос в ИК и КР спектрах.

Блецкан Д.И., Митровций И.М., Стефанович В.А., Поторий М.В., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Полиморфизм дисульфида германия. // Кристаллография. 1987. Т.32. №2. С.385-393.

Susa К., Steinfmk N. Ternary silfide compounds AB2S4: the crystall structures of GePb2S4 and Sn Ba2S4. // J. Solid State Chem. 1971. V.3. №1. P.75-82.

Rohl S., Schiwy W., Weinstock N., Krebs B. Darstellung, Schwingungs-spektren und normalkoordinaten-analyse der ionen GeSij"" und SnS^'. // Zeitschrift fiir naturforschung B. 1973. Bd.28. №3. S.565-569.

Бродский M.X. Комбинационное рассеяние света в аморфных полупроводниках. // В кн.: Рассеяние света в твердых телах. Под ред. М.Кардоны. М.: Мир. 1979. С.239-289.

Блецкан Д.И., Герасименко В.С., Ка-баций В.Н., Сичка М.Ю. Колебательные спектры и локальная структура стекол систем GeS2- А^ S3. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1992. Т.28. №1. С. 36-41.

Фельтц А Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.:Мир. 1986. 556 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-12-31

Номер

Розділ

Статті