Радикал-променева гетеруюча епітаксія - новий метод в технології напівпровідникових матеріалів А<sup>3</sup>В<sup>5</sup>

Автор(и)

  • М. Б. Котляревский Бeрдянський державний педагогічний інститут, Російська Федерація
  • В. В. Кидалов Бeрдянський державний педагогічний інститут, Російська Федерація
  • А. С. Ревенко Бeрдянський державний педагогічний інститут, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.217-220

Анотація

Методом радикал-променевої гетеруючої епітаксії отримані плівки GaN на монокристалі GaAs. Вивчено спектри фотолюмінесценції плівок GaN. При кімнатній температурі, спостерігався слабкий максимум в області 3,37 еВ і інтенсивний максимум в області 1,7-2,0 еВ. При 4,2 До проявляються смуги вільних і пов'язаних екситонів. Крім екентонних смуг, спостерігалася смуга з максимумом 2,25 еВ. Кордон розділу GaN і GaAs досліджувалася на Оже-спектрометрі.

Посилання

S.Nakamura, G. Fasol, The Blue Laser Diode. (Springer-Verlag. Berlin, 1997).

H.Yang, L.X.Zheng, J.B.Li, X.J.Wang, D.P.Xu, Y.T.Wang, X.W.Hu, Appl. Phys. Leit., 74, 2498 (1999).

S.Strude, H.Morkoc, J. Vac. Sei. Technol.B 10, 1237(1992).

A.N.Georgobiani, M.B.Kotljarevsky, U.A.Aminov, V.V.Kidalov, I.V.Rogozin, Nucl. Instr/ and Meth. in Phys. Res. A 388, 431 (1997).

А.Н.Георгобиани, М.Б.Котляревский, В.В.Кидалов, И.В.Рогозин, Неорганические материалы, 33,232 (1997).

W.Shan, T.J.Scmidt, R.J.Hauenstein, J.J.Song, D.Goldenbery, Appl. Phys. Leu., 66, 3492(1985)

##submission.downloads##

Опубліковано

2001-12-31

Номер

Розділ

Статті