Іон-фотонна емісія &alpha;-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

Автор(и)

  • Р. П. Логойда Ужгородський національний університет, Україна
  • О. М. Коноплев Ужгородський національний університет, Україна
  • Й. Й. Бундаш Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.5.213-215

Ключові слова:

Іон, емісія, томограф, дослідження

Анотація

З метою апробації вузлів доплерівського томографа, методом ІФС досліджена іон-фотонна емісія поверхні a Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Одержані та ідентифіковані спектри спостерігається в діапазоні 200-800 м. Максимум іонолюмінесценції спостерігається в області 335 км. Аналізується роль поверхневих моношарів речовини в утворенні збуджених вторинних частинок.

Посилання

і Somogyi К., Zhilgaev Yu, V. in: The tenth International Conference On Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, 1998, p. 271.

Севастьянов Б, К., Багдасаров X. С., Федоров Е.А, и др, Перестраиваемый лазер на кристалле А1:Оз:Тг'.7 Кристаллография. 1984. Т. 29. № 5, С.963-964.

McKcever S. W. 3., Mosoovitch М. and Townsend Р. D-, ThermolLunmesccnce dosimetry materials: properties and uses, Nuclear Technology Publishing, Ashford, 1995. P.214.

Петров H.H., Аброян И.А, Диагностика поверхности с помощью ионных пучкон. U Л.: изд-во Ленинград, ун-та. 1977, 159 с.

Дробиич В.Г., Поп С.С., Есаулов В.А. Доплеровская томография отлегаю-

щих от поверхности частиц, і і Ужгород: вид-во "Закарпаття", 1998, 125 с.

Дробнич В,Г,, Коноплев А.Н., Криц-кий В,А., Охрименко С.В, Оптический метод и аппаратура для исследования дифференциальных характеристик распыления и рассеяния. // Материалы XI конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью''. М. 1993. Т,2. С. 142-144,

Поп С.С., Белых С.Ф,, Дробнич В.Т., Ферлегер R.X, Ионно-фотонная эмиссия металлов. // Ташкент: изд-во 'ФАН" Узбекской ССР, 1989. 198 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-12-31

Номер

Розділ

Статті