ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ І КРИТИЧНІ ЯВИЩА В КРИСТАЛАХ ГРУПИ А<sub>2</sub><sup>IV</sup>В<sub>2</sub><sup>V</sup>С<sub>6</sub><sup>VI</sup> ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ

Автор(и)

  • О. І. Герзанич Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • П. П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна
  • В. С. Шуста Ужгородський національний університет, Україна
  • В. М. Кедюлич Ужгородський національний університет, Україна
  • П. М. Лукач Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.6.76-93

Анотація

Описана апаратура високих гідростатичних тисків, за допомогою якої досліджені фізичні властивості кристалів групи А2IVВ2VС6VI. Експериментальні результати свідчать про наявність на р,Т-діаграмах цих кристалів точок Ліфшиця та неспівмірних фаз, індукованих зовнішнім гідростатичним тиском.

Посилання

Герзанич Е.И., Фридкнн В.М. Сегнетоэлектрики типа АVВVIСVII. - М., Наука. (1982) 228 с.

Carpentier C.D., Nitsche R. Mat.Res.Bul. 9. 4, 401 (1974).

Д.С. Циклис. Техника физико¬химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях. Изд. третье. - М.: Химия (1965)415 с.

Герзанич Е.И. Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы АVВVIСVII. Дисс.докт.ф.-м. наук, Москва (1984) 378 с.

Р.Блинц, Б.Жекш. Сегнетоелектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки. Под ред. Шувалова Л.А. М., Мир (I975) 398 с.

Накамура Т. Автометрия, 1 (1978) с.29.

Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn2P2S6 Свойства в окрестности точки Лифшица. Львов, Научное издание, (1994) 264с.

Slivka A.G. et al. Ferroelectrics, 103, 71 (1990).

Shusta V.S. et al. Ferroelectrics, 145. 61 (1993).

Guranich P.P. et al. Ferroelectrics. 132, 173(1992).

Honrеich R.M., Luban M., Strikman S. Phys.Rev Lett., 35. 25, 1678 (1975).

Асланян T.A., Лeванюк А.П. ФТТ, 20, 3.804 (1978).

Изюмов Ю.А., Сыромятников В.Н. Фазовые переходы и симметрия кристаллов. М., Наука, (1984) 248 с.

Michelson А.Р Phys.Rev.В., 16. 1, 577 (1977).

Санников Д.Г. Письма в ЖЭТФ, 30. 3, 173(1979).

Сливка О. Г. та ін. УФЖ, 42, 2, 211 (1997).

Ema К., Наmano К., Levanyuk A.Р. J.Phys. Soc.Japan, 59. 4. 1438 (1990).

Шуста В С. та ін. УФЖ. 40. 9, 959 (1995).

Каski K., Selke W. Phys.Rev.B. 31, 5. 3128 (1985).

Вакс В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков М. Наука (1973).

Гуранич П.П. та ін. УФЖ, 35, 2. 196 (1990).

Струков Б.А. Изв. АМ СССР сер. физ. 51. 10. 1717(1987).

Mashiyama N., Kasatani N. J.Appl.Physics, 24, 2, 802 (1985).

Hamano K., Sakata H., Ema K. J.Phys.Soc.Japan. 54, 5. 2021 (1985).

Леванюк A.П, Санников Д.Г., ФТГ, 18, 7, 1927(1976).

Струков Б.А., Леванюк А.П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М., Наука (1983) с.240.

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-06-30

Номер

Розділ

Статті