Вплив Х-опромiнення на фотоелектричні параметри гетероструктур оксид-InSe

Автор(и)

  • О. А. Політанська Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.17.38-42

Анотація

Встановлено вплив характеристичного Х-випромінювання на фотоелектричні параметри гетероструктур власний оксид - р-InSe, який проявляється в зростанні потенціального бар’єру. Показано, що зі збільшенням експозиції опромінення величина бар’єру наближається до максимально можливого значення - половини ширини забороненої зони базового матеріалу.

Досліджено вольтамперні, навантажувальні й спектральні характеристики гетероструктур, механізми струмопроходження через потенціальний бар’єр до й після Х-опромінення. Отримані результати пояснюються зміною концент­рації акцепторів у InSe після опромінення та зростанням рекомбінаційних процесів у механізмі струмопереносу.

Посилання

Р.А.Акопян, В.М.Журавлев, Изв. АН СССР, Неорганические материалы 19, 913 (1983).

Z.D.Kovalyuk, V.M.Katerynchuk, О.А.Роlitanska et al., Abstr. E-MRS Spring Meeting 2005, Symposium О (Strasbourg, France, 2005), p.B4.

Р.Ю.Алиев, К.А.Аскеров, Прикладная физика 3, 78 (1999).

Д.Ковалюк, В.Н.Катеринчук, О.А.Политанская и др., Письма ЖТФ 31, 1 (2005).

К.А.Аскеров, А.З.Абазова, Ф.К.Исаев, Прикладная физика 4, 94 (2004).

C.De Blasi, D.Manno, A.Rizzo, J. Cryst. Growth 100,347(1990).

В.Н.Катеринчук, 3. Д. Ковалюк, ФТП 38, 417(2004).

В.А.Ушаков, Прецизионный двухкристальный рентгеновский спектрометр для получения кривых качания, (ИЯФ, Новосибирск, 1980).

S.Shigetomi, H.Ohkubo, T.lkari, J. Phys. Chem. Solids 51,92 (1990).

A.Segura, M.C.Martinez-Tomas, B.Mari et al., Appl. Phys. A 44, 249 (1987).

В.С.Вавилов, Н.П.Кекелидзе, Л.С.Смирнов, Действие излучений на полупроводники (Наука, Москва, 1988)

##submission.downloads##

Опубліковано

2005-06-30

Номер

Том 17 (2005)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).