Динаміка конденсонних станів у шаруватих кристалах селеніду індію при пружних деформаціях

Автор(и)

  • L. Yu. Kharkhalis Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет, Україна
  • K. E. Gluchov Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет, Україна
  • Т. Ya. Babuka Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет Інститут фізики, Університет імені Яна Длугоша в Ченстохові, Україна
  • М. V. Lyakh Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет, Україна
  • O. Dulkai Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2018.44.9-22

Ключові слова:

Селеніди індію, Закон дисперсії з низькоенергетичною непараболічністю, Пружна деформація, Конденсонні стани

Анотація

Досліджено умови виникнення самоузгоджених локалізованих станів, зумовлених взаємодією електронів з деформацією гратки, в селенідах індію In4Se3 і b-InSe та проаналізовано вплив на них пружних деформацій. У результаті встановлена еволюція появи або зникнення конденсонних станів і визначені їхні основні характеристики (енергію зв’язку та радіус конденсона).

Посилання

Дейген М.Ф., Пекар С.И. О состоянии электрона проводимости в идеальном гомеополярном кристалле// ЖЭТФ.-1951.- Т. 21(7).- С. 803-808.

Кочелап В.А., Соколов В.Н., Венгалис Б.Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с электрон-фононным взаимодействием.- Наукова Думка, Kиев, 1984.

Кибис О.В. Образование конденсонов в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников//ФТП.- 1995.- Т.29, № 1.-С. 125- 132.

Берча Д.М., Хархалис Л.Ю., Берча А.И., Шнайдер М. Низкоэнергетическая непараболичность и конденсонные состояния в кристалле In4Se3// ФТП.- 1997.- Т.31, №11.- С. 1299-1303.

Bercha D.M., Kharkhalis L.Yu., Bercha A.I., Sznajder M. Band Structure and Condenson States in In4Se3 Crystals// Phys. Stat. Sol (b).- 1997.- V. 203. - P. 427 - 440.

Sznajder M., Rushchanskii K.Z., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M. Similarities of the band structure of In4Se3 and InSe under pressure and peculiarities of the creation of the band gap//Phys. Stat. Sol. (b). -2006.- V.243, No.3.- P. 592–609.

Берча Д.М., Хархаліс Л.Ю., Шнайдер М., Рущанський К.З., Сліпухіна І.В. Наслідки низькоенергетичної непараболічності законів дисперсії для фізичних параметрів та прояві нових ефектів в сильно анізотропних кристалах// Журнал фізичних досліджень.- 2008.- Т. 12 (4).- С.4604-1- 4604-6.

Lim Y.S., Jeong M., Seo W.-S., Lee J.-H., Park C.H., Sznajder M., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M., Jang J. Condenson state and its effects on thermoelectric properties in In4Se3// J.Phys.D.: Appl.Phys..- 2013.- V. 46. –P.275304-275308.

Jeong M., Lim Y.S., Seo W.-S., Lee J.-H., Park Ch.-H., Sznajder M., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M., Yang J. Condenson-related thermoelectric properties and formation of coherent nanoinclusions in Te-substituted In4Se3// Journ. of Materials Chemistry A.-2013.- V. 1.- P. 15342-15347.

Rhyee J.-S., Lee K.H., Lee S.M., et al. Peierls distorsion as a route to high thermoelectric performance in In4Se32d// Nature.- 2009.-V.459, No.18.- P. 965-968.

Hogg J.H.C., Sutherland H.H., Williams D.J. Crystallographic Evidence for the existence of the phases In4Se3 and In4Te3 which contain the homonuclear triatomic cation (In3)5+// Chem.Communs. -1971.- No 23. – P.1568-1569.

Hogg J.H.C., Sutherland H.H., Williams D.J. The crystal Structure of In4Se3// Acta Crystallogr.- 1973.- B.29, No. 8.- P. 1590-1593.

Берча Д.М., Мытын О.Б., Хархалис Л.Ю., Берча А.И. Природа особенностей зонного спектра кристалла In4Se3 ФТТ.- 1995.-Т.37, № 11.-С.3233-3240.

Sznajder М., Lim Y.S., Glukhov K.E., Kharkhalis L.Yu., Bercha D.M. Parameters of an unique condenson state in the structure of the In4Se3 crystal// Acta Physica Polоnica A., 2012.- V.122, No. 6.- P.1115 – 1117.

Сліпухіна В.В., Хархаліс Л.Ю., Берча Д.М. Вплив зсувних деформацій (і домішок впровадження на закони дисперсії шаруватих кристалів In4Se3/ /Uzhgorod University Scientific Herald. Series Physics.- 2006.- № 19.- С. 14-19.

Бир Г.Л., Пикус Г.Е. (1972). Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, Наука, Москва, 1972, 584 с.

Т.Ya.Babuka, K.E. Glukhov. Investigation of the energy and structural parameters of strained (β-InSe)n/(In4Se3)m superlattices// Superlattices and Microstructures.- 2016.- Р. 1-10.

Olguin D., Cantarero A., Ulrich C., et al. Effect of pressure on structural properties an energy band gaps of β-InSe// Phys.Stat.Sol. (b).- 2003.- V.235, No. 2.- P. 256 - 463.

G. da Costa P., Dandrea R.G., Wallis R.F., Balkanski M. First princples study of the electronic structure of -InSe and β- InSe // Phys. Rev. B.-1993.-V.48, No. 19.- P. 14135-14141.

Segura A., Manjon F.J., Errandonea D., et al. Specific features of the electronic structure of III-VI layered semiconductors: recent results on structural and optical measurements under pressure and electronic structure calculations//Phys.Stat.Sol (b).- 2003.- V.235, No.2.- P. 267.

Manjon F.J., Errandonea D., Segura A., et al. Experimental and theoretical study of band structure of InSe and In1-xGaxSe (x<0.2) under high: direct to indirect crossovers//Phys. Rev. B. -2001.- V. 63.- P. 125330-1-125330-12.

Бабука Т.Я., Глухов К.Є. Моделювангня енергетичних станів напружених гетероструктур на основі β-InSe/In4Se3// Uzhgorod University Scientific Herald. Series Physics.- 2014.- №. 36.- С. 7-12.

Беленький Г.Л., Салаев Е.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные эффекты в слостых кристаллах //УФН.-1988.- Т. 31, № 5.- З. 434–455.

Lee M.H., Rhyee J.S., Vaseem M., et al. Thermoelectric properties of SrTiO3 nano-particles dispersed indium selenide bulk composites. Applied Physics Letters.- 2013.- V. 102. - P. 223901-1-223901-4.

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-12-31

Номер

Том 44 (2018)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).