n<sup>+</sup> - n - InSe - n<sup>+</sup> фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.17.95-98Анотація
Показано можливість виготовлення на основі InSe подвійного симетричного гетеропереходу оксид- InSe -оксид, усі компоненти якого мають n-тип провідності. Встановлено, що фототранзисторний ефект спостерігається в широкому діапазоні товщин бази: від 7 до 110 мкм. Значне підсилення фотоструму має місце лише для товщин, що співрозмірні з дифузійною довжиною неоновних носіїв заряду. Особливістю підсилення є перехід фототранзистора з високоомного в низькоомний стан лише при певних напругах і рівнях освітлення. У режимі перемикання досягається значна густина струму ~ 200 мА/см2.Чим вищий рівень освітлення, тим менша напруга перемикання. Фоточутливість структур зафіксовано в діапазоні довжин хвиль 0,6—1,0 мкм.
Посилання
В.Н.Катеринчук, З.Д.Ковалюк, О.Н.Сидор, ТКЭА 55, 38 (2005).
P.Gomes da Costa, R.G.Dandrea, R.F.Wallis et al„ Phys. Rev. В 48, 14135 (1993).
P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, J.M.Stakhira, J. Phys. D, 34, 18(2001).
Landolt-Bomstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Ser. Group 111: Crystal and Solid State Physics, Vol. 17, subvol.f, Ed. by O.Madelung (Springer, Berlin, 1983), p 562.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2005 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).