Фотолюмінесценція кристалічного і склоподібного тіогерманату свинцю

Автор(и)

  • Д. И. Блецкан Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Н. Кабаций Мукачівський державний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2018.44.64-74

Ключові слова:

Тіогерманат свинцю, Фотолюмінесценція, Температурне гасіння ФЛ, Спектри збудження, Люкс-яркісні характеристики

Анотація

Наводяться результати порівняльного дослідження спектрів випромінювальної рекомбінації і збудження фотолюмінесценції, температурної залежності фотолюмінесценції, люкс-яркісних характеристик кристалічного і склоподібного PbGeS3 в інтервалі температур 77–300 К. Для обох фаз тіогерманату свинцю встановлено наявність широкої ІЧ-смуги випромінювання з великим стоксовим зсувом, температурне гасіння ФЛ, лінійні люкс-яркісні характеристики, що вказує на однотипність власних дефектів, які створюють локалізовані електронні стани в глибині забороненої зони, і контролюють процеси випромінювальної й безвипромінювальної рекомбінації в упорядкованій та невпорядкованій фазах.

Посилання

Bletskan D.I., Kabatsii V.M. Photoelectric properties of crystalline and glassy PbGeS3 // Open Journal of Inorganic Non-Metallic Materials. – 2013. – V. 3, № 3. – Р. 29–36.

Бордовский Г.А., Кастро Р.А. Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока // Изв. Российского гос. пед. ун-та им. А.И. Герцена. – 2002. Т. 2, № 4. – С. 7–16.

Bletskan M.M., Bletskan D.I., Kabatsii V.M. Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2015. – V. 18, № 1. – P. 012–019.

Bletskan D.I., Kabacij V.N., Studenyak I.P., Frolova V.V. Edge absorption spectra of crystalline and glassy PbGeS3 // Optics and Spectroscopy. – 2007. – V. 103, № 5. – Р. 772–776.

Блецкан Д.И., Тербан В.П., Гурзан М.И., Поторий М.В. Получение, структура и фотоэлектрические свойства кристаллов PbGeS3 и Pb2GeS4 // Известия АН СССР. Неорган. материалы. – 1990. – Т. 26, № 3. – С. 509–514.

Ribes M., Qlivier-Fourcade J., Philippot E., Maurin M. Structure Cristalline d’un Tiogermanate de Plomb a Chaines Infinies (PbGeS3)n // Acta Crystallogr. B. – 1974. – V. 30, № 6. – P. 1391–1395.

Bletskan D. I., Hryha E. M., Kabatsii V. N. Raman and photoluminescence spectra of crystalline and glassy GeS2xSe2–2x solid solutions // Inorganic Materials. – 2007. – V.43, № 2. – Р. 105–111.

Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys. – 1976. – V. 25, № 1. – P. 397–417.

Васильев В.А., Мамонтова Т.А., Чернышев А.В. Механизм излучательной рекомбинации в стеклообразном и монокристаллическом GeSe2 // ФТТ. – 1982. – Т. 24, № 6. – С. 1769–1775.

Васильев В.А., Коломиец Б.Т., Ма-монтова Т.Н., Иванов Г.Хр. Излучательная рекомбинация в стеклообразных полупроводниках Ge2S3, Ge2Sе3 и Ge–Pb–S // Письма в ЖЭТФ. – 1975. – Т. 21, № 3. – С. 183–186.

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-12-31

Номер

Том 44 (2018)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).