Особливості зворотного розсіювання повільних електронів поверхнею n-GaAs(111)
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.17.131-136Анотація
Представлено результати дослідження пружного та непружного зворотного розсіювання повільних (0-3 еВ) моноенергетичних (FWHM ~ 50-70 меВ) електронів поверхнею (111) арсеніду галію, легованого Sn. Тонку структуру в спектрах пов’язано зі збудженням поверхневих та об’ємних електронних станів. Показано, що енергетичні положення виявлених особливостей добре корелюють з енергетичними відстанями між максимумами густини електронних станів, розрахованими теоретично і визначеними іншими експериментальними методами, та суттєво доповнюють їх.
Посилання
J.Oldc, G.Mantc, H-P.Bamschcidt, L.Kipp, J-C.Kuhr, R.Manzkc, M.Skibowski, J.Henk, W.Schalkc, Phys.Rev.B 4,9958 (1990).
J.Hcnk, W.Schatkc, H.P.Bamschcidt, C.Janowitz, R.Manzkc, M.Skibovski, Phys. Rcv.B 39, 13286(1989).
Б. А. Нестеренко, О.В.Снитко, Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников (Наукова думка, Киев, 1983).
J.E.Ortcga, F.J.Hemsel, Phys.Rcv.B 47, 2130(1993).
С.А.Комолов, Интегральная вторично- електронная спектроскопия (Ленинград, 1986).
T.Ю.Попик, О.Б.Шпeник, Ю.В.Попик, ФТТ 43, 391 (2001).
Т.Ю.Попик, В.М.Фейер, М.М.Ердсвді, Ю.В.Попик, О.Б.Шпеник, УФЖ 46, 456(2001).
V.M.Fеyеr, T.Yu.Popik, O.B.Shpеnik, Yu.V.Popik, M.M.Erdеvdy, J. Electron Spеctrosc. and Related Phenomena 122, 251 (2002).
О.Б.Шпеник, Н.М.Эрдевди, Т.Ю.Попик, ЖТФ 67, 103 (1997).
O.B.Shpеnik, T.Yu.Popik, V.M.Fеyеr, Yu.V.Popik, Physica В 315, 133 (2002).
T.Yu.Popik, V.M.Fеyеr, O.B.Shpеnik, Yu.V.Popik, Rad. Phys. Chem. 68, 251 (2003).
T.Yu.Popik, V.M.Fеyеr, O.B.Shpеnik, Yu.V.Popik, Surface Science 491, 175 (2001).
T.Yu.Popik, V.M.Fеyеr, O.B.Shpеnik, Yu.V.Popik, Surface Science 499, LI 13 (2002).
Н.И.Романюк, О.Б.Шпеник, Й.А.Манди, Ф.Ф.Папп, И.В.Чернышова, ЖТФ 63, 138(1993).
О.Б.Шпеник, Н.М.Эрдевди, Н.И.Романюк, Т.Ю.Попик, А.Н. Завилопуло, ПТЭ 41, 66 (1998).
И.М.Цидильковский, Зонная структура полупроводников (Наука, Москва, 1978).
M.L.Cohеn, J.R.Chеlikowsky, in: Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, Ed. by M.Cardona (Springer, Berlin, 1989).
J.L.A.Alvеs, J.Hеbеnstrcit, M.Schеfflеr, Phys. Rev. В 44, 6188 (1991).
С.А.Комолов, Я.Галат, Вестник Ленинградского Гос. Ун-та 4, 24 (1982).
В.М. Белый, Электронные состояния на GaAs, Препринт № 89-22 (СО АН СССР, Ин-туг нсорган. химии, Новосибирск, 1989).
R.Ludеkе, L.Lеy, J. Vac. Sci. Tеchnol. 16, 1300(1979).
D.Hanеman, Adv. Phys. 31, 165 (1982).
Electron Spectroscopy for Surface Analysis, Ed. by H.Ibach (Springer, Berlin, 1977).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2005 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
