Люмінесцентні властивості плівок GaN:Mg та GaN:Zn, відпалених в атмосфері атомарного азоту

Автор(и)

  • І. В. Рогозін Бердянський державний педагогічний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.17.185-190

Анотація

Проведено дослідження впливу відпалу в атмосфері атомарного азоту на люмінесцентні властивості плівок GaN:Mg та GaN:Zn. У міру зростання температури відпалу в інтервалі 573-1073 К спостерігається зменшення інтенсивності смуг фотолюмінісценції при 2,83 еВ та 3,47 еВ і зростання інтенсивності смуг при 3,27(3,26) еВ та 3,45 еВ. Проведено критичний аналіз механізмів дефектоутворення та природи смуг, що спостерігаються.

Посилання

SJ Pеarton, J.C. Zolpеr, RJ. Shul, F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).

J.C.Zolper, M.Hagеrott Crawford, A J.Howard et al., Appl. Phys. Lett. 68, 200 (1996).

Н.И. Кравец, G.M. Laws, 1. Harrison и др ФТП 32, 1175(1998).

I.Akasaki, H.Amano, M.Kito, K.Hiramatsu, J. Luminescio 7, 114 (1973).

S.Nakamura, N.Iwasa, M.Senoh, T.Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 1258 (1992).

M.Ilegems, R.Dinglc, R.A.Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972).

A.H. Гeоргобиани, A.H. Грузинцeв, У .А. Аминов и др., ФТП 35, 149 (2001).

A.N.Georgobiani, V.l.Demin, M.O.Vorobiev et al., World Scientific, 252 (2002).

Г.А.Сукач, В.В.Кидалов, А.И.Власснко и др.,ФТП 35, 1290(2003).

R.Dinglе, D.D.Sеll, S.E.Stokowski, M.Ilcgcms, Phys. Rev. В 4, 1211 (1971).

J.l.Pankove, J. Luminesc. 7, 114(1973).

B. Monemar, J. Phys.: Condens. Matter 13, 7011 (2001).

J.Neugebauer, C.G. Van de Walle, Phys. Rev. В 50, 8067 (1994).

P. Boguslawski, E.L. Briggs, J. Bernhole, Phys. Rev. В 51, 17255(1995).

T.L. Tansley, R.J. Egan, Phys. Rev. В 45,10942(1992).

T. Mattila, R.M. Nieminen, Phys. Rev. В 55,9571 (1997).

H. Amano, K. Hiramatsu, 1. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, LI384 (1988).

K.S.Kim, C.S.Oh, W.-H.Lcc et al., J. Cryst. Growth 210, 505 (2000).

R.Y.Korotkov, M.A.Reshchikov, B.W.Wessels, Physica B. 325, 1 (2003).

S.-G. Lee, KJ. Chang, Semicond Sci. Technol. 14, 138 (1999).

E.R.Glaser, T.A.Kennedy, K.Doverspike et al., Phys. Rev. В 51, 13326(1995).

M.Leroux, N.Grandjean, B.Beaumont et al., J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).

M.A.Reshchikov, M.Zafar Iqbal, S.S.Park et al., Physica B. 340-342,444 (2003).

A.V.Andrianov, D.E.Lacklison, J.W.Orton et al., Semicond. Sci. Technol. 11, 366(1996).

A.N.Georgobiani, M.B.Kotliarevsky, l.V.Rogozin, Inorganic Materials. 40, Suppl. 1, S1 (2004).

B.Moneman, H.P.Gislason, O.Lagerstedt.J. Appl. Phys. 51, 640(1980).

K.Saarіnеn, J.Nissila, J.Oila et al., Physica B. 273-274, 33 (1999).

I.B. Рогозін, O.B. Мараховський, Наук. Вісник Ужг. унів., сер. фіз. 14,46 (2003).

##submission.downloads##

Опубліковано

2005-06-30

Номер

Розділ

Статті