Структура стекол і композитів в системі As<sub>2</sub>S<sub>3</sub>–Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>–SbI<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2019.45.27-38Ключові слова:
Халькогалогенідні стекла, Раманівські спектри, Структура, Кристалізація, СегнетоелектрикиАнотація
Приведені результати мікрораманівських, X–променевих та термографічних досліджень свіжоприготованих та відпалених стекол в системі As2S3-Sb2S3-SbI3. Встановлена наногетерогенна будова стекол. Кристалізація стекол відбувається у декілька етапів. Структура фази, яка формується в скляній матриці під час кристалізації, відповідає структурі кристалічного сульфойодиду стибію. Розміри кристалічних включень SbSI залежать від термочасових режимів обробки стекол.
Посилання
Герзанич Е.И. Сегнетоэлектрики типа AV BV I CV II / Е.И. Герзанич, В.М. Фридкин. – Москва: Наука, 1982. – 228 с.
Rubish V.M. Thermo-stimulated relaxation of SbSI glass matrix / V.M. Rubish //J. Optoelectronics Advanced Mat. – 2001. – V.3. – N 4. – P. 941–944.
Rubish V.M. Crystallization parameters of non-сrystalline antimony chalcogenides / V.M. Rubish, M.V. Dobosh, P.P. Shtets et. al. // J. Phys. Studies. – 2004. – V.8. – N 2. – P. 178–182.
Rubish V.M. Investigation of glass structure in As(Sb)-S(Se)-I systems by the methods of Raman spectroscopy and X-ray diffraction / V.M. Rubish, I. Yurkin, V. Malesh et. al. // Proc. SPIE. – 1995. – V. 2648. – P. 529–536.
Рубіш В.М. Структура ближнього порядку у склах системи Sb2S3–SbI3 / В.М. Рубіш, П.П. Штець, В.В. Рубіш, Д.Г. Семак // Вісник Ужгород. ун-ту. Серія Фізика. – 2000. – Вип. 7. – С. 58–62.
Turyanitsa I.D. Raman spectra and dielectric properties of glasses of the Sb-S-I system / I.D. Turyanitsa, L.K. Vodop’yanov, V.M. Rubish et. al. // J. Appl. Spectroscopy. – 1986. – V. 44. – N 5. – P. 501–504.
Grigas J. Spliting of the XPS in ferroelectric SbSI crystals / J. Grigas, E. Talik, V. Lazauskas // Ferroelectrics. – 2003. – V. 284. – P.147–160.
Шпак А.П. Склоутворення і властивості сплавів в халькогенідних системах на основі миш’яку та сурми / А.П. Шпак, В.М. Рубіш. – Київ: ІМФ, НАНУ, 2006. – 120 с.
Rubish V.M. Obtaining and crystallization peculiarities of antimony containing chalcogenide glasses / V.M. Rubish, M.Yu. Rigan, S.M. Gasinets et. al. // Ferroelectrics. – 2008. – V. 372. – No. 1. – P. 87–92.
Рубіш В.М. Формування сегнетоелектричних включень в матриці халькогенідного скла / В.М. Рубіш, О.Г. Гуранич, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2005. – Т. 3. – N 4. – С. 911–920.
Рубіш В.М. Аномальна поведінка діелектричної проникності халькогенідних стекол в околі температури кристалізації / В.М. Рубіш // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2007. – Т. 1. – С. 62–66.
Рубіш В.М. Особливості одержання і кристалізації стекол на основі сульфойодиду сурми / В.М. Рубіш // Фіз. і хімія тв. тіла. – 2007. – Т. 8. – N 1. – С. 41–46.
Kaynts D.I. Formation of ferroelectric nanostructures in (As2S3)100−x(SbSI)x glassy matrix / D.I. Kaynts, A.P. Shpak, V.M. Rubish et. al. // Ferroelectrics. – 2008. – V. 371. – N 1. – P. 28–33.
Рубіш В.М. Дослідження структури стекол системи As-Sb-S-I методою КР-спектроскопії / В.М. Рубіш, В.О. Стефанович, О.Г. Гуранич та ін. // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2008. – Т. 6. – N 4. – С. 1119–1127.
Рубіш В.М. Склоутворення, кристалізація і фізико-хімічні властивості сплавів в системах на основі SbSI / В.М. Рубіш, М.Ю. Риган, В.П. Перевузник та ін. // Фіз. і хімія тв. тіла. – 2009. – Т. 10. – N 4. – С. 861–866.
Shpak A.P. Optical properties and local structure of (As2S3)100−x(SbSI)x glasses / A.P. Shpak, V.M. Rubish, O.A. Mykaylo et. al. // Ukr. J. Phys. Opt. – 2010. – V. 11. – N 2. – P. 107-113.
Barj M. Formation and structure of crystalline inclusions in As2S3-SbSI and As2Sе3-SbSI systems glass matrices / M. Barj, O.A. Mykaylo, D.I. Kaynts et. al. // J. Non-Cryst. Solids. – 2011. – V. 357. – P. 2232–2234.
Rubish V.M. Crystallization study of (As2S3)100−x(SbSI)x amorphous films by optical method / V.M. Rubish, O.V. Kozusenok, P.P. Shtets et. al. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2012. – V. 15. – N 3. – P. 294–297.
Azhniuk Yu.M. Photoinduced changes in the structure of As2S3–based SbSI nanocrystalcontaining composites studied by Raman spectroscopy / Yu.M. Azhniuk, P. Bhandivad, V.M. Rubish et. al. // Ferroelectrics. – 2011. – V. 416. – P. 113–118.
Azhniuk Yu.M. SbSI nanocrystal formation in As–Sb–S–I glass under laser beam / Yu.M. Azhniuk, V. Stoyka, I. Petryshynets et. al. // Mat. Res. Bull. – 2012. – V. 47. – P. 1520–1522.
Azhniuk Yu.M. Raman and AFM studies of (As2S3)0.45(SbSI)0.55 thin films and bulk glass / Yu.M. Azhniuk, A. Villabona, A.V. Gomonnai et. al. // J. Non-Cryst. Sol. – 2014. – V. 396-397. – P. 36–40.
Рубіш В.М. Механізм формування і природа кристалічних включень в матриці стекол системи Sb2S3-AsSI / В.М. Рубіш, В.М. Мар’ян, В.О. Стефанович та ін. // Фіз. і хімія тв. тіла. – 2013. – Т. 14. – N 1. – С. 70–74.
Rubish V.M. The influence of obtaining and heat thetment conditions on the structure of As2S3-SbSI system / V.M. Rubish, L. Bih, O.A. Mykaylo et. al. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2013. – V. 16. – Nо. 2. – P. 123–127.
Петров В.В. Материалы перспективных оптоэлектронных устройств / В.В. Петров, А.А. Крючин, В.М. Рубиш. – Київ: Наукова думка, 2012. – 336 с.
Koudelká L. Raman spectra and structure of As-S-I system glasses / L. Koudelká, M. Pisárčik. // J. Non-Cryst. Solids. – 1984. – V. 64. – N 1. – P. 87–94.
Ролстен Р.Ф. Иодидные металлы и иодиды металлов / Р.Ф. Ролстен. – Москва: Металургия, 1968. – 524 с.
Rubish V.M. Thermoinduced formation of SbSI crystallites in As2S3-Sb2S3–SbI3 glass matrix / V.M. Rubish, S.M. Gasynets, O.V. Gorina et. al. // Abstr. V Ukrainian-Polish-Lithuanian Meeting on Physics of Ferroelectrics (UPLMF-V). – Uzhhorod, Ukraine. – 2018. – P. 86.
Рубіш В.М. Вплив умов відпалу на структуру і властивості стекол (As2Se3)100−x(SbSI)x та композитів на їх основі / В.М. Рубіш, С.М. Гасинець, О.В. Горіна та ін. // Науковий вісник УжНУ. Серія Фізика. – 2017. – Вип. 41. – С. 68–78.
Perry C.H. The Raman spectrum of ferroelectric SbSI / C.H. Perry, D.K. Agrawal // Solid State Communs. – 1970. – V. 8. – P. 225–230.
Teng M.K. Optical phonon analysis in the AV BV I CV II compounds / M.K. Teng, M. Balkanski, M. Massot, M. Ziolkiewicz // Phys. Status Solidi (b). – 1974. – V. 62. – P. 173–182.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2019 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
