Вплив лазерного випромінювання на структуру та оптичні властивості аморфних плівок системи миш’як–сурма–сірка
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2019.46.7-21Ключові слова:
Халькогенідні плівки, Спектри пропускання, Оптичні характеристики, Раманівські спектри, Фотоструктурні перетворенняАнотація
Наведені результати досліджень структури і спектрів пропускання плівок системи As-Sb-S з вмістом сурми до 12 ат.%, впливу на них лазерного опромінення, умов формування рельєфних зображень з шириною елементів 0.15-0.70 мкм на поверхні дисків-оригіналів з неорганічним фоторезистом As36Sb4S60. Встановлена наногете-рогенна будова стекол і плівок та визначені їх оптичні характеристики – ширина псевдозабороненої зони Eg та показника заломлення n. Показано, що збільшення вмісту Sb у складі плівок та лазерне опромінення призводять до зсуву краю поглинання у довгохвильову ділянку спектру (Eg зменшується, а n зростає) Максимальні зміни оптичних характеристик виявлені для плівок з вмістом сурми 4 ат.%. Зміни оптичних параметрів плівок викликані фотоструктурними перетвореннями, що відбуваються в них при опроміненні.
Посилання
Semak, D.I., Rizak, V.M., Rizak, I.M. (1999), «Photothermostructural Transformations of Chalcogenides» [«Fototermostrukturni peretvorennia khalkohenidiv»], Zakarpattya Publ., Uzhgorod, 392 p.
Stronski, A.V., Vlcek, M., Sklenar, A., Shepeljavi, P.E. Kostyukevich, S.A. Wagner, T. (2000), «Application of As40S60−xSex layers for high-effciency grating production», J. Non. Cryst. Solids. – 2000. – V. 266–269. – P. 973–978.
Kostyukevich, S.A., Shepeliavyi, P.E., Moskalenko, N.L. et al. (2001), «Study of mastering the compactdisks based on inorganic photoresists» [«Issledovanie protsessa masterinha kompakt-diskov na neorhanicheskikh fotorezistakh»], Data Recording, Storage & Processing, V.3, No.4, pp.5-11.
Teteris, J. (2002), «Holographic recording in amorphous chalcogenide semiconductor thin films», J. Optoelectron. Adv. Mater, V. 4, N.3, pp. 687–697.
Kostyukevich, S.A., Shepelyavy, P.E., Svechnikov, S.V. et al. (2002), «Formatiom of diffraction optical elements by using inorganic laser lithography» [«Formuvannia dyfraktsiinykh optychnykh elementiv iz vykorystanniam neorhanichnoi lazernoi litohrafii»] Data Recording, Storage & Processing, V.4, No.3, pp. 3-14.
Teteris, J., Reinfelde, M. (2003), «Application of amorphous chalcogenide semiconductor thin films in optical recording technologies», J. Optoelectron. Adv. Mater., V.5, pp. 1355-1360.
Kostyukevich, S.A., Morozovska, G.M., Minko, V.I. , Shepeliavyi,P.E., Kudryavtsev, A.A., Rubish, V.M., Rubish,V.V., Tverdokhleb,I.V., Kostiukevych1, A.S., Dyrda, S.V., (2004), «Recording the highly efficient diffraction grating by using He-Cd laser», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.7, No.4, pp. 446-451.
Petrov, V.V., Kryuchin, A.A., Kostyukevich, S.A., Rubish V.M. (2007), «Inorganic Photolitography » [«Neorhanichna fotolitohrafiia»], Institute of Metal Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, 195 р.
Venger, E.F., Melnichuk, A.V., Stronsky, A.V., (2007), «Photostimulated Process in Semiconductors and Their Practical Application. Chalcogenide Vitreous» [«Fotostimulirovannye protsessy v khalkohenidnykh stekloobraznykh poluprovodnikakh i ikh prakticheskoe primenenie »], Akademperiodika Publ., Kyiv, 283 p.
Rubish, V.M., Trunov, M.L., Lytvyn, P.M. et al. (2010), «Direct method of the surface relief gratings formation in films of chalcogenide glasses» [«Priamyi metod formuvannia poverkhnevykh reliefnykh hratok u plivkakh khalkohenidnykh stekol»], Data Recording, Storage & Processing, V.12, No.2, pp.43-51.
Eggleton, B.J., Davies, B.L., Richardson, K. (2011), «Chalcogenide photonics», Nature photonics, V.5, pp.141-148.
Petrov, V.V., Kryuchin, A.A., Rubish, V.M. (2012), «Materials for Perspective Optoelectronic Devices» [«Materialy perspektivnykh optoelektronnykh ustrojstv»], Naukova dunka-Verlag, Kiev, 336 р.
Indutnyi, I.Z., Kryuchin, A.A., Borodin, Yu.A. et al. (2013), «Optical recording of microand nano-sized relief structures on Ge-Se inorganic resists» [«Opticheskaja zapis mikro i nanorazmernykh relefnykh struktur na neorhanicheskikh rezistakh Ge-Se»], Data Recording, Storage & Processing , V.15, No.4, pp.3-12.
Petrov, V.V., Kryuchin, A.A., Kunitsky, Yu.A. et. al. (2015), «Methods of nanolithograrhy» [«Metody nanolitohrafii»], Naukowa dumka. Verlag, Kyiv, 262 р.
Rubish, V.M., Gera, E.V., Pop, M.M., Maryan, V.M., Kostyukevych, S.O., Moskalenko, N.L., Semak, D.G., Kostyukevych, K.V., Kryuchin, A.A., Petrov V.V. (2009), «Photothermoinduced changes of transmission spectra of As40−xSbxS60 amorphous layers», hrefhttps: //doi.org/10.15407/spqeo12.03.251 Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V.12, No.3, pp. 251–254.
Rubish, V.M., Pop, M.M., Mykaylo, O.A., Kryuchyn, A.A., Maryan, V.M., Durkot, M.O., Yasinko, T.I., Kostyukevich, S.O., Kostyukevich K.V., (2017), «Laser-induced changes in the optical characteristics of amorphous films of the As-Sb-S system», Scientific Herald of Uzhhorod University Physics series, No. 42, pp.14–26.
Petkov, K. (2002), «Compositional dependence of the photoinduced phenomena in thin chalcogenide films», J. Optoelectron. Adv. Mater., V.4, No. 3, pp. 611-629.
Swanepoul, R. (1983), «Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon», J. Phys. E: Sci. Instrum., V.16, pp.1214-1222.
Shpotyuk, O.I., Savitsky, I.V. (1989), «Thermal Radiation Effects in Glassy Semiconductors of As2S3–Sb2S3 system» [«Radiatsiono-termicheskie effekty v stekloobraznykh poluprovodnikakh sistemy As2S3–Sb2S3»], Ukr. Phys. J., V.34, No.6, pp.894-898.
Shpotyuk, O.I., Shwarts, K.K., Kornelyuk, V.N. et.al (1991), «Destruction Polymerization Transformations in Chalcogenide Vitreous» [«Destruktsionno-polimerizatsionnye prevrashchenia v khalkohenidnykh stekloobraznykh poluprovodnikakh»], Semiconductors. Institute of Physics, Latvian AS Publ., Riga, 105 p.
Balitska V.O., Shpotyuk O.I. (1998), «Radiation-induced structural transformations in vitreous chalcogenide semiconductors», J. Non-Cryst. Solids., V. 227-230, pp.723-727.
Shpotyuk O.I., Filipecki. J. (2003), «Free volume in vitreous chalcogenide semiconductors: possibilities of positron annihilation lifetime study», Wydawnictwo WSP Czestochowa, 114 р.
Balitska V., Shpotyuk Y., Filipecki J., Shpotyuk O. (2010), «Radiation-induced defects in As-Sb-S glass», IOP Conf. Series: Mat. Science and Engineering, V.15, pp. 012054, (1-6).
Turyanitsa I.D., Vodop’yanov L.K., Rubish V.M., Kengerlinskii, L.Yu., Dobosh, M.V. (1986), «Raman spectra and dielectric properties of glasses of the Sb-S-I system», J. Appl. Spectroscopy, V.44, Iss.5, pp. 501-504.
Kato M., Onari S., Arai T. (1983), «Far infrared and Raman spectra in (As2S3)100−x(Sb2S3)x glasses», Jap. J. Appl. Phys., V.22, No.9, pp. 1382-1387.
El Idrissi Raghni M.A., Lippens P.E., Olivier-Fourcade J., Jumas J.C. (1995), «Local structure of glasses in the As−2S3-Sb2S3 system», J. Non-Cryst. Solids., V.192&193, pp.191-194.
Rubish, V.M., Rubish, V.V., Leonov, D.S. et al. (2004), «Features of the structure and structural transformations in chalcogenide glassy semiconductors» [«Osoblyvosti struktury i strukturnykh peretvoren v khalkohenidnykh sklopodibnykh napivprovidnykakh»], Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, V.2, No.2, pp.417–440.
Kostyukevich S.A., Shepeliavyi P.E., Morozovska G.M., (2005), «Information recording in thin layers of chalcogenide semiconductors based on photoinduced transformations», [«Zapis informatsii v tonkih sloyah halkogenidnyih poluprovodnikov, osnovannaya na fotoindutsirovannyih preobrazovaniyah»], J. Opt. Technology, V.72, No.5, pp. 76–80.
Kostyukevych S.A., Kryuchyn A.A., Morozovska A.N., Petrov, V.V., Shepeliavyi, P.E., Kostyukevich, E.V., Tverdokhleb, I.V. (2005), «Investigation of the Process for Manufacturing Optoelectronic Devices Using Non-Organic Photoresists», Proc. of SPIE, V. 5713, pp.43–53.
Kryuchyn A.A., Petrov V.V., Rubish V.M. Trunov, M.L., Lytvyn, P.M., Kostyukevich, S.A. (2018), «Formation of Nanoscale Structures on Chalcogenide Films», Physica status solidi. B., V.255, No. 6, pp. 1700405 (1-5).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2019 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
