Ab initio дослідження електрон-фононної взаємодії у халькогенідах індію

Автор(и)

  • К. Є. Глухов Ужгородський національний університет, Україна
  • Л. Ю. Хархаліс Ужгородський національний університет, Україна
  • Т. Я. Бабука Ужгородський національний університет, Україна
  • М. В. Лях Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2019.46.40-47

Ключові слова:

Селеніди індію, Електрон-фононна взаємодія, Першопринципні розрахунки, Спектральна функція Еліашберга

Анотація

Вперше проведено першопринципні дослідження електрон-фононної взаємодії в шаруватих кристалах β-InSe і In4Se3. Одержано константи електрон-фононної взаємодії, спектральні функції Еліашберга та уширення фононних гілок, зумовлених цією взаємодією. Розраховані величини ізотропних параметрів електрон-фононного зв’язку демонструють кількісне збільшення взаємодії електронної та фононної підсистем при переході від β-InSe до In4Se3, що узгоджується зі зростанням середнього перекриття атомних функцій. Встановлено, що основний вклад в означені характеристики вносять високочастотні оптичні моди, відповідні за коливання у перпендикулярному до площини шарів напрямку.

Посилання

Rhyee J.-S. Peierls distortion as a route to high thermoelectric performance in In4Se3−2d / J.-S.Rhyee, E.Cho, S.I.Kim, E.Lee, Y.S.Kwon, J.H.Shim, G.Kotliar//Nature.—2009.— V.459.—P.965–968.

Lim Y.S. Condenson state and its effects on thermoelectric properties in In4Se3/ Y.S. Lim, M. Jeong, W.-S. Seo, J.-H. Lee, C.H. Park, M. Sznajder, L.Yu. Kharkhalis, D.M. Bercha, J.Jang//J.Phys.D.:Appl.Phys.—2013.—V.46.—P.275304–275308.

Jeong M. Condenson-related thermoelectric properties and formation of coherent nanoinclusions in Te-substituted In4Se3 / M. Jeong, Y.S. Lim, W.-S. Seo, J.-H. Lee, Ch.-H. Park, M. Sznajder, L.Yu. Kharkhalis, D.M. Bercha, J. Yang // Journ. of Materials ChemistryA.—2013.—V.1.—P.15342–15347.

Bercha D.M. Band Structure and Condenson States in In4Se3 Crystals / D.M. Bercha, L.Yu.Kharkhalis,A.I.Bercha,M.Sznajder//Phys.Stat.Sol(b).—1997.—V.203.—P.427– 440.

Sznajder M. Parameters of an unique condenson state in the structure of the In4Se3 crystal / M. Sznajder, Y. Lim, K. Glukhov, L. Kharkhalis, D. Bercha // Acta Physica Polоnica A.— 2012.—V.122,№6.—P.1115–1117.

Lugovskoi A.V. Strongelectron-phonon coupling and its influence on the transport and optical properties of hole-doped single-layer InSe / A.V.Lugovskoi, M.I.Katsnelson, A.N.Rudenko //Physical Review Letters.—2019.—V.123.—P.176401–176407.

Hamer M.J. Indirect to Direct Gap Crossoverin Two Dimensional InSe Revealed by Angle Resolved Photoemission Spectroscopy / M.J.Hamer, J.Zultak, A.V.Tyurnina, V.Zolyomi// ACSNano.—2019.—V.13.—P.2136–2142.

Sznajder M. Similarities of the band structure of In4Se3 and InSe under pressure and peculiarities of the creation of the band gap / M. Sznajder, K. Rushchanskii, L. Kharkhalis, D.M.Bercha//Phys.Stat.Sol.(b).—2006.—V.243,No.3.—P.592–609.

Glukhov K.E. Elementary energy bands concept, band structure and peculiriaties of bonding in β-InSe crystal / K.E. Glukhov, N.K. Tovstyuk // Phys.Stat.Sol. (b).— 2010.— V.247, No.2.—P.318–324.

Bercha D. Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In4Se3 crystals / D. Bercha, K.Rushchanskii and L.Kharkhalis // Condensed Matter Physics.—2000.—V.3.—No.4.— P.749—757.

Gonze X. First-principles computation of material properties: the ABINIT software project / X.Gonze, J.Beuken, R.Caracas, F.Detraux, M.Fuchs, G.Rignanese, L.Sindic, G.Verstraete, G. Zerah, F. Jollet, M. Torent, A.Roy, M. Mikami, P. Ghosez, J.-Y. Raty, and D. Allan// Comput.Mater.Sci.—2002.—V.25.—P.478.

Payne M. Iterative minimization techniques for abinitiototal-energy calculations: molecular dynamics and conjugate gradients / M.Payne, M.Teter,D.Allan, T.Ariasand J.Joannopoulos //Rev.Mod.Phys.—1992.—V.64.—P.1045–1097.

Hohenberg P. Inhomogeneous Electron Gas / P.Hohenberg, W.Kohn // Phys.Rev.—1964.— V.136,№3.—P.B864–B871.

Baroni S. Green’s-function approach to linear response in solids / S. Baroni, P. Giannozzi, and A.Testa // Phys.Rev.Lett.—1987.—V.59.—P.2662—2665.

Gonze X. First-principles responses of solids to atomic displacements and homogeneous electric fields: Implementation of a conjugate-gradient algorithm / X. Gonze // Phys. Rev. B.—1997.—V.55.—P.10337–10354.

Dacorogna M.M. Self-Consistent Calculation of the q Dependence of the Electron-Phonon Coupling in Aluminum /M.M. Dacorogna, M.L. Cohen, and P.K. Lam, Phys. Rev. Lett.— 1985.—V.55.—P.837–840.

Lam P.K. Self-consistent calculation of electron-phonon couplings / P.K. Lam, M.M.Dacorogna,andM.L.Cohen//Phys.Rev.B.—1986.—V.34.—P.5065–5069.

Savrasov S. Electron-phonon interactions and related physical properties of metals from linear-response theory / S. Savrasov and D. Savrasov // Phys. Rev. B.— 1996.— V.54.— P.16487–16501.

##submission.downloads##

Опубліковано

2019-12-31

Номер

Розділ

Статті