Барична поведінка діелектричної проникності кристалів TlIn(S<sub>0.99</sub>Se<sub>0.01</sub>)<sub>2</sub>

Автор(и)

  • Р. В. Росул Ужгородський національний університет, Україна
  • П. П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна
  • О. О. Гомоннай Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • О. В. Гомоннай Інститут електронної фізики, Україна
  • І. Ю. Роман Інститут електронної фізики, Україна
  • П. П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.37.26-29

Ключові слова:

Cегнетоелектрики, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, фазові переходи

Анотація

Досліджено діелектричні властивості кристалів TlIn(S0.99Se0.01)2 в околі фазових переходів при гідростатичних тисках до 700 МПа. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності в область вищих температур та появи при тисках р>500 МПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма.

Посилання

Gomonnai A.V., Petryshynets I., Azhniuk Yu.M., Gomonnai O.O., Roman I.Yu., Turok I.I., Solomon A.M., Rosul R.R., Zahn D.R.T. Growth and characterisation of sulphur-rich TlIn(S1−xSex)2 single crystals// Journal of Crystal Growth. –2013. – V.367. – P.35–41.

Panich A.M., Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors// J. Phys.: Condens. Matter. – 2008. – V.20, № 29. – 293202 (42 pp).

Mikailov F.A., Basaran E., Mammadov T.G., Seyidov M.Y., Senturk E., Currat R., Dielectric susceptibility behaviour in the incommensurate phase of TlInS2 //Physica B. Condensed Matter. – 2003. – V. 334, № (1-2). – Р.13-20.

Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние „отрицательного химического“ давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2//ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С.2365 – 2370.

Gomonnai O.O., Rosul R.R., Guranich P.P., Slivka A.G., Roman I.Yu., Rigan M.Yu. Optical properties of TlInS2 layered crystal under ressure// High Pressure Research. – 2012. –Vol. 32, №1. – P. 39-42.

Gomonnai O.O., Guranich P.P., Rigan M.Y., Roman I.Y., Slivka A.G. Еffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2// High Press. Research. –2008. – Vol. 28, № 4. – P. 615-619.

Gomonnai A.A., Guranich P.P., Slivka A.G., Rigan M.Yu., Roman I.Yu. Pressure behaviour of pyroelectric coefficient in TlInS2 and TlGaSe2 layered crystals// FTVD. –2009. – Vol. 19, №1. – P. 151-156.

Гомоннай О.О., Гуранич П.П., Сливка О.Г., Риган М.Ю., Роман І.Ю. Залежність діелектричних властивостей кристалів TlInS2. від температури та гідростатичного тиску //Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. – 2009. – №23. –C.126-129.

Guranich P.P., Rosul R.R., Gomonnai O.O., Slivka A.G., Roman I.Yu., Gomonnai A.V. Ferroelasticity of TlInS2 crystal// Solid State Communication. – April 2014. –184. –P.21-24.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-06-01

Номер

Розділ

Статті