Вплив методу та умов вирощування на електричні властивості кристалів SnS<sub>2</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.37.70-78Ключові слова:
Дисульфід олова, електропровідність, рухливість носіїв заряду, ефективні масиАнотація
Узагальнено результати дослідження електропровідності, холлівської рухливості та ефективних мас електронів і дірок у шаруватих кристалах SnS2, вирощених методами хімічних транспортних реакцій, статичної сублімації й Бріджмена. Показано, що високе значення анізотропії електропровідності (с / ||с = 103-104) не зв’язане з анізотропією ефективних мас електронів, а зумовлене наявністю плоских протяжних дефектів упаковки шарів в реальних кристалах, які є потенціальними бар’єрами для електронів.
Посилання
Блецкан Д.И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе. – Ужгород. ВАТ «Видавництво «Закарпаття»». – 2004. – Т. І. – 292 с.
Morales J., Perez-Vicente C., Torado J.L. Chemical and electrochemical lithium intercalation and staging in 2H-SnS2 // Sol. St. Ionics. – 1992. – V.51, № 3–4. – P.133–138.
Zai J., Wang K., Su Y., Qian X., Chen J. High stability and superior rate capability of three-dimensional hierarchical SnS2 microspheres as anode material in lithium ion batteries // J. Power Sources. – 2011. – V. 196. – P. 3650–3654.
Shi W., Huo L., Wang H., Zhang H., Yang J., Wei P. Hydrothermal growth and gas sensing property of flower-shaped SnS2 nanostructures // Nanotechnol. – 2006. – V. 17, № 12. – Р.2918–2924.
Schlaf R., Pettenkofer C., Jaegermann W. Band lineup of a SnS2/SnSe2/SnS2 semiconductor quantum well structure prepared by van der Waals epitaxy // Journal of Applied Physics. – 1999. – V. 85, № 9. – P. 6550–6556.
Катеринчук В.М., Ковалюк М.З. Вплив інверсійного шару на електричні властивості гетеропереходу n-SnS2-p-InSe // Укр. фіз. ж. - 1993. - Т. 38, № 2. - С. 259-262.
Arora S.K., Patel D.H., Agarwal M.K. Electrical and optical behaviour of vapour-grown SnS2 crystals // J. Mater. Sci. – 1994. – V. 29. – P. 3979–3983.
Kourtakis K., DiCarlo J., Kershaw R., Dwight K., Wold A. Preparation and characterization of SnS2 // J. Solid State Chem. – 1988. – V. 76. – Р. 186–191.
Блецкан Д.И., Копинец И.Ф., Миголинец И.М., Микуланинец С.В. Получение и исследование свойств монокристаллов SnS2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1976. – Т. 12, № 12. – С. 2138–2141.
Блецкан Д.И. Получение, оптические и фотоэлектрические свойства 2Н- и 4Н- политипов SnS2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1984. – Т. 20, № 9. – С. 1454–1458.
George J., Valsala Kumari C.K. Electrical characterization of tin disulphide crystals // Solid State Commun. – 1984. – V. 49, № 1. – P. 103–106.
Conroy L., Park K.C. Electrical properties of the group IV disulfides TiS2, ZnS2, HfS2, and SnS2 // Inorg. Chem. – 1968. – V. 7, № 3. – P. 459–463.
Said G., Lee P.A. Electrical conduction mechanisms in tin disulphide // Phys. Status Solidi (а). – 1973. – V. 15, № 1. – P.99–103.
Shibata T., Muranushi Y., Miura T., Kishi T. Electrical characterization of 2H-SnS2 single crystals synthesized by the low temperature chemical vapor transport method // J. Phys. Chem. Solids. – 1991. – V. 52, № 3. – P. 551–553.
Ishizawa Y., Fujuki Y. Hall mobility in SnS2 single crystals // J. Phys. Soc. Japan. – 1973. – V. 35, № 4. – P. 1259.
Patil S.G., Tredgold R.H. Electrical and photoconductive properties of SnS2 crystals // J.Phys. D: Appl. Phys. – 1971. – V.4, № 5. – P. 718–722.
Domingo G., Itoga R.S., Kannewurf C.R. Fundamental optical absorption in SnS2 and SnSe2 // Phys. Rev. – 1966. – V. 143, № 2. – P. 536–541.
Lee P.A., Said G., Davis R. Negative resistance and switching effect in the single crystal layer compounds SnS2 and ZnS2 // Solid State Commun. – 1969. – V. 7, № 18. – P. 1359–1361.
Gowers J.P., Lee P.A. Mobility of electrons in SnS2 single crystals // Solid State Commun. – 1970. – V. 8, № 18. – P. 1447–1449.
Acharya S., Srivastava O.N. Electronic bandgap measurements of SnS2 polytypes // Phys. Status Solidi (a). – 1979. – V. 56, № 1. – P. K1–K4.
Acharya S., Srivastava O.N. Electronic behaviour of SnS2 crystals // Phys. Stat. Solidi (a). – 1981. – V. 65, № 2. – P. 717–723.
Julien C., Eddrief M., Samaras I., Balkanski M. Optical and electrical characterizations of SnSe, SnS2 and SnSe2 single crystals // Mater. Sci. Eng. B. – 1992. – V.15, №1. – P. 70–72.
Sharp L., Soltz D., Parkinson B.A. Growth and characterization of tin disulfide single crystals // Crystal Growth & Design. – 2006. – V.6, № 6. – Р.1523–1527.
Maschke K. Influence of stacking disorder on the electronic properties of layered semiconductors // Crystal Research and Technology. – 1981. – V. 16, № 2. – P. 265–269.
Блецкан Д. І., Фролова В. В., Глухов К. Є. Електронна структура 2Н-SnS2 // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2009, № 25, С.8–23.
Savitskii P.I., Mintyanskii I.V., Kovalyuk Z.D. Annealing effect on conductivity anisotropy in indium selenide single crystals // Physica Status Solidi (a). – 1996. – V. 155, № 2. P. 451–460.
Kress-Rogers E., Nicholas R.J., Portal J.C., Chevy A. Cyclotron resonance studies on bulk and two-dimensional conduction electrons in InSe // Solid State Communications. – 1982. –V 44, № 3. – P. 379–383.
Evans B.L., Young P.A. Delocalized excitons in thin anisotropic crystals // Phys. Stat. Sol. B. – 1968. – V.25, № 1. – P. 417–425.
Fivaz R. C., Schmid Ph. E. Transport properties of layered semiconductors // Physics and chemistry of materials with layred structures, by D.Reidel Publishing Company, Dordrech Holland. – 1976. – P. 343–384.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
