Пружні модулі, раманівські спектри та теплопровідність в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.37.98-103Ключові слова:
Халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, реальгар, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модуліАнотація
При різному способі зміни складу вздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 середня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As2S3-GeS2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайніх членах розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, відповідно, в матриці структури потрійних стекол As2S3-Ge2S3, з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення нанофаз реальгару, парареальгару (As4S4) та диморфіту (As4S3). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зменшення теплопровідності.
Посилання
Mitsa V., Holomb R., Veres M., Koуs M. Raman szуrбs nanoszerkezetű kalkogenid ьvegekben. Hungarian Academy of Sciences. Budapest: Intermix Kiadу, - 2009. - 104 p.
Sparks M. Material for high–power window and mirror coatings and multilayers dielectric reflectors // U.S. Dep. Commer. NBS Publ. – 1976. №462. – P. 203–213.
Fekeshgazi I., May K., Mitsa V., and Vakaruk A. In “Physics and Applications of Non-Crystalline Semiconductors in Optoelectronics” , edited by A. Andriesh, and M. Bertolotti, Kluwer Academic Publishers// NATO ASI Series 3, High Technology., – 1997 – Vol.36. -243 p.
Mitsa V., Holomb R., Veres M., Marton A., Rosola I., Fekeshgazi I., Koуs M. Non-linear optical properties and structure of wide band gap non-crystalline semiconductors. // Phys. Stat. Sol. C. 2011. – Vol.8, №.9. – pp. 2696-2700.
Мюллер Р.Л. Химия твердого тела и стеклообразное состояние // Химия твердого тела. – Л.: Изд. ЛГУ, 1965. – С. 9–63.
Quantum Design. Physical Property Measurement System: AC Transport Option User’s Manual. // -2001. - Part Number 1684-100B. –P. 77.
Thorpe M., Cai J. Mechanical and vibrational properties of network structure // J. Non–Cryst. Sol. –1989. –Vol.114, N 1. – P. 19–24.
Tanaka K. Structural phase transitions in chalcogenide glasses // Phys. Rev. – 1989. – V. 39. – P. 1270-1279.
Кондрат А.Б., Попович Н.И., Мица В.М., Савченко Н.Д.. Область структу-рной кореляции в стеклах (GeS2)X(As2S3)1-X // Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics. Issue 31. – 2012. – Р. 71-78.
Mitsa V., Holomb R., Lovas G., Veresh M., Borkach E., Kovacs T., Rigo I. // Effect of fragments of low-and high-temperature crystalline phases in germanium disulfide formation of mixed middle order in the technologically modified glassy c-GeS2: difference Raman spectra and first principle calculations (Ukrainian) // Science and Education a New Dimension: Natural and Technical Sciences, I(2), Issue: 15, – 2013. Pp.62-66.
Holomb R., Mitsa V., Johansson P., Mateleshko N., Matic A., Veresh M. Energy-dependence of light-induced changes in g-As45S55 during recording the micro-Raman spectra // Chalcogenide Letters - 2005. - Vol. 2, №.7. - pp. 63-69.
Holomb R., Mateleshko N., Mitsa V., Johansson P., Matic A., Veres M. New evidence of light-induced structural changes detected in As-S glasses by photon energy dependent Raman spectroscopy // J. Non-Cryst. Sol. - 2006. - Vol.352. - P. 1607-1611.
Gamulin O., Ivanda M., Mitsa V./ Spectroscopy studies of structural phase transitions of chalcogenide glass thin films Ge2S3-As2S3 at coordination number 2.67 // Solid State Communication. - 2005. - Vol.135. –P.753-758.
Gamulina O., Ivanda M., Mitsa V., Balarina M., Kosović M. /Monitoring structural phase transition of (Ge2S3)x(As2S3)1-x chalcogenide glass with Raman spectroscopy// Journal of Molecular Structure. -2011.-Vol. 993, Issues 1–3.- pp. 264–268.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
