Термоэлектрические коэффициенты в транспортной модели Ландауэра-Датты-Лундстрома
DOI:
https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.35893Ключевые слова:
нанофизика, наноэлектроника, молекулярная электроника, термоэлектрические коэффициенты, интегралы Ферми-ДиракаАннотация
С позиций концепции «снизу-вверх» транспортной модели Ландауэра –Датты-Лундстрома строго выведены основные уравнения термоэлектричества с соответствующими транспортными коэффициентами для 1D проводников в баллистическом режиме и для 3D проводников в диффузионном режиме с произвольной дисперсией и любого масштаба. Приведены термоэлектрические коэффициенты для 1D, 2D и 3D проводников с параболической дисперсией в баллистическом и диффузионном режимах через стандартные интегралы Ферми-Дирака.
Библиографические ссылки
Kruglyak, Yu. A. (2013). The Generalized Landauer-Datta-Lunstrom Electron Transport Model. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 11 (3), 519–549. Erratum: ibid, (2014)., 12 (2), 415.
Kruglyak, Yu. A. (2013). From Ballistic Conductivity to Diffusional in the Landauer-Datta-Lunstrom. Transport Model, Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 11 (4), 655–677.
Kruglyak, Yu. A. (2014). Thermoelectric phenomena and devices in the Landauer-Datta-Lunstrom approach. ScienceRise, 3/2(5), 73–88. doi: 10.15587/2313-8416.2014.27967
Lundstom, M., Guo, J. (2006). Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. Berlin: Springer, 218.
Kim, R., Lundstrom, M. S. Notes on Fermi – Dirac Integrals. Purdue University. Available at: www.nanohub.org/resources/5475
Lundstrom, M., Jeong, C. (2013). Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. Available at: www.nanohub.org/resources/11763
Sommerfeld, A. (1928). An electronic theory of the metals based on Fermi's statistics. Journal of Physics, 47 (1), 1.
Ashcroft, N. W., Mermin, N. D. (1979). Solid State Physics (Philadelphia: Suanders College, 486.
Geballe, T. N., Hull, G. W. (1954). Seebeck Effect in Germanium, Physical Review, 94 (5), 1134–1140. doi: 10.1103/physrev.94.1134
Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley, 792.
Kim, R. S. (2011). Physics and Simulation of Nanoscale Electronic and Thermoelectric Devices. West Lafayette: Purdue University, 218.
Supriyo, D. (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 473. Available at: www.nanohub.org/courses/FoN1
Kruglyak, Yu. A., Kruglyak, N. Yu., Strikha, М. V. (2013). Lessons of nanoelectronics. Thermoelectric phenomena in «bottom – up» approach, Sensor Electronics Microsys. Tech., 13 (1), 6–21.
Kruglyak, Yu. A. (2013). Lessons of nanoelectronics. 4. Thermoelectric phenomena in «bottom – up» approach. Physics in Higher Education, 19 (4), 70–85.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2014 Юрій Олексійович Кругляк
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Наше издание использует положения об авторских правах Creative Commons CC BY для журналов открытого доступа.
Авторы, которые публикуются в этом журнале, соглашаются со следующими условиями:
1. Авторы оставляют за собой право на авторство своей работы и передают журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons CC BY, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылкой на авторов оригинальной работы и первую публикацию работы в этом журнале.
2. Авторы имеют право заключать самостоятельные дополнительные соглашения, которые касаются неэксклюзивного распространения работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном хранилище учреждения или публиковать в составе монографии), при условии сохранения ссылки на первую публикацию работы в этом журнале .
