Влияние кислорода и углерода на образование окислительных дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии

Авторы

  • Иван Федорович Червоный Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine
  • Алексей Вадимович Бубинец Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.53451

Ключевые слова:

кремний, монокристалл, кислород, углерод, окислительный дефект упаковки, расплав, нагреватель, метод Чохральского, микродефекты

Аннотация

Экспериментально установлено, что плотность окислительных дефектов упаковки (ОДУ) в монокристаллических пластинах кремния, легированных бором, тем выше, чем больше отношение концентрации атомов кислорода к концентрации атомов углерода в них. По результатам исследования геометрии колец ОДУ в разных сечениях монокристалла реконструирована геометрия областей с разной их плотностью. При корректировке режимов выращивания монокристаллов кремния достигается повышение выхода годного продукта

Биографии авторов

Иван Федорович Червоный, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой

Кафедра металлурги цветных металлов

Алексей Вадимович Бубинец, Запорожская государственная инженерная академия пр. Ленина 226, г. Запорожье, Украина, 69006

Кафедра металлургии цветных металлов

Библиографические ссылки

Rejvi, K.; Gorina, S. N. (Ed.) (1984). Defekty i primesi v poluprovodnikovom kremnii. Moscow: Mir, 470.

Sadamitsu, S., Okui, M., Sueoka, K., Marsden, K., Shigematsu, T. (1995). A Model for the Formation of Oxidation-Induced Stacking Faults in Czochralski Silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 34, L597–L599. doi: 10.1143/jjap.34.l597

Sinno, T. (1999). Modeling Microdefect Formation in Czochralski Silicon. Journal of The Electrochemical Society, 146 (6), 2300. doi: 10.1149/1.1391931

Saishoji, T., Nakamura, К., Nakajima, Н., Yokoyama, N., Ishikawa, F., Tomioka, J. (1998). Formation behavior of grown–in defects in silicon during Czochralski crystal – growth. Electrochtm. Soc. Proc., 98 (13), 28–40.

Wijaranakula, W. (1992). Numerical Modeling of the Point Defect Aggregation during the Czochralski Silicon Crystal Growth. Journal of The Electrochemical Society, 139 (2), 604. doi: 10.1149/1.2069265

ASTM F1188-00 (2000). Standard test method for interstitial atomic oxygen content of silicon by infrared absorption. ASTM International, West Conshohocken, PA. doi: 10.1520/f1188-00

ASTM F1391-93 (2000). Standard test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption. ASTM International, West Conshohocken, PA. doi: 10.1520/f1391-93r00

ASTM F1188 (2000). Standard practice for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers. ASTM International, West Conshohocken, PA.

ASTM F1809 (2000). Standard guide for selection and use of etching solutions to delineate structural defects in silicon. ASTM International, West Conshohocken, PA.

ASTM F1810 (2000). Standard test method for counting preferentially etched or decorated surface defects in silicon wafers. ASTM International, West Conshohocken, PA.

Taran, Ju. N., Kucova, V. Z., Chervonyj, I. F. et. al; Tarana, Ju. N. (Ed.) (2004). Poluprovodnikovyj kremnij: teorija i tehnologija proizvodstva. Zaporozh'e: ZGIA, 344.

Rekov, Ju. V., Chervonyj, I. F., Shvec, E. Ja., Golovko, Ju. V. (2012). Influencе of carbon atoms on formation of impurity complexes in silicon single crystals. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4/5 (58), 24–27. Available at: http://jet.com.ua/images/stories/vipsat/pfm/24_27.pdf

Загрузки

Опубликован

2015-11-23

Выпуск

Раздел

Технические науки