Влияние кислорода и углерода на образование окислительных дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии
DOI:
https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.53451Ключевые слова:
кремний, монокристалл, кислород, углерод, окислительный дефект упаковки, расплав, нагреватель, метод Чохральского, микродефектыАннотация
Экспериментально установлено, что плотность окислительных дефектов упаковки (ОДУ) в монокристаллических пластинах кремния, легированных бором, тем выше, чем больше отношение концентрации атомов кислорода к концентрации атомов углерода в них. По результатам исследования геометрии колец ОДУ в разных сечениях монокристалла реконструирована геометрия областей с разной их плотностью. При корректировке режимов выращивания монокристаллов кремния достигается повышение выхода годного продукта
Библиографические ссылки
Rejvi, K.; Gorina, S. N. (Ed.) (1984). Defekty i primesi v poluprovodnikovom kremnii. Moscow: Mir, 470.
Sadamitsu, S., Okui, M., Sueoka, K., Marsden, K., Shigematsu, T. (1995). A Model for the Formation of Oxidation-Induced Stacking Faults in Czochralski Silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 34, L597–L599. doi: 10.1143/jjap.34.l597
Sinno, T. (1999). Modeling Microdefect Formation in Czochralski Silicon. Journal of The Electrochemical Society, 146 (6), 2300. doi: 10.1149/1.1391931
Saishoji, T., Nakamura, К., Nakajima, Н., Yokoyama, N., Ishikawa, F., Tomioka, J. (1998). Formation behavior of grown–in defects in silicon during Czochralski crystal – growth. Electrochtm. Soc. Proc., 98 (13), 28–40.
Wijaranakula, W. (1992). Numerical Modeling of the Point Defect Aggregation during the Czochralski Silicon Crystal Growth. Journal of The Electrochemical Society, 139 (2), 604. doi: 10.1149/1.2069265
ASTM F1188-00 (2000). Standard test method for interstitial atomic oxygen content of silicon by infrared absorption. ASTM International, West Conshohocken, PA. doi: 10.1520/f1188-00
ASTM F1391-93 (2000). Standard test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption. ASTM International, West Conshohocken, PA. doi: 10.1520/f1391-93r00
ASTM F1188 (2000). Standard practice for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers. ASTM International, West Conshohocken, PA.
ASTM F1809 (2000). Standard guide for selection and use of etching solutions to delineate structural defects in silicon. ASTM International, West Conshohocken, PA.
ASTM F1810 (2000). Standard test method for counting preferentially etched or decorated surface defects in silicon wafers. ASTM International, West Conshohocken, PA.
Taran, Ju. N., Kucova, V. Z., Chervonyj, I. F. et. al; Tarana, Ju. N. (Ed.) (2004). Poluprovodnikovyj kremnij: teorija i tehnologija proizvodstva. Zaporozh'e: ZGIA, 344.
Rekov, Ju. V., Chervonyj, I. F., Shvec, E. Ja., Golovko, Ju. V. (2012). Influencе of carbon atoms on formation of impurity complexes in silicon single crystals. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4/5 (58), 24–27. Available at: http://jet.com.ua/images/stories/vipsat/pfm/24_27.pdf
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2015 Иван Федорович Червоный, Алексей Вадимович Бубинец
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Наше издание использует положения об авторских правах Creative Commons CC BY для журналов открытого доступа.
Авторы, которые публикуются в этом журнале, соглашаются со следующими условиями:
1. Авторы оставляют за собой право на авторство своей работы и передают журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons CC BY, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылкой на авторов оригинальной работы и первую публикацию работы в этом журнале.
2. Авторы имеют право заключать самостоятельные дополнительные соглашения, которые касаются неэксклюзивного распространения работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном хранилище учреждения или публиковать в составе монографии), при условии сохранения ссылки на первую публикацию работы в этом журнале .
