Модель проводимости Ландауэра-Датты-Лундстрома в микро- и наноэлектронике и транспортное уравнение Больцмана

Автор(и)

  • Юрій Олексійович Кругляк Одеський державний екологічний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.38848

Ключові слова:

нанофизика, наноэлектроника, уравнение Больцмана, время релаксации, поверхностная проводимость, эффект Холла, холловская подвижность, холловский фактор

Анотація

Рассматривается роль транспортного уравнения Больцмана (ТУБ) в модели Ландауэра-Датты-Лундстрома (ЛДЛ) переноса электронов и тепла. В качестве приложения ТУБ обсуждается решение ТУБ в приближении времени релаксации, выводится привычное для модели ЛДЛ выражение для поверхностной проводимости и рассматривается поведение тока во внешнем магнитном поле

Біографія автора

Юрій Олексійович Кругляк, Одеський державний екологічний університет

Доктор хімічних наук, професор

Кафедра інформаційних технологій

Посилання

Kruglyak, Yu. A., Strikha, M. V. (2014).Lessons of nanoelectronics: The role of electrostatics and contacts in “bottom – up” approach, Sensor Electronics Microsys. Tech., 11, 4–5.

Kruglyak, Y. (2014). Landauer–Datta–Lundstrom Generalized Transport Model for Nanoelectronics. Journal of Nanoscience, 2014, 1–15. doi: 10.1155/2014/725420

Bol'cman, L. (1984). Izbrannye trudy. Moscow: Mir, 590.

Lundstrom, M. (2000). Fundamentals of Carrier Transport. Cambridge UK: Cambridge University Press, 415. doi: 10.1017/cbo9780511618611

Lundstrom, M., Jeong, C. (2013). Near–Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 227. Available at: www.nanohub.org/resources/11763.

Sears, F. W., Salinger, G. L. (1975). Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. Boston: Addison–Wesley.

Ziman, J. M. (1964). Principles of the theory of solids, Cambridge University Press, Cambridge, 468.

Ashcroft, N. W., Mermin, N. D. (1979). Solid State Physics. Philadelphia: Suanders College, 458.

Pikulin, D. I., Hou, C.-Y., Beenakker, C. W. J. (2011). Nernst effect beyond the relaxation-time approximation. Physical Review B, 84 (3). doi: 10.1103/physrevb.84.035133

Kruglyak, Yu. A., Kruglyak, N. E., Strikha, M. V. (2013). Lessons of nanoelectronics: Thermoelectric phenomena in “bottom – up” approach, Sensor Electronics Microsys. Tech., 10, 1–6.

Lundstrom, M. (2011). Electronic Transport in Semiconductors. Available at: www.nanohub.org/resources/11872

Kruglyak, Yu. A. (2015). Thermoelectric phenomena and devices in Landauer-Datta-Lundstrom Conception. ScienceRise, 1/2 (6), 69–77. doi: 10.15587/2313-8416.2015.35891

Kruglyak, Yu. A., Strikha, M. V. (2015). Landauer-Datta-Lundstrom generalized electron transport model for micro– and nanoelectronics. Sensor Electronics Microsys. Tech., 12, 2–5.

Kruglyak, Yu. A. (2015). Accounting for scattering in Landauer – Datta – Lundstrom transport model, ScienceRise, 3/2(8), ??–??. doi: 10.15587/2313-8416.2015.38847

Jeong, C., Kim, R., Luisier, M., Datta, S., Lundstrom, M. (2010). On Landauer versus Boltzmann and full band versus effective mass evaluation of thermoelectric transport coefficients. Journal of Applied Physics, 107 (2), 023707. doi: 10.1063/1.3291120

Kruglyak, Yu. A., Strikha, M. V. (2014). Lessons of nanoelectronics: Hall effect and measurement of electrochemical potentials in “bottom – up” approach. Sensor Electronics Microsys. Tech., 11 (1), 5–27.

Wolfe, C. M., Holonyak, N., Stillman, G. E. (1989). Physical Properties of Semiconductors. Prentice Hall, Englewood Cliffs, N. Jersey.

Datta Supriyo (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 473. Available at: www.nanohub.org/courses/FoN1

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-03-24

Номер

Розділ

Фізико-математичні науки