DOI: https://doi.org/10.15587/2313-8416.2015.35893

Термоэлектрические коэффициенты в транспортной модели Ландауэра-Датты-Лундстрома

Юрий Алексеевич Кругляк

Аннотация


С позиций концепции «снизу-вверх» транспортной модели Ландауэра –Датты-Лундстрома строго выведены основные уравнения термоэлектричества с соответствующими транспортными коэффициентами для 1D проводников в баллистическом режиме и для 3D проводников в диффузионном режиме с произвольной дисперсией и любого масштаба. Приведены  термоэлектрические коэффициенты для 1D, 2D и 3D проводников с параболической дисперсией в баллистическом и диффузионном режимах через стандартные интегралы Ферми-Дирака.


Ключевые слова


нанофизика; наноэлектроника; молекулярная электроника; термоэлектрические коэффициенты; интегралы Ферми-Дирака

Полный текст:

PDF

Литература


Kruglyak, Yu. A. (2013). The Generalized Landauer-Datta-Lunstrom Electron Transport Model. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 11 (3), 519–549. Erratum: ibid, (2014)., 12 (2), 415.

Kruglyak, Yu. A. (2013). From Ballistic Conductivity to Diffusional in the Landauer-Datta-Lunstrom. Transport Model, Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 11 (4), 655–677.

Kruglyak, Yu. A. (2014). Thermoelectric phenomena and devices in the Landauer-Datta-Lunstrom approach. ScienceRise, 3/2(5), 73–88. doi: 10.15587/2313-8416.2014.27967

Lundstom, M., Guo, J. (2006). Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. Berlin: Springer, 218.

Kim, R., Lundstrom, M. S. Notes on Fermi – Dirac Integrals. Purdue University. Available at: www.nanohub.org/resources/5475

Lundstrom, M., Jeong, C. (2013). Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. Available at: www.nanohub.org/resources/11763

Sommerfeld, A. (1928). An electronic theory of the metals based on Fermi's statistics. Journal of Physics, 47 (1), 1.

Ashcroft, N. W., Mermin, N. D. (1979). Solid State Physics (Philadelphia: Suanders College, 486.

Geballe, T. N., Hull, G. W. (1954). Seebeck Effect in Germanium, Physical Review, 94 (5), 1134–1140. doi: 10.1103/physrev.94.1134

Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley, 792.

Kim, R. S. (2011). Physics and Simulation of Nanoscale Electronic and Thermoelectric Devices. West Lafayette: Purdue University, 218.

Supriyo, D. (2012). Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 473. Available at: www.nanohub.org/courses/FoN1

Kruglyak, Yu. A., Kruglyak, N. Yu., Strikha, М. V. (2013). Lessons of nanoelectronics. Thermoelectric phenomena in «bottom – up» approach, Sensor Electronics Microsys. Tech., 13 (1), 6–21.

Kruglyak, Yu. A. (2013). Lessons of nanoelectronics. 4. Thermoelectric phenomena in «bottom – up» approach. Physics in Higher Education, 19 (4), 70–85.


Пристатейная библиография ГОСТ


1. Кругляк, Ю. А. Обобщенная модель электронного транспорта Ландауэра-Датты-Лундстрома [Текст] / Ю. А. Кругляк // Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies. – 2013. – Т. 11, № 3. – С. 519 – 549. Erratum: ibid. – 2014. – Т. 12, № 2. – С. 415.

2. Кругляк, Ю. А. От баллистической проводимости к диффузионной в транспортной модели Ландауэра-Датты-Лундстрома [Текст] / Ю. А. Кругляк // Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies. – 2013. – Т. 11, № 4. – С. 655–677.

3. Кругляк, Ю. А. Термоэлектрические явления и устройства в концепции Ландауэра-Датты-Лундстрома [Текст] / Ю. А. Кругляк // ScienceRise. – 2014. – № 3/2(5). – С. 73–88. doi: 10.15587/2313-8416.2014.27967

4. Lundstom, M. Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation [Text] / M. Lundstom, J. Guo. – Berlin: Springer, 2006. – 218 p.

5. Kim, R. Notes on Fermi – Dirac Integrals. Third edition [Electronic resource] / R. Kim, M. S. Lundstrom. – Purdue University. – Available at:  www.nanohub.org/resources/5475

6. Lundstrom, M. Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications [Electronic resource] / M. Lundstrom, C. Jeong. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2013. – Available at: www.nanohub.org/resources/11763

7. Sommerfeld, A. An electronic theory of the metals based on Fermi's statistics [Text] / A. Sommerfeld // Journal of Physics. – 1928. – Vol. 47, Issue . – P. 1.

8. Ашкрофт, Н. Физика твердого тела [Текст] / Н. Ашкрофт, Н. Мермин. – М: Мир, 1979. – 486 с.

9. Geballe, T. N. Seebeck Effect in Germanium [Text] / T. N. Geballe, G. W. Hull // Physical Review. – 1954. – Vol. 94, Issue 5. – P. 1134–1140. doi: 10.1103/physrev.94.1134 

10. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals [Text] / R. F. Pierret. – Reading, MA: Addison–Wesley, 1996. – 792 p.

11. Kim, R. S. Physics and Simulation of Nanoscale Electronic and Thermoelectric Devices [Text] / R. S. Kim. – West Lafayette: Purdue University, 2011. – 218 p.

12. Supriyom D. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport [Text] / D. Supriyo. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2012. – 473 p. – Available at: www.nanohub.org/courses/FoN1

13. Кругляк, Ю. O. Уроки наноелектроніки. Термоелектричні явища в концепції «знизу – вгору» [Текст] / Ю. O. Кругляк, Н. Ю. Кругляк, М. В. Стріха // Sensor Electronics Microsys. Tech. – 2013. – Т. 13, № 1. – С. 6–21.

14. Кругляк, Ю. А. Уроки наноэлектроники. 4. Термоэлектрические явления в концепции «снизу – вверх» [Текст] / Ю. А. Кругляк // Физическое образование в вузах. – 2013. – Т. 19, № 4. – С. 70–85.







Copyright (c) 2014

Creative Commons License
Эта работа лицензирована Creative Commons Attribution 4.0 International License.

ISSN 2313-8416 (Online), ISSN 2313-6286 (Print)