Фотоіндукована зміна мікротвердості тонких плівок Ge<sub>32</sub>As<sub>8</sub>Se<sub>60</sub>

Автор(и)

  • В. Кузьма Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Біланич Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Лоя Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Різак Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.35.51-56

Ключові слова:

Мікротвердість, Фотоіндуковані зміни, Тонкі плівки

Анотація

Наведено результати досліджень динаміки зміни мікротвердості плівки Ge32As8Se60 під час опромінення лазерним променем. Встановлено, що під дією лазерного опромі­нення довжиною хвилі 655 нм мікротвердість плівки зменшується на 20 % при потужності лазера 50 мВт. Після припинення дії опромінювання спостерігається анало­гічний процес відновлення мікротвердість плівки. Проведено апроксимацію часових змін мікротвердості плівки під час та після опромінювання лазером. 

Посилання

Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фото- і термоструктурні перетворення халькогенідів. - Ужгород: Закарпаття,1999. - 392 с.

Trunov M.L., Bilanich V.S. Polarization-dependent photoplastic effect in As50Se50 chalcogenide glasses // Journal of Opto¬electronics and Advanced Materials. – 2004. - Vol. 6, No.1, Р. 157-162.

Tanaka K. Photoinduced deformations in chalcogenide glasses: Scalar and vectorial // J. Optoelectron. Adv. Mater., 2005. - 7(5). – Р. 2571–2580.

Saliminia A., Galstian T.V. and Villeneuve A. Optical Field-Induced Mass Transport in As2S3 Chalcogenide Glasses // Phys. Rev. Lett. – 2000. – 85. – Р. 4112-4115.

Трунов М.Л., Биланич В.С., Дуб С.Н., Шмегера Р.С. Гигантский фото-пластический эффект в стекло-образных полупроводниках, наблюдаемый в окрестности серколяционного перехода жесткости // Письма в ЖЭТФ. – 2005. - т. 82, №8. - С. 562-566.

Tanaka K. and Shimakawa K. Chalcogenide glasses in Japan: A review on photoinduced phenomena // Phys. Status Solidi B. – 2009. – 246. – Р. 1744–1757.

Wang Y., Boolchand P., Micoulaut M. Glass structure, rigidity transitions and the intermediate phase in the Ge-As-Se ternary // Europhys. Lett. – 2000. - V.52, N6. – Р. 633-639.

Tao Qu, Georgiev D.G., Boolchand P. and Micoulaut M. The Intermediate Phase in Ternary GexAsxSe1-2x Glasses // Phil. Mag. – 2005. – 85. – Р. 875.

Біланич В.С., Онищак В.Б., Різак І.М., Csach K., Flachbart K., Різак В.М. Дослідження стекол GexAsySe100-x-y методом диференціальної скануючої калориметрії // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2009. - № 25. – С. 24-30.

Биланич В.С., Онищак В.Б., Мака-уз И.И., Ризак В.М. Внутреннее тре-ние в стеклообразных полупроводни-ках системы Ge−As−Se // Физика твердого тела. – 2010. - том 52, №9. - С. 1698-1706.

Биланич В.С., Кикемезей С.С., Ризак И.М., Ризак В.М. Исследование динамики и механизмов деформи-рования тонких халькогенидных пленок As(Ge)2Se3 методом наноиндентирования // ФТТ. – 2011. – т. 53, №11. - С. 2200-2203.

Bilanych V.S., Onyshchak V.B., Ri-zak I.M., Csach K., Flachbart K., Ri-zak V.M. Investigation of thermal properties of the Ge–As–Se glasses by differential scanning calorimetry with heat flow harmonic modulation //Journal of Non-Crystalline Solids. – 2013. - V. 366. – Р. 48–53.

Мешалкин А.Ю., Андриеш И.С., Абашкин В.Г., Присакар А.М., Три-дух Г.М., Акимова Е.А., Енаки М.А., Цифровой метод измерения толщины нанометровых пленок на базе микро-интерферометра МИИ-4 // Электрон-ная обработка материалов. – 2012. - 48(6). – Р. 114–118.

ГОСТ РИСО 6507-1-2007 Металлы и сплавы. Измерения твердости по Виккерсу. Часть 1. Метод измерения.

Gang Chen, Himanshu Jain, Miroslav Vlcek, Syed Khalid, Jun Li, David A. Drabold, Stephen R. Elliott. Observation of light polarization-dependent structural

changes in chalcogenide glasses // Applied Physics Letters. – 2003. - V. 82, N 5. – Р. 706-708.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-06-30

Номер

Том 35 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).