Дослідження імпедансу та електричної провідності в суперіонних стеклах системи (Ag<sub>3</sub> AsS<sub>3</sub>)<sub>х</sub>(As<sub>2</sub>S<sub>3</sub>)<sub>1-х</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.49-54Ключові слова:
Суперіонні стекла, Імпеданс, Дисперсія, Електропровідність, Енергія активації, Закон АрреніусаАнотація
В роботі наведено результати експериментальних досліджень частотної і температурної поведінки імпедансу та електропровідності суперіонних стекол системи (Ag3AsS3)x(As2S3)1-xв частотному діапазоні 10-1.2´109 Гц і температурному інтервалі 300-400 К, а також концентраційні залежності електропровідності та енергії активації. Показано, що зі збільшенням вмісту Ag3AsS3 електропровідність нелінійно збільшується, тоді як енергія активації нелінійно зменшується, причому найбільш суттєві зміни спостерігаються при переході від (Ag3AsS3)0.4(As2S3)0.6 до (Ag3AsS3)0.5(As2S3)0.5.
Посилання
Elliot S.R. Chalcogenide glasses // Materials science and technology – 1991. – Vol. 9. – P. 375–448.
Schubert J., Schoning M.J., Mourzina Y.G., Legin A.V., Vlasov Y.G., Zan¬der W., Luth H. Multicomponent thin films for electrochemical sensor applications prepared by pulsed laser deposition // Sens. Actuators, B – 2001. – Vol. B76 (1–3). – P. 327-330.
Frumar M., Wagner T. Ag doped chalcogenide glasses and their applications // Cur. Op. in Sol. State and Mat. Sci. – 2003. – Vol. 7. – P. 117–126.
Kozicki M.N., Balakrishnan M., Goplan C., Ratnakumar C., Mitkova M. Programmable metallization cell memory based on Ag-Ge-S and Cu-Ge-S solid electrolytes // Non-Volatile Memory Technology Symposium – 2005. – Vol. 7–10. – P. 83-89.
Holbrook Ch., Chen P., Novita D.I., Boolchand P. Origin of Conductivity Threshold in the Solid Electrolyte Glass System: (Ag2S) х(As2S3)1-х // IEEE Trans. Nanotechnol. – 2007. – Vol. 6 (5). – P. 530-535.
Orliukas A.F., Kezionis A., Kazakevicius E. Impedance spectroscopy of solid electrolytes in the radio frequency range // Sol. State Ionics – 2005. – Vol. 176. – P. 2037-2043.
Jonscher A.K. Universal Relaxation Law // London: Chelsea Dielectrics Press, 1996. – P. 211.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).